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最新专利技术
  • LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件
    LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件_北京智芯微电子科技有限公司_202510952041.9
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。该方法兼容BCD工艺，通过在场氧化层和氮化物层形成空腔，然后在空腔内沉积多晶硅，只需一次多晶硅淀积即可形成浮动栅和控制栅，简化了制造工艺步骤。该器件中O...
    2025-11-30
  • 外延结构的制作方法与外延结构
    外延结构的制作方法与外延结构_环球晶圆股份有限公司_202411894367.2
    一种外延结构的制作方法，包含：提供一基板；于所述基板上方形成一第一缓冲层；于所述第一缓冲层上方形成一粗化层，形成所述粗化层的制程中包含执行一第一低温生长步骤及一高温生长步骤，其中，所述第一低温生长步骤包含于一第一低温温度中形成一第一本质掺杂...
    2025-11-30
  • 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
    一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法_厦门芯一代集成电路有限公司_202511372518.2
    本发明涉及一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：n‑漂移层、第一n型调节层、第二n型调节层和场截止层，其中，n‑漂移层、第一n型调节层、第二n型调节层和场截止层依次层叠；第一n型调节层的掺杂浓度大于n‑漂移...
    2025-11-30
  • 一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法
    一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511200400.1
    本发明涉及一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法，所述沟槽型IGBT元胞结构包括N‑漂移层和有源区，有源区设有P‑体区、若干沟槽和N+发射极区；沟槽包括横向排列的若干栅极沟槽和发射极沟槽，各个沟槽垂直穿过P‑体区进入N‑漂移层内...
    2025-11-30
  • 一种IGBT器件及其制造方法
    一种IGBT器件及其制造方法_深圳市芯控源电子科技有限公司_202511022446.9
    本申请公开的属于半导体技术领域，具体为一种IGBT器件，包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括集电极、设置在集电极上的P+区、设置在P+区上的缓冲区、设置在缓冲区上的漂移区、设置在漂移区上的P‑base、设置在P‑base内部的N+区、设置...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510506331.0
    本发明提供抑制电极间的短路，提高可靠性的半导体装置。本公开所涉及的半导体装置在半导体基板形成有晶体管，半导体基板具有形成有晶体管的活性区域和活性区域的周围的终端区域，终端区域具备半导体基板之上的第一层间绝缘膜、其上的第二层间绝缘膜、与晶体管...
    2025-11-30
  • 一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法
    一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法_苏州立研微电子科技有限公司_202511039951.4
    本发明提供一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，属于TVS半导体制备技术领域；包括P型硅衬底，所述P型硅衬底的表面开设有深N阱，所述深N阱用于为源/漏高压N+区提供隔离，防止与P型衬底之间发生穿通或过早击穿，并作为寄生NPN BJT的集...
    2025-11-30
  • 低电场强度二极管芯片扩散工艺
    低电场强度二极管芯片扩散工艺_常州银河电器有限公司_202511068315.4
    本发明涉及一种低电场强度二极管芯片扩散工艺，步骤如下：硅片预处理；液态硼源旋涂；热扩散；硼面减薄；硅片处理；液态磷源旋涂；二次热扩散；双面减薄及表面处理；氧化退火处理。本发明采用前硼再磷的扩散方法，在硼扩散后进行双面减薄，去除硼浓度较高的表...
    2025-11-30
  • 一种低导通电阻高反向耐压氢终端金刚石肖特基二极管及其制备方法
    一种低导通电阻高反向耐压氢终端金刚石肖特基二极管及其制备方法_江南大学_202510927817.1
    本发明公开了一种低导通电阻高反向耐压氢终端金刚石肖特基二极管及其制备方法，利用双欧姆电极及肖特基电极与其中一块欧姆电极短路形成了一种具低导通电阻、高反向耐压的氢终端金刚石肖特基二极管。肖特基电极覆盖在介质层上的部分可以在导通状态下增加空穴浓...
