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最新专利技术
  • 用于磁存储设备的具有变化厚度的负载梁
    用于磁存储设备的具有变化厚度的负载梁_西部数据技术公司_202510789246.X
    本公开的示例包括用于磁存储设备的悬架组件。该悬架组件包括负载梁和挠曲件。该负载梁包括挠曲件侧和与该挠曲件侧相对的基板侧。该负载梁还包括形成于该挠曲件侧中的凹部。该挠曲件至少部分地在该凹部内附接到该负载梁的该挠曲件侧。
    2026-05-06
  • 负载梁精细致动器保护特征
    负载梁精细致动器保护特征_西部数据技术公司_202510791264.1
    一种诸如用于硬盘驱动器(HDD)的磁头万向节组件(HGA)包括：负载梁，该负载梁被形成为具有穿过其的近侧开口；和挠曲部，该挠曲部与该负载梁联接，其中该挠曲部包括舌部部分，精细致动器联接到该舌部部分，并且该舌部部分包括在该精细致动器近侧的拐角...
    2026-05-06
  • 用于磁存储设备的具有变化厚度的挠曲件
    用于磁存储设备的具有变化厚度的挠曲件_西部数据技术公司_202510825100.6
    本公开涉及用于磁存储设备的具有变化厚度的挠曲件。本公开的示例包括用于磁存储设备的磁头万向架组件。该磁头万向架组件包括负载梁、读写磁头和致动器，该致动器被配置为使该读写磁头移动。该磁头万向架组件包括附接到该致动器的挠曲件。该挠曲件包括：致动器...
    2026-05-06
  • 磁带、磁带盒及磁带装置
    磁带、磁带盒及磁带装置_富士胶片株式会社_202511326802.6
    本发明的课题在于，提供一种在低温高湿环境下倾斜磁头来进行记录和/或播放时的走带稳定性优异的磁带。一种磁带，其在温度15℃、相对湿度80％的环境下以磁头倾斜角度15°相对于LTO8磁头往复滑动500次之前的磁性层的表面上在3μm×3μm的测定...
    2026-05-06
  • 一种磁带驱动器、磁带机及存储系统
    一种磁带驱动器、磁带机及存储系统_华为技术有限公司_202411659025.2
    本申请涉及磁带机技术领域，尤其涉及一种磁带驱动器、磁带机及存储系统，该磁带驱动器包括读头、模拟均衡电路和数字处理芯片；读头与模拟均衡电路耦合，模拟均衡电路与数字处理芯片耦合，模拟均衡电路包括有源滤波器；其中，读头，用于从磁带机的磁带中读取出...
    2026-05-06
  • 一种SSD固态硬盘控温方法、装置、电子设备及存储介质
    一种SSD固态硬盘控温方法、装置、电子设备及存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511902860.9
    本发明实施例公开了一种SSD固态硬盘控温方法、装置、电子设备及存储介质，涉及固态硬盘管理技术领域，其中，所述方法包括：按预设周期实时采集并更新NAND颗粒温度。根据应用场景设定低温锁盘、低温解锁、高温限流、高温解锁及高温锁盘等温度阈值。当温...
    2026-05-06
  • 静态随机存取存储器以及其制作方法
    静态随机存取存储器以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411421146.3
    本发明提供一种静态随机存取存储器以及其制作方法。该静态随机存取存储器至少包含一第一上拉晶体管(PU1)、一第一下拉晶体管(PD1)、一第二上拉晶体管(PU2)与一第二下拉晶体管(PD2)、一第一读取晶体管(RPD)与一第二读取晶体管(RPG...
    2026-05-06
  • 半导体器件及其操作方法、系统
    半导体器件及其操作方法、系统_长江存储控股股份有限公司_202411295403.3
    本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统，所述半导体器件包括存储阵列和位线层，存储阵列包括至少一个存储块，所述存储块包括在第一方向上设置的多个存储串列，每个所述存储串列包括在垂直于所述第一方向的第二方向上设置的多个存储串，每个存储串包括...
    2026-05-06
  • 存储器装置
    存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510144629.1
    一种存储器装置包括串、电压生成电路、解码器和控制逻辑。串包括联接到至少一条漏极选择线的至少一个漏极选择晶体管。电压生成电路生成至少一个操作电压。解码器将至少一个操作电压传送到至少一条全局漏极选择线，并且将至少一条全局漏极选择线与至少一条漏极...
    2026-05-06
  • 存储器、读取方法及电子设备
    存储器、读取方法及电子设备_北京超弦存储器研究院_202411338123.6
    本申请提供一种存储器、读取方法及电子设备，包括与存储单元连接的第一位线、第二位线和感应放大器，第一位线上施加读取电压时存储单元通过第二位线输出读取电流；感应放大器的第一输入端接收第二位线上的读取电流，第二输入端接收参考电流，基于读取电流和参...
