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最新专利技术
  • 多堆叠半导体器件
    多堆叠半导体器件_三星电子株式会社_202510661226.4
    提供了一种多堆叠半导体器件，其包括：具有各自在第一水平方向上延伸的第一背侧线和第二背侧线的背侧布线层；在背侧布线层上并且包括下源极/漏极区的第一FET；在第一FET上并且包括上源极/漏极区的第二FET；以及具有在垂直于第一水平方向的第二水平...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510009818.8
    提供了一种半导体器件及其制造方法。示例半导体器件包括：衬底；沟道层，沟道层设置在衬底上；栅极结构，栅极结构围绕沟道层；源极/漏极图案，源极/漏极图案与沟道层的两侧连接；下布线结构，下布线结构设置在衬底下方；和绝缘图案，绝缘图案延伸穿过衬底并...
    2025-11-30
  • 一种具有综合性能加固的氮化物功率器件
    一种具有综合性能加固的氮化物功率器件_湖州闪芯微电子科技有限公司_202511200613.4
    本申请涉及半导体功率器件的技术领域，特别涉及一种具有综合性能加固的氮化物功率器件，该一种具有综合性能加固的氮化物功率器件包括主功率晶体管、以及用于精准调制所述主功率晶体管的端口电流电压以实现主功率晶体管稳健工作的调制器，所述主功率晶体管为基...
    2025-11-30
  • 半导体设备
    半导体设备_株式会社东芝_202411188278.6
    实施方式提供提高了特性的半导体设备。实施方式的半导体设备包括：第1导电层，设置在基板上；第2导电层，被供给第1电压，且设置在所述基板上；第3导电层，与输出节点对应，且在所述第1导电层与所述第2导电层之间设置在所述基板上；第1开关设备，包括被...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410636523.9
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，该方法包括：在衬底上形成沿第一方向排列的多个分隔结构，相邻的两个分隔结构之间构成凹部；在凹部中填充半导体材料，形成预埋层；至少移除部分分隔结构和部分预埋层，形成多个鳍组合结构；多个鳍组合结构...
    2025-11-30
  • 半导体器件的制造方法及半导体工艺设备
    半导体器件的制造方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511062503.6
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制造方法及半导体工艺设备。半导体器件的制造方法包括：提供衬底，衬底具有若干叠层结构，叠层结构包括由内而外设置的半导体沟道层、栅极介电层、第一功函数层和第二功函数层；形成第一填充层，以覆...
    2025-11-30
  • 沟槽电容电极结构及沟槽电容
    沟槽电容电极结构及沟槽电容_苏州苏纳光电有限公司_202511218593.3
    本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容，通过环形嵌套设置的第一基元构成基元单元，并在基底第一表面上高密度排列，配合同样呈现高密度排列的互联单元，极大程度提高了沟槽电容容值密度的同时，有效增加了电极表面积并优化了电场分布，提升了器件的高频...
    2025-11-30
  • 沟槽电容电极结构及沟槽电容
    沟槽电容电极结构及沟槽电容_苏州苏纳光电有限公司_202511218587.8
    本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容，通过环形嵌套设置的第一基元构成具有多重旋转对称性的基元单元，并在基底第一表面上高密度排列，配合同样呈现高密度排列的、用于后期工艺中金属互联的第一互联区域的设计，极大程度提高了沟槽电容容值密度的同时...
    2025-11-30
  • 一种对称式均流功率模块
    一种对称式均流功率模块_扬州国扬电子有限公司_202511151327.3
    本发明公开了一种对称式均流功率模块，涉及电力电子器件技术领域，通过改变传统芯片布局，将上下桥芯片左右排布，上桥芯片位于左基板，下桥芯片位于右基板，同桥臂芯片关于陶瓷基板对称布置，与主电极之间的距离差异减小，多芯片并联时的电流不均衡问题得到改...
    2025-11-30
  • 具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法
    具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511535920.8
    本发明提供一种具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法，先执行第一曝光工艺和第一刻蚀工艺以形成沟槽的底部栅氧，接着形成单晶硅层，再执行第二曝光工艺和第二刻蚀工艺以形成沟槽，沟槽暴露出底部栅氧的顶表面，然后形成沟槽栅，沟槽栅位于沟槽内且位于底部栅氧...
