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最新专利技术
  • 具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的电子部件
    具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的电子部件_英飞凌科技股份有限公司_202511286979.8
    提供一种具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的的电子部件。电子部件(100)包括：半导体主体(102)；半导体主体(102)中的有源区(104)；布置在有源区(104)上或上方并且包括堆叠体(108)的至少一个金属化结构(...
    2026-04-09
  • 交错盲孔阵列结构铜热沉的实现方法
    交错盲孔阵列结构铜热沉的实现方法_上海交通大学_202511898218.8
    一种交错盲孔阵列结构铜热沉的实现方法，通过在包含半导体芯片的封装体顶部设置厚度为封装体厚度的0.03‑0.5倍的铜制带盲孔阵列的热沉；本发明通过交错盲孔阵列结构的Cu板作为热沉，增大QFN与空气之间热交换的比表面积，从而有效降低封装体的温度...
    2026-04-09
  • 具有辅助散热结构的芯片封装体及芯片封装方法
    具有辅助散热结构的芯片封装体及芯片封装方法_广东芯成汉奇半导体技术有限公司_202511740900.4
    本发明公开一种具有辅助散热结构的芯片封装体及芯片封装方法，具有辅助散热结构的芯片封装体包括：载体，所述载体上设有芯片；封装胶，设置于所述载体上且包覆所述芯片；散热结构，散热结构设置于所述封装胶内，且用于对所述封装胶散热，所述散热结构自所述封...
    2026-04-09
  • 一种高性能芯片的散热功能结构及制备方法
    一种高性能芯片的散热功能结构及制备方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511786907.X
    本发明公开了一种高性能芯片的散热功能结构及制备方法，属于半导体封装技术领域，该结构创新性地集成了水平与垂直双向散热路径；水平散热路径由内置于多个散热器件中的蛇形微流道冷却通道构成，通过外接泵驱动冷却液以0.1‑1 ml/min的流速循环，将...
    2026-04-09
  • 具有双散热板的半导体封装组件
    具有双散热板的半导体封装组件_星科金朋私人有限公司_202411293279.7
    一种半导体封装组件包括：第一半导体封装，以及从其前表面露出的第一半导体元件和第一组导电图案；经由一组互连结构安装在第一半导体封装前表面上的中介层，其中所述中介层在其后表面处包括第二组导电图案，第二组导电图案与所述第一组导电图案对准以通过所述...
    2026-04-09
  • 半导体封装
    半导体封装_安世有限公司_202511327362.6
    提出了一种封装的半导体封装，所述封装的半导体封装至少包括：引线框架，所述引线框架由导电金属材料以及至少两个端子制成；至少一个半导体管芯结构，所述至少一个半导体管芯结构具有第一管芯侧、和与所述第一管芯侧相对的第二管芯侧，并且其第二管芯侧安装在...
    2026-04-09
  • 一种高效晶圆液冷散热装置
    一种高效晶圆液冷散热装置_广州致一电子有限公司_202511638287.5
    本发明属于晶圆散热技术领域，公开了一种高效晶圆液冷散热装置，包括晶圆散热架组件，所述晶圆散热架组件上设置有对晶圆进行接触导热的晶圆导热组件，且晶圆散热架组件上滑动设置有液冷散热架组件，所述液冷散热架组件上设置有对晶圆进行动态自调整散热的多组...
    2026-04-09
  • 晶圆结构
    晶圆结构_荣成歌尔科技有限公司_202511783253.5
    本公开实施例公开了一种晶圆结构，晶圆结构包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面为晶圆结构的相对两个表面，第一表面上具有第一凹槽和第一凸起中的至少一个，第一凹槽自第一表面朝向第二表面内凹形成，第一凸起自第一表面背离第二表面外凸形成，且第一...
    2026-04-09
  • 一种双面冷却QFN封装结构及形成方法
    一种双面冷却QFN封装结构及形成方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511915534.1
    本发明属于半导体封装技术领域，公开了一种双面冷却QFN封装结构及其形成方法。该结构包括封装基体、芯片、金属引线和模塑封装体，其中封装基体具有安装区域和两侧的多层凹陷区域，安装区域上表面和凹陷区域表面局部镀有银层；芯片固定于安装区域上表面，并...
    2026-04-09
  • 一种新型可自选铜底板的功率模块封装结构
    一种新型可自选铜底板的功率模块封装结构_矽迪半导体(苏州)有限公司_202512012454.1
    本发明公开了一种新型可自选铜底板的功率模块封装结构，其特征在于，包括：所述铜组件包括陶瓷基板和可选的铜底板，所述陶瓷基板的上表面和下表面分别设有上覆铜层和下覆铜层；当所述铜组件包含所述铜底板时，所述散热器的上表面向下凹陷形成一容置槽，所述铜...
