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异质结电池及其制备方法
本申请涉及一种异质结电池及其制备方法。所述异质结电池,包括:电池片;丝印栅线,丝印栅线设置于电池片的表面,丝印栅线包括铜栅线和复合栅线,复合栅线呈导电抗氧化层包覆铜结构;透明导电层,透明导电层至少覆盖铜栅线,且透明导电层未覆盖复合栅线。本申...
一种柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池
本申请属于柔性透明薄膜电极技术领域,尤其涉及一种柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池;本申请提供的一种柔性氧化铟锡薄膜电极,在对PET等基底预处理覆盖丙烯酸树脂硬质涂层并沉积SiO2过渡层等工艺之后,通过交替的射频磁控溅射和直流脉...
一种高性能柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池
本申请属于柔性透明薄膜电极技术领域,尤其涉及一种高性能柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池;本申请提供的一种高性能柔性氧化铟锡薄膜电极,在对PET等基底预处理覆盖丙烯酸树脂硬质涂层并沉积SiO2‑Al2O3复合过渡层等工艺之后,通...
太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件
本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件,太阳能电池包括电池片及设置于所述电池片表面的隔离层,所述隔离层的制备原料包括如下质量含量的组分:乙烯基封端聚硅氧烷,60‑80%;含氢硅油,10‑20%;催化...
多传感器融合结构及其制备方法
本发明涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种多传感器融合结构及其制备方法,制备方法包括:在基板的一侧表面固定图像传感器和激光雷达芯片,图像传感器背离基板的一侧和激光雷达芯片背离基板的一侧均设置有第一电连接件;在基板的一侧表面形成第一封装层,第...
一种硅光芯片及其制造方法
本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法,通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体;在第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体上按预设顺序依次设置多层图形化的介质层;将第一硅光芯片预制体与第二硅光芯片预制体对接并键...
一种硅光芯片及其制造方法
本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法,通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体;在第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体上按预设顺序依次设置多层介质层;在介质层所在的表面对第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制...
一种硅光芯片及其制造方法
本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法,通过准备第一硅光芯片预制体、第二硅光芯片预制体及至少一个后装硅光芯片预制体;将第一硅光芯片预制体与第二硅光芯片预制体对接并键合,得到键合预制体;在键合预制体的至少一侧表面,键合...
一种硅光芯片及其制造方法
本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法,通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体;在介质层所在的表面对第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体进行图形化刻蚀,得到透光凹槽;将第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体...
一种光敏电子器件及其封装方法
本发明公开了一种光敏电子器件及其封装方法,属于电子元件技术领域。该光敏电子器件包括芯片主体、电极支架及外层保护壳;芯片主体为光敏电阻芯片,两端设电极圆孔,第一面设电阻线;电极支架的插端插入电极圆孔,间隙通过银浆填充固化实现电连接,插端设为锥...
封装前板及其制备方法、光伏组件
本申请提出了一种封装前板及其制备方法、光伏组件。该封装前板包括:本体,本体为透明结构;辐射冷却层,设置在本体的一侧表面,辐射冷却层具有透光性,且辐射冷却层远离本体的一面具有仿荷叶表面的微纳结构。辐射冷却层能够通过向外部空间辐射热量,从而有效...
背接触电池及其制备方法
本发明提供一种背接触电池及其制备方法,背接触电池的背面具有多个P区域和多个N区域,多个P区域和多个N区域沿第一方向交替间隔分布,相邻的P区域与N区域之间具有沿第二方向延伸的隔离结构,背接触电池的背面设置有陷光结构,陷光结构位于隔离结构的外侧...
光伏电池、光伏组件及其制备方法
本申请提供了一种光伏电池、光伏组件及其制备方法,基底具有相背的第一表面和第二表面,基底的第二表面具有至少一个第一区域,隧穿层设置于第一区域,第一掺杂半导体层设置于隧穿层的背离基底一侧的表面;第一掺杂半导体层的背离基底一侧的表面设置为纹理结构...
LED芯片封装方法
本发明涉及一种LED芯片封装方法。该LED芯片封装方法包括:提供一基板,基板上阵列设置有多颗Micro‑LED芯片;涂布疏水性增粘剂于Micro‑LED芯片上;去除Micro‑LED芯片的表面的疏水性增粘剂,保留Micro‑LED芯片的侧壁...
键合层与发光基板的制作方法
本申请涉及一种键合层与发光基板的制作方法,键合层的制作方法包括:提供衬底和基底膜;在所述衬底的一侧形成图案化的掩膜层,所述掩膜层上设有多个孔,沿所述掩膜层的厚度方向,所述孔贯穿所述掩膜层;其中所述孔为阶梯孔或所述孔的侧壁具有台阶;将所述图案...
高可靠性的垂直LED芯片及其制备方法
本发明涉及光电子制造技术领域,具体公开了一种高可靠性的垂直LED芯片及其制备方法。垂直LED芯片的制备方法包括:在衬底上依次形成N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流阻挡层、复合反射层、绝缘层、N型导电反射层和金属键合层,然后与导电基...
发光芯片及其制备方法
本发明实施例公开了一种发光芯片及其制备方法,对第一绝缘介质层远离衬底的一侧和刻蚀凹槽远离衬底一侧的第二绝缘介质层进行刻蚀,刻蚀过程中,发光单元侧壁消耗介质的速率与刻蚀凹槽底面消耗介质速率不同,使得刻蚀完成后,至少暴露刻蚀凹槽底面的第一半导体...
一种芯片亮度均匀性提升方法、及LED
本发明提供一种芯片亮度均匀性提升方法、及LED,该方法包括如下步骤:提供一LED芯片,将所述LED芯片置于积分球中;由小至大逐渐更换所述积分球的口径光圈,并在不同的口径光圈下、测量所述LED芯片的每个区域的光通量和标准芯片光通量的差异值;预...
载具工装
本发明公开了一种载具工装,涉及加工工装技术领域,其中,所述载具工装包括底板、压盖及多个下压机构,所述底板设有多个放置位,每一所述放置位用于放置一工件;所述压盖可拆卸连接于所述底板设置所述放置位的一侧,所述压盖具有多个第一安装位,每一所述第一...
一种复合图形衬底的制备方法、复合图形衬底及LED芯片
本发明提供了复合图形衬底的制备方法、复合图形衬底及LED芯片,该方法包括:在蓝宝石衬底表面形成多个孔洞,进行涂胶、曝光、显影处理,得到预设图形;在衬底上沉积SiOF层;通过热处理去除SiOF层的下方的预设图形,形成空腔;通过纳米压印技术在衬...
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