    2026-05-06
  • 存储器及其中的读取电路
    存储器及其中的读取电路_兆易创新科技集团股份有限公司_202411339523.9
    本公开涉及一种用于存储器的读取电路，其包括：感测模块，包括第一电容、第二电容和放电开关，其中所述第一电容的上极板耦接到所述放电开关的第一端，所述第二电容的上极板耦接到所述放电开关的第二端，所述感测模块被配置为在感测过程中将所述第一电容的上极...
    2026-05-06
  • 记忆体电路及其操作方法
    记忆体电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510886979.5
    一种记忆体电路及其操作方法，记忆体电路可包含以下中的至少一者：第一记忆体分区、第一局部输入/输出(I/O)电路、第二记忆体分区、第二局部I/O电路、全域I/O电路、第一局部闩锁电路及第二局部闩锁电路。第一记忆体分区可包括第一记忆体阵列。第二...
    2026-05-06
  • 具有非放电读取的非易失性存储器
    具有非放电读取的非易失性存储器_桑迪士克科技股份有限公司_202510464160.X
    一种非易失性存储装置在针对同一裸片的一个或多个块的一个或多个区中的非易失性存储器单元执行读取过程时将多个块中的多个区的未选择的字线连续地维持在一个或多个过驱动电压并且将多个块中的多个区的未选择的选择线连续地维持在一个或多个未选择的电压，而不...
    2026-05-06
  • 一种存储器及其访问控制方法、电子设备
    一种存储器及其访问控制方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411337486.8
    一种存储器及其访问控制方法、电子设备，存储器包括：在衬底上沿平行于衬底方向分布的多个存储阵列、多个第一字线选通子电路、多条第一字线选通控制线；存储阵列包括多层存储单元阵列和多条公共字线，存储单元阵列包括多条平行延伸的字线，公共字线连接至少一...
    2026-05-06
  • 存储阵列及存内计算方法
    存储阵列及存内计算方法_青岛海存微电子有限公司_202511891447.7
    本申请实施例提供一种存储阵列及存内计算方法，存储阵列包括：多列存储单元，每列存储单元中包括输入单元、中间结果单元和输出单元；输入单元用于存储存内计算的输入数据，中间结果单元用于存储对输入数据进行计算得到的中间结果数据，输出单元用于存储对输入...
    2026-05-06
  • 半导体设备
    半导体设备_三星电子株式会社_202511354576.2
    一种半导体设备包括连接到字线、位线和板线的存储器单元组，每个存储器单元组包括第一和第二开关元件以及连接到第一开关元件并包括铁电层的电容器，第二开关元件连接在第一开关元件和电容器之间的第一节点和供应预定电压的第二节点之间。在存储器单元组中的每...
    2026-05-06
  • 嵌入式存储器中面积和功率有效的部分字特征
    嵌入式存储器中面积和功率有效的部分字特征_意法半导体国际公司_202511342093.0
    本公开涉及嵌入式存储器中面积和功率有效的部分字特征。一种具有增强的灵活性和功率有效的静态随机存取存储器(SRAM)装置包括具有不同位宽的两个存储器核心和接收部分字信号的控制部分。该信号允许独立控制每个存储器核心，有选择地启用或禁用它们。该S...
    2026-05-06
  • 半导体集成电路
    半导体集成电路_株式会社东芝_202511031486.X
    本发明的实施方式提供一种能够在使用电荷共享来控制电位电平的半导体集成电路中抑制读出电流的偏差的半导体集成电路。实施方式的半导体集成电路使用电荷共享来控制电位电平，其中，使用在多个电路块与全局电路块之间通过所述电荷共享而被进行了控制的电位电平...
    2026-05-06
  • 存储器装置、存储器控制电路以及读取方法
    存储器装置、存储器控制电路以及读取方法_瑞昱半导体股份有限公司_202411321611.6
    本发明提供一种存储器装置包括一存储器单元阵列以及一存储器控制电路。存储器单元阵列耦接多条位线以及多条互补位线。存储器控制电路包括一驱动电路、一跟踪电路以及一感测电路。驱动电路用于传送一字线信号至存储器单元阵列且包括一辅助电路。跟踪电路用于依...
    2026-05-06
  • 电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程
    电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程_威比特纳米有限公司_202511345746.0
    电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程。一种对电阻式随机存取存储器(MEM)的存储器元件(Stck)部分的高电阻状态进行编程的方法(100)，该方法(100)包括：写入存储器元件(Stck)的高电阻状态的初始步骤(S110)；以及在写入高...
    2026-05-06
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