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最新专利技术
  • 显示模组、注胶模具及其制备方法、显示装置
    显示模组、注胶模具及其制备方法、显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202510875939.0
    本申请提供一种显示模组、注胶模具及其制备方法、显示装置。该显示模组包括显示面板、支撑部件、光学胶层、胶体及盖板，所述显示面板的一侧设置有所述支撑部件；所述显示面板的远离所述支撑部件的一侧设置有所述光学胶层；所述光学胶层的远离所述显示面板侧具...
    2025-10-14
  • 一种显示面板及其制作方法、显示装置
    一种显示面板及其制作方法、显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202510875925.9
    本公开提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括衬底、信号走线和保护层，显示面板包括显示区和至少部分围绕显示区的非显示区,信号走线位于衬底的一侧，至少部分信号走线位于非显示区，保护层位于信号走线背离衬底的一侧，至少部分保护层环绕...
    2025-10-14
  • 显示面板及制作方法、显示装置
    显示面板及制作方法、显示装置_惠科股份有限公司_202510873575.2
    本申请公开一种显示面板及制作方法、显示装置，涉及显示面板技术领域，显示面板包括驱动基板、像素定义层、液晶弹性体结构、子像素和触控层；像素定义层设置于驱动基板，像素定义层凸出于驱动基板以形成像素容纳区域；液晶弹性体结构设置于像素定义层且围绕像...
    2025-10-14
  • 一种采用多功能透明界面层的半透明钙钛矿太阳电池及其制备方法
    一种采用多功能透明界面层的半透明钙钛矿太阳电池及其制备方法_中国长江三峡集团有限公司_202510871322.1
    本发明涉及钙钛矿太阳电池领域，具体涉及一种采用多功能透明界面层的半透明钙钛矿太阳电池及其制备方法，本发明的目的在于解决现有半透明钙钛矿太阳电池在电荷传输效率、界面层稳定性和透明度等方面存在的技术瓶颈。现有半透明钙钛矿太阳电池的透明导电电极通...
    2025-10-14
  • 一种高亮LED芯片及其制作方法
    一种高亮LED芯片及其制作方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202510875878.8
    本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体为一种高亮LED芯片及其制作方法，包括从上往上依次设置的蓝宝石衬底、分布在蓝宝石衬底上两侧的N‑GaN区域、位于两侧N‑GaN区域之间的N‑finger区域、N‑finger区域下沉积形成的一层CBL层...
    2025-10-14
  • 一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片和发光装置
    一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片和发光装置_厦门未来显示技术研究院有限公司_202510871519.5
    本申请提供一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片和发光装置。LED外延结构包括位于衬底一侧表面的外延叠层；外延叠层包括N型限制层、N面波导层、有源层、P面波导层和P型限制层；P面波导层包括沿背离有源层的方向依次设置的第一波导层、第二波导...
    2025-10-14
  • 一种单芯RGB白光LED芯片及其制作方法
    一种单芯RGB白光LED芯片及其制作方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202510869405.7
    本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体为一种单芯RGB白光LED芯片及其制作方法，包括：蓝宝石衬底；依次层叠于衬底上的n‑GaN层、绿光量子阱层、蓝光量子阱层、p‑GaN层；覆盖p‑GaN层的ITO透明导电层；设于ITO层上的SiO
    2025-10-14
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202510870535.2
    本申请属于太阳能电池技术领域，具体提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，旨在解决现有的空穴传输层与硅基底的接触电阻高，进而影响光电转换效率的问题。为此，本申请的太阳能电池包括硅衬底以及在硅衬底的第一表面依次设置的第一非晶硅层、硼掺杂非晶...
    2025-10-14
  • 背接触电池、背接触叠层电池以及光伏组件
    背接触电池、背接触叠层电池以及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202510873960.7
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种背接触电池、背接触叠层电池以及光伏组件，背接触电池包括：具有沿第一方向相对的第一、第二表面侧的基底，在第二表面侧包括沿第二方向交替排布的第一、第二区；位于第一区上的第一掺杂半导体层，和基底中掺杂有相同导电类...
    2025-10-14
  • 一种光伏组件排版方法
    一种光伏组件排版方法_联塑班皓光伏新能源科技(广东)有限公司_202510871757.6
    本发明涉及光伏组件生产技术领域，尤其是一种光伏组件排版方法，包括如下步骤：S1，按照预设间隔距离依次排布好电池片并焊接互联条以加工出电池串；S2，排布电池串；在S2中，包括如下步骤：S21，在工作台上放置上侧设有EVA的玻璃；S22，在工作...