    2025-11-30
  • 一种超结终端结构及其制备方法
    一种超结终端结构及其制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202511162860.X
    本发明提供一种超结终端结构及其制备方法，超结终端结构中第二导电类型过渡区柱远离第二导电类型有源区柱一侧是第二导电类型终端区柱；第二导电类型终端区柱与第一导电类型衬底的距离依次减小；第二导电类型终端区柱上有第二导电类型重掺杂区，第二导电类型离...
    2025-11-30
  • 一种超结终端结构及其制备方法
    一种超结终端结构及其制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202511162856.3
    本发明提供一种超结终端结构及其制备方法，超结终端结构中第二导电类型结终端扩展层与第二导电类型终端主结连接；第二导电类型结终端扩展层从上到下依次包括第一扩展层和第二扩展层，第二扩展层与第二导电类型终端区柱连接。本发明设置多层结终端扩展层使电场...
    2025-11-30
  • 超结晶体管器件
    超结晶体管器件_英飞凌科技股份有限公司_202510655641.9
    公开了超结晶体管器件。公开了一种晶体管器件。晶体管器件包括：源极节点(S)和漏极节点(D)；包括内部区(110)和边缘区(120)的半导体主体(100)；超结区(10)，其包括被在半导体主体(100)的第一横向方向(x)上交替地布置的第一掺...
    2025-11-30
  • 具有改进外延层形貌的半导体器件及其制造方法
    具有改进外延层形貌的半导体器件及其制造方法_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202511216959.3
    本公开提供了一种具有改进外延层形貌的半导体器件及其制造方法，可以应用于半导体技术领域。根据实施例，该半导体器件可以包括：衬底；衬底上的沟道部；设置在沟道部上的栅极；在衬底上设置在栅极的相对两侧的源/漏层，源/漏层包括衬底上的外延层；其中，外...
    2025-11-30
  • 晶体管、显示面板和显示装置
    晶体管、显示面板和显示装置_武汉天马微电子有限公司_202511203487.8
    本申请涉及一种晶体管、显示面板和显示装置。晶体管包括基板、有源层、栅极、源极和漏极，有源层位于基板上；有源层包括沿第一方向依次排布的源区、沟道区和漏区；栅极在基板上的正投影与沟道区在基板上的正投影交叠；源极与源区接触；漏极与漏区接触；沟道区...
    2025-11-30
  • 一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片
    一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片_中国科学院微电子研究所_202511162874.1
    本发明涉及一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片，属于半导体技术领域，解决了传统单器件实现布尔逻辑的温度过低、难以工业化应用以及成本过高、工艺繁琐、良率低等问题中的至少一个。一种基于IGZO的多电极非线性器件，包括：衬底、背栅、...
    2025-11-30
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510942344.2
    提供了一种半导体装置及其形成方法。晶体管结构(例如，半导体装置的互连层中的后端晶体管结构)被形成为包括具有高电子浓度氧化物‑半导体材料的氧化物‑半导体通道层。高电子浓度氧化物‑半导体材料使得氧化物‑半导体通道层能够实现低阈值电压和低通道电阻...
    2025-11-30
  • 薄膜晶体管、包括其的显示设备和制造薄膜晶体管的方法
    薄膜晶体管、包括其的显示设备和制造薄膜晶体管的方法_三星显示有限公司_202510670063.6
    提供了薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的显示设备以及制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管包括衬底。第一电极设置在衬底上。第一电极具有限定在其中的第一开口。第一绝缘层设置在第一电极上。第一绝缘层具有限定在其中的第二开口。第二开口与第一开口重叠。第二电极...
    2025-11-30
  • 薄膜晶体管及阵列基板
    薄膜晶体管及阵列基板_TCL华星光电技术有限公司_202410644503.6
    本发明公开了一种薄膜晶体管及阵列基板，薄膜晶体管包括基板以及设置于基板一侧的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极，栅极绝缘层位于栅极和半导体层之间，半导体层包括对应于源极和漏极之间的间隙区域的沟道部；薄膜晶体管还包括导电层，导电层设置于半...
    2025-11-30
  • 一种带P-well层的碳化硅半导体器件及其制备方法
    一种带P-well层的碳化硅半导体器件及其制备方法_杭州清芯微电子有限公司_202511539485.6
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种带P‑well层的碳化硅半导体器件及其制备方法，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及覆盖在栅极表面上的栅氧化层，所述半导体外延层包括N衬底层、N...
    2025-11-30
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