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最新专利技术
  • 一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺
    一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺_杭州清芯微电子有限公司_202511309020.1
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺， 包括若干个相互并列的MOS元胞， 单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极、源极和栅氧化层， 所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层...
    2025-11-21
  • 一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法
    一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511308942.0
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法， 包括若干相互并列的MOS元胞， 单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极， 所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P...
    2025-11-21
  • 堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法
    堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法_江苏长晶科技股份有限公司_202511300314.8
    堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法， 在SGT MOSFET的沟槽中， 包括一个控制栅电极和两个屏蔽栅电极， 两个屏蔽栅电极位于控制栅电极的上下两侧， 共用一个控制栅电极。本发明在和传统SGT相同的元胞宽度、漂移电阻规格下， 增加沟槽深度...
    2025-11-21
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511266292.8
    本公开涉及一种半导体器件及其制备方法， 涉及半导体制造技术领域， 半导体器件中， 第一导电类型第一源区的顶面齐平于衬底顶面且外表面位于衬底内；第二导电类型第一阱环， 包覆第一源区的外表面， 且经由衬底顶面嵌入衬底内；第二导电类型半导体柱， ...
    2025-11-21
  • 一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法
    一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法_复旦大学_202510941810.5
    本发明公开了一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法；该制备方法包括：外延生长；第一次P型离子注入；第一级沟槽刻蚀；N型离子注入；第二次P型离子注入；第二级沟槽刻蚀；栅氧、多晶硅、层间绝缘层生长；金属淀积；本发明的有益效果在于：通过多级...
    2025-11-21
  • 一种高K低K复合介质屏蔽栅功率器件及其制备方法
    一种高K低K复合介质屏蔽栅功率器件及其制备方法_济南晶恒电子有限责任公司_202510934145.7
    本申请涉及功率半导体技术领域， 提供了一种高K低K复合介质屏蔽栅功率器件及其制备方法， 其通过介质层的分区优化设计， 显著提升了器件的耐压能力与开关频率的兼容性， 其创新的非连续界面层设计有效降低了介质系统的界面态密度， 大幅改善了器件可靠...
    2025-11-21
  • 一种碳化硅MOSFET器件及其工艺
    一种碳化硅MOSFET器件及其工艺_陕西电子芯业时代科技有限公司_202510865689.2
    本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其工艺。所述碳化硅MOSFET器件包括：N+衬底和N‑外延层；所述N‑外延层的顶部设置有硬掩模， 所述N‑外延层上设置有PWELL区、JFET区以及沟道区， 所述沟道区与JFET区交界处的PWELL区侧...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411164810.0
    提供栅极绝缘层的可靠性得以提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、以及第一电极与第二第二电极之间的具有第一面和第二面的半导体层。半导体层包括多个第一沟槽和与位于最端部的第一沟槽相邻的第二沟槽。半导体装置具备：位于第一沟...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411112324.4
    提供能够提高耐量的半导体装置。根据一个实施方式， 半导体装置具有第1电极、第1～第3半导体区域、导电体及第2电极。导电体包含第1及第2栅极电极部、第1布线部、第1及第2连接部。第1栅极电极部位于第1部分之上。第2半导体区域位于第1栅极电极部...
    2025-11-21
  • 一种具有阶梯LTO的LDMOS器件及其制造方法
    一种具有阶梯LTO的LDMOS器件及其制造方法_浙江大学_202510924039.0
    本发明公开了一种具有阶梯LTO的LDMOS器件及其制造方法。本发明在原有的LDMOS器件结构基础上增加了阶梯场板结构， 相比于原本的LDMOS器件结构， 在相同的漂移区掺杂浓度下， 阶梯场板LDMOS结构的漂移区可以更好的耗尽， 从而使等势...
    2025-11-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410397139.8
    一种半导体结构及其形成方法， 阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构， 对漂移区上的栅极结构进行掺杂， 形成相邻接的第一掺杂区和第二掺杂区， 第一掺杂区掺杂有第一型离子， 第二掺杂区掺杂有第二型离子， 第二型离子和第一型离子的导电类型不同，...
    2025-11-21
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411164813.4
    提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第1电极；第1导电型的第1半导体层， 设置在第1电极之上；第2半导体层， 设置在第1半导体层之上， 第1导电型杂质浓度比第1半导体层低；第2导电型的第3半导体层， 设置在第2半导体层之上...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411164808.3
    提供提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层， 具有第一面和第二面；第一面侧的第一栅极电极， 沿与第一面平行的第一方向延伸；第二栅极电极， 沿第一方向延伸， 相对于第一栅极电极设置于与第一面平行且与第一方向垂直的第二方向...
    2025-11-21
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411163654.6
    提供能够抑制钝化膜中的裂纹的产生的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体部件、层间膜、金属层和钝化膜。层间膜设置于半导体部件的上表面侧。金属层以覆盖层间膜的上表面侧的至少一部分区域的方式设置。钝化膜成膜于层间膜的未设置金属...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411163652.7
    提供能够提高末端区域中的雪崩耐量的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第二电极、控制电极以及第三电极。半导体部包含第一导电型的第一半导体层以及第二导电型的第二半导体层。第一区域中的半导体部还包含设于第二半导体层与第二电...
    2025-11-21
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202411157094.3
    提供能够降低导通电阻的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极；半导体层， 设置在所述第一电极之上；第二电极， 设置在所述半导体层之上；控制电极， 隔着绝缘区域设置在所述半导体层内；第一导电部， 沿着与从所述第...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411141790.5
    提供能够兼顾截止状态时的漏电流降低和导通状态时的电阻的降低的半导体装置。半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层， 配置在所述第一电极上；第二半导体层， 配置在所述第一半导体层上， 是第二导电型， 具有第一部分和与所述第一电极的距...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411120255.1
    提供能够提高耐压的半导体装置。第1末端沟槽部的第1方向上的宽度大于栅极沟槽部的第1方向上的宽度。第1末端沟槽部的下端位于比栅极沟槽部的下端靠下方的位置。
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411120251.3
    实施方式提供能够提高耐量的半导体装置。根据一个实施方式， 半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第1导电部、第2导电型的第5半导体区域、第2导...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410807777.2
    实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层， 设置在第1电极上， 具有在第1方向上位于相互分离的位置且在第2方向上延伸的多个台部；第2电极， 位于在台部的上部设置的凹部， 且在第2方向上延伸；栅极电极， 在第1方向上与...
    2025-11-21
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