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  • 本申请公开了正极活性材料及其制备方法、正极极片、钠离子电池。正极活性材料包括:内核,碳包覆层,所述碳包覆层位于所述内核的至少部分表面;所述正极活性材料的等效粒径D为0.78μm‑2.04μm,D=6/(S×T),其中,S为所述正极活性材料的...
  • 本申请涉及通过溶胶凝胶法掺杂提高其稳定性的焦磷酸铁钠复合材料,采用溶胶凝胶法制备了一系列掺杂的复合正极材料。所述复合正极材料包括为Na2Fe1‑xAxP2
  • 本发明提供了一种层状多孔铋碳复合材料、电池负极极片及其制备方法和应用,属于电池储能技术领域。材料包括片状碳层无序叠加而成的碳层框架,纳米铋颗粒嵌入片状碳层中并外凸,片状碳层的厚度为10~30nm,纳米铋颗粒的直径为10~25nm。制备方法包...
  • 本发明提供一种高容量高循环负极材料及其制备方法和应用,属于负极材料领域。本发明通过利用金属离子与2‑甲基咪唑的配位作用形成多孔骨架,经热处理和引入三聚氰胺进行氮掺杂,生成富氮的氮化碳,提供高比表面积和活性位点以优化锂离子存储与扩散性能;进一...
  • 本发明属于负极材料制备领域,提供了一种高倍率压实负极材料及其制备方法。首先,以硝酸钴和2‑甲基咪唑为前驱体合成ZIF‑67,通过溶胶‑凝胶法引入四乙氧基硅烷和钛酸四丁酯进行改性,获得前驱体粉末,随后将该前驱体在管式炉中分阶段升温,在混合气体...
  • 本发明提供了一种含氮修饰层的硅基负极及其制备方法、锂离子电池,属于锂离子电池领域。本发明提供了一种含氮修饰层的硅基负极,包括表面含氧元素的硅基颗粒和包覆于所述硅基颗粒表面的氮修饰层;所述氮修饰层中的氮元素与氧元素通过化学键连接;所述氮修饰层...
  • 本发明公开了一种具有界面改性层的锂金属负极及其制备方法和应用,属于锂离子电池技术领域。锂金属负极由锂片及其表面的2‑丙烯酰胺‑2‑甲基丙磺酸锂构成,该锂金属负极用于液态锂离子电池可以改善锂离子电池的库伦效率和循环寿命。
  • 本申请属于电池制备技术领域,具体涉及一种负极极片、电池。负极极片包括负极集流体和设置在所述负极集流体至少一侧表面的负极活性物质层;所述负极活性物质层包括负极活性物质和第一粘结剂;所述负极活性物质层包括负极活性物质颗粒,所述第一粘结剂包括颗粒...
  • 本发明提供一种电迁移测试结构及测试方法,电迁移测试结构包括:测试金属线;以及围绕测试金属线设置的温度调控单元;温度调控单元包括多个依次连接的温度调控子单元;温度调控子单元中设有第一多晶硅层和第二多晶硅层,第一多晶硅层和第二多晶硅层分别与测试...
  • 本发明提供一种互连结构、功率模块以及制备方法,涉及芯片焊接技术领域,互连结构为金属材料制成的桥型结构,互连结构包括至少两个焊脚,焊脚的顶端通过连接体连接,焊脚之间具有绝缘通道,焊脚的下表面以及连接体的上表面均为平面,且焊脚的下表面与连接体的...
  • 本发明提供一种具有翅片的液冷板,具有翅片的液冷板包括:顶板,顶板包括相背的第一表面和第二表面,第一表面形成有供冷却液流动的多组波浪形凹槽,每组波浪形凹槽包括多个间隔开设置的波浪形凹槽,顶板的第二表面用于连接多个芯片,多个芯片与多组波浪形凹槽...
  • 本发明提供一种具有波浪形凹槽的散热器,具有波浪形凹槽的散热器包括:基板,基板的上表面形成有多个沿着第一方向间隔开设置且沿着第二方向延伸的波浪形凹槽,基板形成有与波浪形凹槽连通的进液孔和出液孔,冷却液能够从进液孔进入波浪形凹槽,且从出液孔流出...
  • 本申请公开一种焊盘阵列封装结构及其制造工艺,涉及器件封装技术领域。封装结构,包括:第一基板、第二基板、器件核心、封装外壳、第一焊盘阵列以及第二焊盘阵列;第一基板的底部设置于封装外壳的底部内表面,第一焊盘阵列设置于封装外壳的底部外表面,器件核...
  • 本发明提供了一种金属互连结构的制备方法及半导体器件,制备方法包括如下步骤:提供一衬底,衬底包括基底、基底上的半导体层、半导体层中形成的多个接触孔以及与接触孔内的第一导电介质;在衬底的表面依次形成刻蚀停止层、牺牲层以及金属间介质层;刻蚀衬底形...
  • 本发明提供一种键合片的处理方法及键合片,所述处理方法包括:提供键合片,所述键合片包括支撑衬底、器件层和埋氧层,所述埋氧层将所述支撑衬底和所述器件层隔离开来,所述支撑衬底的背面形成有氧化层;对键合片执行研磨工艺;以及,对所述键合片进行热氧化处...
  • 本发明公开了一种键合工艺方法,包括:将第一晶圆放置在键合设备的顶部真空吸盘上,顶部真空吸盘上包括多圈真空吸孔,将顶部真空吸盘的外圈真空吸孔的真空度设置为大于内圈真空吸孔的真空度,以保证第一晶圆的中心内圈呈下沉的形态。进行键合,在键合时,中心...
  • 本发明公开了一种浸润式光刻机CTC晶圆自动更换方法,包括:提供装有新CTC晶圆的FOUP,通过EAP进行下货作业。track机台对新CTC晶圆进行HMDS预处理作业。新CTC晶圆从track机台传送到浸润式光刻机并通过第一指令进行CTC晶圆...
  • 本发明提供了一种晶圆扩膜装置及晶圆测试设备,涉及晶圆测试技术领域。本发明中在晶圆扩膜装置的结构上新增了卡扣结构,每个卡扣结构具有与第二承载台可转动连接的卡接板,卡接板具有与被测晶圆分离的自由状态以及与被测晶圆的钢环卡接的卡接状态,卡接板设置...
  • 本发明提供了一种晶圆缺陷检测方法和装置,涉及半导体技术领域,所述晶圆缺陷检测方法,包括:对晶圆进行激光扫描,得到所述晶圆上缺陷的第一位置信息和第一尺寸信息;根据所述第一位置信息和所述第一尺寸信息,利用光学显微镜对所述晶圆进行光学扫描以及利用...
  • 本发明提供一种直接混合键合方法,在电子元件的衬底之上的电介质层中形成第一开口以定义出功能键合键合图形,功能键合图形具有不同的尺寸;以及在电介质层中第一开口周围的空白区域上形成第二开口以定义出伪键合图形,每个第二开口从俯视角度观察,第二开口的...
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