    2025-11-30
  • 一种电容器、功率结构和开关电源电压调节器电路电路
    一种电容器、功率结构和开关电源电压调节器电路电路_上海晶丰明源半导体股份有限公司_202511118874.1
    本发明提供一种电容器、功率结构和开关电源电压调节器电路，所述电容器包括半导体衬底、外延区域和沟槽栅，半导体衬底和外延区域均为第一导电类型，外延区域设置于衬底的上表面的至少一部分，外延区域构成电容器的第一极板；沟槽栅形成于至少部分的外延区域中...
    2025-11-30
  • 存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠
    存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠_爱思开海力士有限公司_202510389391.9
    本公开涉及存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠。一种存储介质包括堆叠在基板之上的第一存储芯片、堆叠在第一存储芯片之上的第二存储芯片和堆叠在第二存储芯片之上的第三存储芯片。第一存储芯片、第二存储芯片和第三存储芯片以阶梯状堆叠。第一存储芯片...
    2025-11-30
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410713440.5
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一基底、多个存储器单元、一介电层以及一凹槽。基底定义有一存储器区域，其中存储器区域具有一边界。多个存储器单元设置于存储器区域中。介电层设置多个存储器单元上，其中介电层的一顶表面高于各多...
    2025-11-30
  • 磁阻式随机存取存储器电路与布局结构
    磁阻式随机存取存储器电路与布局结构_联华电子股份有限公司_202410697668.X
    本发明提出了一种磁阻式随机存取存储器电路，其中每个存储器单元包含三个晶体管，分别为依序串联的第一晶体管、第三晶体管以及第二晶体管，该第一晶体管与该第三晶体管的连接处为第一节点，该第二晶体管与该第三晶体管的连接处为第二节点，且该第一晶体管与该...
    2025-11-30
  • 一种提高铁电畴壁存储器开态电流的方法
    一种提高铁电畴壁存储器开态电流的方法_绍芯实验室_202511030680.6
    本申请涉及一种提高铁电畴壁存储器开态电流的方法，属于铁电存储器器件优化领域。该方法通过在[100]方向斜切角为0.2°～0.5°的SrTiO₃[001]衬底上，依次外延生长5 nm厚的SrTiO₃种子层与100 nm厚的BiFeO₃(BFO...
    2025-11-30
  • 存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器
    存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410628422.7
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器。该存储单元的形成方法通过提供一初始晶圆结构；初始晶圆结构包括结构区和环绕结构区的晶边区；初始晶圆结构至少包括由下至上依次设置的衬底、浮栅材料层、层间绝缘层、控制...
    2025-11-30
  • 半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件
    半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410621853.0
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件。半导体结构的形成方法通过先形成具有不同深宽比的沟槽结构的初始半导体结构，后续先对高宽深比的沟槽结构进行填充，以在高宽深比的沟槽结构内填充满所述第一隔离材料，在...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410635217.3
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：多个存储单元阵列，分布于不同层、沿垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布；存储单元阵列包括位于同一层、在沿平行于衬底的行方向和列方向阵列分布的多个存储单元；其中，存储单元包...
    2025-11-30
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202511416037.7
    本披露涉及半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层在第1方向上相互隔开积层而成，具有包含多个上升部及多个阶台部的阶梯状端部，且包含最上层的导电层在内的连续的多层第1导电层作为对于NAND串...
    2025-11-30
  • 基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器
    基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器_东莞理工学院_202510928362.5
    本发明涉及一种基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器，主要用于高效存储与信息处理。该存储器包括最下层为衬底；选择二维钙钛矿纳米片作为光敏浮栅层放置在衬底的上表面；设有电介质层部分置于光敏浮栅层上，充当电荷保护层；选择具有半导体性质的材料放置在...
    2025-11-30
  • 闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法
    闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410607277.4
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法，该闪存存储器包括：衬底；位于所述衬底上的浮栅氧化层；位于所述浮栅氧化层的内部和表面上的浮栅；所述浮栅包括上端部分和下端部分，所述上端部分位于所述浮栅氧化...
    2025-11-30
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