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最新专利技术
  • 正极浆料、使用其制备二次电池用正极的方法以及包含正极的二次电池
    正极浆料、使用其制备二次电池用正极的方法以及包含正极的二次电池_株式会社LG新能源_202480027723.2
    本发明的正极浆料是用于制备锂二次电池用正极的正极浆料，该正极浆料包含正极活性材料、导电材料、粘合剂、具有5个以下碳原子的脂肪族有机酸、以及溶剂，其中基于正极浆料中的正极活性材料、导电材料、粘合剂和脂肪族有机酸的全部固形物为100重量份，脂肪...
    2025-11-27
  • 一种二次电池的负极极片、制备方法及二次电池
    一种二次电池的负极极片、制备方法及二次电池_南通市懋略科技有限公司_202580001980.3
    针对现有技术中自然形成的SEI膜成分不均匀、机械稳定性差导致的二次电池的循环寿命差和库伦效率低的问题，本发明提供了一种二次电池的负极极片、制备方法及二次电池。所述二次电池的负极极片的负极活性物质层的表面沉积固体复合膜层，所述的固体复合膜层包...
    2025-11-27
  • 双极电极、包括双极电极的电极组件、包括电极组件的双极电池以及制造双极电池的方法
    双极电极、包括双极电极的电极组件、包括电极组件的双极电池以及制造双极电池的方法_株式会社LG新能源_202580002191.1
    本发明涉及双极电极，该双极电极包括：集流体，该集流体包括聚合物膜和导电层，该导电层添加至聚合物膜的外表面和内表面的至少一部分；正极，该正极形成在集流体的第一表面上；以及负极，该负极形成在集流体的第二表面上，其中，通过热熔合包括聚合物膜的集流...
    2025-11-27
  • 二次电池用正极和二次电池
    二次电池用正极和二次电池_松下知识产权经营株式会社_202480026420.9
    正极(11)具备长条状的正极芯体(30)、以及配置于正极芯体(30)的两面的正极合剂层(31)。正极合剂层(31)包括第一区域(32)、以及厚度比第一区域(32)的厚度薄的第二区域即薄壁部(33)。薄壁部33的厚度为第一区域(32)的平均厚...
    2025-11-27
  • 电极、非水系蓄电元件、以及制造电极的方法
    电极、非水系蓄电元件、以及制造电极的方法_株式会社理光_202480018732.5
    提供一种电极，其包括：基体；在所述基体上的电极复合层；以及在所述电极复合层上的绝缘体层。所述绝缘体层包括：多孔质层，在所述电极复合层上，并且具有骨架和空隙；以及粒子层，在所述多孔质层上，并且包含粒子。所述粒子的熔点(Tma)或玻璃化转变温度...
    2025-11-27
  • 显示模块及其制造方法
    显示模块及其制造方法_三星电子株式会社_202480027796.1
    公开了一种显示模块。该显示模块包括：印刷电路板，其上部形成有导电图案；多个发光器件，设置在印刷电路板上并电连接到导电图案；以及填充层，包括不透明的非导电材料，其中，印刷电路板具有布置在多个发光器件的外围区域与印刷电路板的外围之间的突出结构，...
    2025-11-27
  • 半导体模块
    半导体模块_新电元工业株式会社_202480018671.2
    本发明的目的在于提供一种半导体模块，通过以从端子台的端部延伸的方式设置多个强化筋，能够加强壳体而抑制挠曲。本发明的半导体模块(1)的特征在于，壳体(20)以环状环绕的方式安装于基板(10)的边缘部(11)，壳体(20)具有：端子台(30)；...
    2025-11-27
  • 包括包含具有互连部分块的包封部分的封装基板的封装件
    包括包含具有互连部分块的包封部分的封装基板的封装件_高通股份有限公司_202480026965.X
    一种封装件，该封装件包括封装基板和通过第一多个焊料互连件耦合到封装基板的第一集成器件。封装基板包括桥和/或中介层、包封部分、耦合到包封部分的第一表面的第一金属化部分、以及耦合到包封部分的第二表面的第二金属化部分。包封部分包括第一互连部分块、...
    2025-11-27
  • 具有双镶嵌及虚拟垫的半导体装置
    具有双镶嵌及虚拟垫的半导体装置_美光科技公司_202480022928.1
    提供一种半导体装置。所述半导体装置可具有前侧，电路系统安置在所述前侧处。所述电路系统可包含垫及多个线。第一介电材料层可在所述前侧处至少部分安置在所述垫及所述多个线上方。第二介电材料层可在所述前侧处至少部分安置在所述第一介电材料层上方。双镶嵌...
    2025-11-27
  • 带有具有由阻挡层隔开的部分的线的中介层
    带有具有由阻挡层隔开的部分的线的中介层_微芯片技术股份有限公司_202380096130.7
    中介层和用于制成中介层的方法，该中介层具有衬底，该衬底具有限定平面的表面；金属线的第一部分，该金属线的该第一部分由衬底直接或间接支撑；阻挡层，该阻挡层在金属线的第一部分上；金属线的第二部分，该金属线的该第二部分在第一阻挡层上，其中第二部分与...
