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  • 本发明涉及超快激光和光量子领域,提供了一种基于9字腔的稳定重复频率全保偏锁模光纤激光器及控制方法。激光器包括,光路系统和检测反馈系统;光路系统由976nm半导体单模泵浦源、保偏光纤波分复用器、保偏掺铒光纤、非互易性相移器、两种端口的保偏光纤...
  • 本发明公开一种基于三掺稀土离子的双波长微球激光器及其制备方法,所述基于三掺稀土离子的双波长微球激光器包括,石英光纤,所述石英光纤的中部设置有锥区;泵浦光源,设置在所述石英光纤的一端;铒钬镱三掺碲酸盐玻璃微球,置于所述锥区;所述泵浦光源发出的...
  • 本申请的实施例提供了一种激光器驱动电路、光学系统以及激光雷达,涉及光学感知技术领域,该激光器驱动电路中的环路参数可以根据光学误差电压信号而更新,这样可以降低锁相时间,提升激光器输出的激光的线性度。激光器驱动电路中,光学组件将部分激光自延迟干...
  • 本发明公开了一种多参数同步监测型可调谐激光光源,本发明涉及可调谐激光器技术领域,包括可调谐激光器、光栅单色仪、光电探测器、数据采集系统、数据通讯系统和控制处理主机;所述可调谐激光器包括可调谐激光器本体、分光镜、机械调谐机构、温度检测机构、温...
  • 本发明提供一种基于回音壁模式晶体微腔的激光锁定系统及方法,应用于激光光源技术领域,其中,上述系统包括:激光源,用于产生初始激光输出;光子锁定模块,与激光源光学连接,用于将初始激光输出的频率锁定到回音壁模式晶体微腔的腔体谐振模式上,得到窄线宽...
  • 一种光源模块,具有:第1半导体激光模块,具有被气密密封的第1半导体激光元件;第1激光束用的光学元件,供从第1半导体激光元件射出的第1激光束入射;第1激光束用的其他光学元件,供透过了第1激光束用的光学元件的第1激光束入射;第2半导体激光模块,...
  • 一种光源模块,具有半导体激光模块,该半导体激光模块具有被气密密封的第1半导体激光元件、以及供第1激光束入射的镜元件,半导体激光模块具有:透光窗,供第1激光束通过,并将第1激光束取出到半导体激光模块的外部;封装体,具备底部及中央设置有第1开口...
  • 本发明公开了一种激光器泵浦贴片设备及贴片控制方法,涉及激光器泵浦封装技术领域,其中,一种激光器泵浦贴片设备,用以将激光器芯片贴设于泵浦底座上,所述激光器泵浦贴片设备包括:机台;吸附部,活动安装于所述机台,用于取放激光器芯片;上测距仪和下测距...
  • 本发明公开了一种基于双枢轴联动的宽调谐外腔半导体激光器。所述激光器包括激光二极管、准直透镜、双枢轴联动机构、精密位移机构、相互垂直设置的第一导轨和第二导轨。双枢轴联动机构包含刚性支杆、安装部、固定于支杆B端且其衍射表面位于BO连线上的衍射光...
  • 本申请涉及一种激光器。激光器包括基板、至少一个管壳、多个发光芯片和至少一个透光密封件,管壳的材质与基板的材质不同,管壳具有轴向相对设置的第一端和第二端,第一端与基板固定连接,管壳与基板围合形成容置空间;发光芯片位于容置空间内且贴装于基板的表...
  • 本发明涉及光通信技术领域,具体涉及一种泵浦激光器。该泵浦激光器包括:基板,以及设置在所述基板上的泵浦激光器芯片、监控二极管探测器和光纤垫块,所述光纤垫块位于所述泵浦激光器芯片的光信号输出端,所述监控二极管探测器位于所述泵浦激光器芯片的背光输...
  • 本发明提出了一种外腔半导体激光器模块波长及功率补偿及校准的方法,包括:在工作电流下寻找跳模点,标定跳模点对应的单模区间的中心点为最佳的工作温度;测量激光器的输出功率作为标定功率、测量激光器的波长作为标定波长;在环境温度区间中设置环境温度,分...
  • 本申请涉及半导体激光器技术领域,特别涉及一种基于光栅宽度调制的双波长半导体激光器及制备方法,该激光器包括:脊波导和设置于其上的表面光栅;表面光栅具有单一的固定周期;激光器沿腔长方向包括第一激射区域和第二激射区域,第一激射区域的光栅宽度与第二...
  • 本申请涉及半导体激光器技术领域,特别涉及一种基于光栅反馈的双波长窄线宽外腔半导体激光器,包括:第一光路和第二光路;第一光路上设有第一激光器、第一准直透镜、第一闪耀光栅和第一反射镜;第二光路上有第二激光器、第二准直透镜、第二闪耀光栅和第二反射...
  • 本发明公开了一种激光器结构及制备工艺,激光器结构包括:量子点结构,设于衬底中,所述量子点结构包括分布于其中的多个量子点,所述量子点结构的表面自所述衬底的表面露出;半导体功能层,设于所述衬底的表面上,并将所述量子点结构的表面覆盖;光子晶体,设...
  • 本发明涉及发光装置、测距装置以及可移动体。包括间隔部,该间隔部包括设置在作为背面电极的第一电极与谐振器部之间的可饱和吸收层。间隔部具有相对于可饱和吸收层设置在第一侧的第一间隔层和相对于可饱和吸收层设置在第二侧的第二间隔层。第一间隔层和第二间...
  • 本申请涉及半导体激光器技术领域,特别涉及一种损耗增强超对称结构的半导体激光器及其制备方法,该激光器包括:设置在外延结构上的主增益波导和损耗波导阵列;损耗波导阵列位于主增益波导的旁侧;损耗波导阵列包括若干个损耗波导,且主增益波导与损耗波导之间...
  • 本发明公开了一种基于半波耦合V型腔的可调谐半导体光放大器及其工作方法,包括衬底、外延结构以及V型谐振腔。V型谐振腔由光学长度不同的两个FP腔和半波耦合器构成;两个FP腔经电隔离区与半波耦合器隔离,各设独立电极。方法包括:为耦合器电极施加偏置...
  • 本发明公开了一种激光器结构及制备方法,激光器结构包括:衬底;十字微桥结构,其通过四个桥端悬设于所述衬底表面具有的空腔上;多量子阱层,设于所述十字微桥结构上,所述多量子阱层包括沿远离所述衬底方向交替设置的势垒层和势阱层;光子晶体,至少设于所述...
  • 本发明涉及一种提高腔面COD阈值的半导体激光器芯片及其制备方法,属于半导体激光器芯片技术领域,解决导体激光器芯片可靠性低的技术问题,其半导体激光器芯片包括位于N型波导层两侧的第一层N型光场调控层、第二层N型光场调控层。光场分散分布在第一层N...
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