    2026-04-09
  • 功率半导体嵌入覆铜高导热绝缘材料的一体化封装模块
    功率半导体嵌入覆铜高导热绝缘材料的一体化封装模块_深圳市海盛瑞科技有限公司_202511794844.2
    本发明公开一种功率半导体嵌入覆铜高导热绝缘材料的一体化封装模块，其包括绝缘基材，绝缘基材内部嵌入芯片和高导热绝缘层；绝缘基材的顶面设置第二覆铜线路，以及与第二覆铜导线电连接的过电导孔；高导热绝缘层顶面上设置第一覆铜线路，所述过电导孔与第一覆...
    2026-04-09
  • 一种高散热半导体封装管座
    一种高散热半导体封装管座_中电科芯片技术(集团)有限公司_202610012674.6
    本发明公开一种高散热半导体封装管座，属于电子器件封装技术领域，旨在解决现有TO封装管座无法同时兼顾高散热与可靠气密性的技术问题。该管座包括以铜为主要成分的装置体和以铁为主要成分的基体，基体上设有上下贯穿的连通槽及内置台阶，装置体的凸起穿过连...
    2026-04-09
  • 具有复数功率半导体元件的双面水冷式功率模块
    具有复数功率半导体元件的双面水冷式功率模块_达信绿能科技股份有限公司_202411205822.3
    本发明公开了一种具有复数功率半导体元件的双面水冷式功率模块，主要包括 : 水密外壳及功率元件封装，功率元件封装主要包括 : 下侧陶瓷主板、功率半导体元件、铜质马鞍状上导柱、上侧陶瓷盖板、分流支撑柱及树脂绝缘封装，其中功率半导体元件的底面电极...
    2026-04-09
  • 供双面水冷式功率模块用的复数功率半导体元件封装
    供双面水冷式功率模块用的复数功率半导体元件封装_王国权_202411205823.8
    本发明公开了一种供双面水冷式功率模块用的复数功率半导体元件封装，双面水冷式功率模块主要由散热外壳及功率半导体元件封装构成，其中散热外壳包括上导热罩和下导热罩且分别形成有液体冷却管，而功率半导体元件封装由陶瓷主板、上铜导柱、陶瓷盖板、分流柱及...
    2026-04-09
  • 具有液体反冲洗回路的板式热交换器
    具有液体反冲洗回路的板式热交换器_维谛公司_202511353529.6
    本发明涉及具有液体反冲洗回路的板式热交换器。在本实施方式中，热冷却系统可以包括液体冷却回路、热交换器和液体冲洗回路。液体冷却回路可以构造成输送冷却流体通过其中。热交换器可以与液体冷却回路流体联接。液体冲洗回路可以与液体冷却回路流体联接，并且...
    2026-04-09
  • 半导体结构及其制备方法、和存储系统
    半导体结构及其制备方法、和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411281569.X
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和存储系统，其中，半导体结构包括第一半导体结构、第二半导体结构、第一互联结构和第二互联结构；第一互联结构位于第一半导体结构沿第一方向的一侧，第一互联结构包括与第一半导体结构连接的第一导...
    2026-04-09
  • 受屏蔽的互连结构及其形成方法、和半导体封装件
    受屏蔽的互连结构及其形成方法、和半导体封装件_JCET星科金朋韩国有限公司_202411291909.7
    本申请涉及形成一种受屏蔽的互连结构、一种用于形成所述受屏蔽的互连结构的方法以及包括所述受屏蔽的互连结构的半导体封装件。所述受屏蔽的互连结构可包括：介电基体，其具有顶表面、底表面和在所述顶表面与所述底表面之间延伸的侧表面；多个导电柱，其延伸穿...
    2026-04-09
  • 隔离器
    隔离器_株式会社东芝_202510026129.8
    实施方式提供能够实现小型化的隔离器。实施方式的隔离器具有基板部、第一芯片和第二芯片。基板部具有绝缘层及一对线圈。一对线圈隔着绝缘层在厚度方向上对置。第一芯片与基板部的一个面对置地配置。第一芯片与一对线圈中的一方连接。所述第二芯片与基板部的另...
    2026-04-09
  • 一种用于WLP Bumping的BSM光刻制程方法
    一种用于WLP Bumping的BSM光刻制程方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511871452.1
    本发明公开了一种用于WLP Bumping的BSM光刻制程方法，在硅晶圆上构建含聚酰亚胺与金属的顶部层结构；玻璃晶圆涂覆临时键合材料后与硅晶圆键合，翻转后研磨减薄硅晶圆背面；经背面硅刻蚀、溅射Ti/Cu形成多层薄膜；通过黄光制程制备光阻层(...
    2026-04-09
  • 多层基板及其制作方法
    多层基板及其制作方法_歌尔微电子股份有限公司_202511791913.4
    本发明公开了一种多层基板及其制作方法，涉及半导体封装技术领域，其中，多层基板的制作方法包括以下步骤：提供第一基板，第一基板包括第一板本体和设置于第一板本体两侧的第一线路层；在每个第一线路层远离第一板本体的一侧设置导电柱；在第一基板的两侧分别...
    2026-04-09
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