    2025-11-27
  • 冷却总成和半导体总成及用以生产冷却总成和半导体总成的方法
    冷却总成和半导体总成及用以生产冷却总成和半导体总成的方法_科林堤斯公司_202480020583.6
    依据本发明，提供一种用于作为半导体总成中的散热器使用的冷却总成，该等冷却总成包含一歧管及附接在该歧管上的一或多个子冷板。另提供一种包含该等冷却总成中的任一冷却总成的半导体总成，其中该等子冷板热接触产生超过一预定临界热通量的一热通量的组件且该...
    2025-11-27
  • 冷却指状件作为LED驱动器的可持续并且可靠的解决方案
    冷却指状件作为LED驱动器的可持续并且可靠的解决方案_昕诺飞控股有限公司_202480018910.4
    本发明提供了一种电子装置，该电子装置包括电气装置和导热元件；其中：电气装置包括支撑件和由支撑件支撑的多个电气部件，其中多个电气部件中的每个电气部件具有限定相对于支撑件的部件高度的电气部件顶部；以及导热元件包括第一部分和多个延伸部，延伸部从第...
    2025-11-27
  • 散热部件、散热部件的制造方法和真空阀
    散热部件、散热部件的制造方法和真空阀_三菱电机株式会社_202480022219.3
    散热部件(100)具有以铜为主要成分的基体材料(2)以及覆盖基体材料(2)的表面的涂层(3)，涂层(3)具有以离子化倾向比铜大的金属元素的氧化物为主要成分的陶瓷层(3S)，在基体材料(2)与涂层(3)的界面具有金属元素扩散到铜的扩散层(4)...
    2025-11-27
  • 聚合物渗透石墨烯增强热界面垫及其制造方法
    聚合物渗透石墨烯增强热界面垫及其制造方法_斯马特高科技有限公司_202480018497.1
    制造热界面膜的方法，所述方法包括：提供基于石墨烯的膜(101)的堆叠体(100)(200)；在第一模具(102, 402)和第二模具(104, 404)之间压制所述基于石墨烯的膜的堆叠体(202)，形成经压缩的膜(106)，其中所述第一模具...
    2025-11-27
  • 导热片、散热装置以及导热片的制造方法
    导热片、散热装置以及导热片的制造方法_株式会社力森诺科_202380097461.2
    一种导热片，其具备：导热层，其含有选自由鳞片状粒子、椭圆体状粒子和棒状粒子组成的组中的至少1种石墨粒子(A)，在所述鳞片状粒子的情况下，所述鳞片状粒子的面方向沿导热层的厚度方向取向，在所述椭圆体状粒子的情况下，所述椭圆体状粒子的长轴方向沿导...
    2025-11-27
  • 半导体装置、半导体装置的制造方法以及车辆
    半导体装置、半导体装置的制造方法以及车辆_罗姆股份有限公司_202480027948.8
    本发明的半导体装置具备：散热部件；基材，其包括绝缘层，并且搭载于所述散热部件的第一方向的一侧；第一导电层，其以所述基材为基准而位于与所述散热部件相反的一侧，并且与所述基材接合；第一半导体元件，其与所述第一导电层接合；第一电力端子，其与所述第...
    2025-11-27
  • 半导体器件的制造方法、半导体器件及密封材料
    半导体器件的制造方法、半导体器件及密封材料_株式会社力森诺科_202380097557.9
    本发明公开一种在硅晶圆的薄化加工中抑制破裂的产生的方法。在该方法中，首先，在硅晶圆(20)中设有凸块(40)的面(20a)侧，通过压缩模塑将密封材料(50)成型至凸块(40)的上端部分(40a)露出的程度。作为密封材料(50)，例如优选使用...
    2025-11-27
  • 配线基板的制造方法、半导体装置的制造方法、配线基板及半导体装置
    配线基板的制造方法、半导体装置的制造方法、配线基板及半导体装置_株式会社力森诺科_202380097456.1
    配线基板的制造方法包括：在支撑基板上形成第1绝缘层的工序；在第1绝缘层上形成抗蚀剂层的工序；在抗蚀剂层上形成包括配线电极用的第1开口部及第2开口部和虚设电极用的第3开口部的多个开口部的工序；在第1开口部及第2开口部分别形成第1配线电极及第2...
    2025-11-27
  • 用于混合键合中的高强度电介质的方法与结构
    用于混合键合中的高强度电介质的方法与结构_应用材料公司_202480027579.2
    一种用于半导体装置的在该结构的顶表面上具有高介电常数介电膜的结构可以用于形成由具有减少的介电表面区域及减少的金属柱的节距的混合接合结构所组成的半导体装置。举例而言，介电膜的介电常数可以是约或大于7或8。可以将结构的介电膜与类似结构的介电膜混...
    2025-11-27
  • 形成用于互连结构的金属衬垫的方法
    形成用于互连结构的金属衬垫的方法_应用材料公司_202480023721.6
    形成元件的方法包含在基板上形成介电层，此介电层包含限定包括侧壁及底部的间隙的至少一个特征。此等方法包括在此间隙的此底部上选择性地沉积自组装单层(SAM)。此SAM具有通式I至XIX，其中R、R’、R1、R2、R3、R4，及R5是独立地选自氢...
    2025-11-27
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