    2025-10-14
  • 一种光谱芯片及其制备方法
    一种光谱芯片及其制备方法_吉林求是光谱数据科技有限公司_202510868305.2
    本申请涉及一种光谱芯片及其制备方法。该光谱芯片包括：衬底，包括光电传感层，其中光电传感层包括多个像素；光谱调制层，设置在光电传感层上，其中光谱调制层包括周期排列的滤光单元，每个滤光单元由多个滤光子单元组成，各个滤光子单元具有不同的透过率曲线...
    2025-10-14
  • 一种光谱芯片模组及其制备方法
    一种光谱芯片模组及其制备方法_吉林求是光谱数据科技有限公司_202510868160.6
    本申请涉及一种光谱芯片模组及其制备方法。所述光谱芯片模组包括电路板；光谱芯片，位于所述电路板上，与所述电路板电气连接，其中，所述光谱芯片包括：衬底，包括光电传感层，其中所述光电传感层包括多个像素；光谱调制层，设置在所述光电传感层上，其中所述...
    2025-10-14
  • 一种CCZTSe近红外探测器及其制备方法
    一种CCZTSe近红外探测器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202510868255.8
    本申请涉及光电探测器技术领域，特别涉及一种CCZTSe近红外探测器及其制备方法，该探测器包括：衬底以及依次层叠设置在衬底上的钼背电极、吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极；其中，吸收层的材料为Ag掺杂的Cu2Cdx...
    2025-10-14
  • SOI衬底的制备方法
    SOI衬底的制备方法_上海新傲科技股份有限公司_202510869084.0
    本发明提供了一种SOI衬底的制备方法，包括：提供器件衬底、第一支撑衬底、以及第二支撑衬底；在所述器件衬底中形成剥离层；在所述第一支撑衬底和/或器件衬底的第一表面形成第一绝缘层；在所述第二支撑衬底和/或器件衬底的第二表面形成第二绝缘层；以所述...
    2025-10-14
  • 一种集成电阻的功率分立器件及其制备方法
    一种集成电阻的功率分立器件及其制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202510868493.9
    本发明提出了一种集成电阻的功率分立器件及其制备方法，器件包括漂移层、绝缘层和金属层，所述漂移层的上端形成绝缘层以及包覆在绝缘层内的第一电极介质区域、第二电极介质区域、截止环介质区域、第一电阻介质区域和/或第二电阻介质区域；所述金属层包括形成...
    2025-10-14
  • 一种集成RC缓冲电路的功率器件及制备方法
    一种集成RC缓冲电路的功率器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202510868490.5
    本发明属于大功率半导体器件技术领域，公开了一种集成RC缓冲电路的功率器件及制备方法，功率器件包括漂移层、绝缘层和金属层，漂移层的上端形成绝缘层以及包覆在绝缘层内的第一电极介质区域、第二电极介质区域、截止环介质区域、电容介质区域和电阻介质区域...
    2025-10-14
  • 一种功率模块封装结构及功率模块
    一种功率模块封装结构及功率模块_通富微电子股份有限公司_202510875836.4
    本公开实施例提供一种功率模块封装结构及功率模块，该结构包括载板、多个基板、多个芯片、多个外接端子和塑封体；载板的上表面设置有多个凸台；基板设置于与其对应的凸台；芯片设置于与其对应的基板；外接端子的第一端固定于所述基板并与所述芯片电连接；塑封...
    2025-10-14
  • 集成电路芯片上制作电感的方法及电感增加结构
    集成电路芯片上制作电感的方法及电感增加结构_上海聚跃检测技术有限公司_202510871583.3
    本发明公开了一种集成电路芯片上制作电感的方法及由此制成的集成电路芯片的电感增加结构，集成电路芯片上制作电感的方法用于在集成电路芯片的目标金属层之间增加电感，所述方法包括：在集成电路芯片中定位出需要增加电感的目标金属层，所述目标金属层包括第一...
    2025-10-14
  • 半导体结构及半导体结构的制作方法
    半导体结构及半导体结构的制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510875728.7
    本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，半导体结构包括衬底、堆叠结构、多个支撑柱和多个导电插塞，堆叠结构和多个支撑柱设置于衬底的顶面，支撑柱与衬底连接为一体，导电插塞与支撑柱一一对应并位于支撑柱的上方。其中，每个支撑柱的高度不同，...
    2025-10-14
  • 一种半导体结构的制作方法及半导体结构
    一种半导体结构的制作方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202510875715.X
    本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体制作领域，半导体结构的制作方法包括：于第一隔离层上形成若干间隔设置的电容模块；去除部分第一隔离层，以在第一隔离层上与电容模块之间的间隔空间对应的位置形成隔离凹槽，第一表面经隔离凹槽露...
    2025-10-14
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