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最新专利技术
  • 一种装卸料机分离器控制机柜
    一种装卸料机分离器控制机柜_中核核电运行管理有限公司_202610147356.0
    本发明属于重水堆核电厂燃料操作系统检修技术领域，具体涉及一种装卸料机分离器控制机柜。包括控制柜以及铰接在控制柜的柜门，所述控制柜的一端设有供电机构，控制柜内壁的中部设有分隔板，控制柜的内部通过分隔板形成第一控制腔和第二控制腔，所述第一控制腔...
    2026-03-16
  • 基于人工智能的数据中心高效冷却供能系统及方法
    基于人工智能的数据中心高效冷却供能系统及方法_江苏帕卓管路系统股份有限公司_202610148560.4
    本发明提供一种基于人工智能的数据中心高效冷却供能系统及方法，属于高效冷却供能技术领域。数据采集模块采集数据中心的多维度数据并提取核心特征数据。多目标优化配置模块采用灰狼优化算法设定多目标冷却供能策略，并分解为子目标。智能调控模块基于子目标生...
    2026-03-16
  • 转速调节方法、装置和电子设备
    转速调节方法、装置和电子设备_深圳市万里眼技术有限公司_202610153356.1
    本申请提供一种转速调节方法、装置和电子设备，涉及设备控制领域，该方法包括：识别机框的机框类型；机框包括用于为安装在机框的一个或多个单板降温的多个风扇；基于机框类型和第一映射关系，获取每个单板的每个控温区域与至少一组目标风扇的关联关系；第一映...
    2026-03-16
  • 电磁屏蔽材料、溅射镀膜装置及电磁屏蔽材料的制作方法
    电磁屏蔽材料、溅射镀膜装置及电磁屏蔽材料的制作方法_国网湖北省电力有限公司襄阳供电公司_202511678266.6
    本发明公开一种电磁屏蔽材料、溅射镀膜装置及电磁屏蔽材料的制作方法，其中，所述电磁屏蔽材料包括：基材，所述基材具有面向外部的镀膜面；金属镀膜层，所述金属镀膜层覆盖于所述镀膜面；氧化保护体，所述氧化保护体数量为多个，多个所述氧化保护体分散的排布...
    2026-03-16
  • 一种汞离子微波钟用三维C场屏蔽装置及安装方法
    一种汞离子微波钟用三维C场屏蔽装置及安装方法_北京无线电计量测试研究所_202511717036.6
    本发明公开了一种汞离子微波钟用三维C场及两层磁屏蔽及支撑结构，包括：X轴C场组件、Y轴C场组件、Z轴C场组件、第一层磁屏蔽组件、第二层磁屏蔽组件、固定及支撑组件等。磁屏蔽安装时，先将第一层固定支撑紧固到物理腔体上，然后套上第一层绝缘支撑，从...
    2026-03-16
  • 一种介损磁损可调控电磁屏蔽材料的制备方法及应用
    一种介损磁损可调控电磁屏蔽材料的制备方法及应用_北方华锦化学工业股份有限公司_202511830869.3
    本发明属于电磁材料制备技术领域，具体公开一种介损磁损可调控电磁屏蔽材料的制备方法及应用。本发明通过构造二氧化钛、四氧化三铁与Ti3C2Tx复合，降低了复合物的密度，提升了电磁波在其内部的多重反射，增强了电磁屏蔽效能。二氧化钛有利于调控复合材...
    2026-03-16
  • 一种低频轻型吸波材料及其制备方法
    一种低频轻型吸波材料及其制备方法_北京铧盾玄慈科技有限公司_202511861109.9
    本申请涉及电磁功能材料技术领域，公开了一种低频轻型吸波材料及其制备方法，该吸波材料包括多孔骨架基体、填充并锁定于基体孔隙内的磁性触变凝胶及表面封装层，所述凝胶由氯化胆碱基低共熔溶剂载体与磁性吸收剂制成，不含高分子粘结剂，制备方法涉及将热流态...
    2026-03-16
  • 一种用于高功率发射器的毫米波雷达电磁屏蔽箱装置
    一种用于高功率发射器的毫米波雷达电磁屏蔽箱装置_大连理工大学_202511895014.9
    本发明提供一种用于高功率发射器的毫米波雷达电磁屏蔽箱装置，包括屏蔽罩、屏蔽腔、屏蔽片、散热凸起结构和尖角散热结构，屏蔽腔由上下两层组成，包括相连接的屏蔽腔上壳和屏蔽腔下壳，屏蔽罩设置于屏蔽腔上壳的外侧一面上，屏蔽腔上壳和屏蔽腔下壳的内部构成...
    2026-03-16
  • 可编程逻辑控制器及模块化结构
    可编程逻辑控制器及模块化结构_无锡市同源电气技术有限公司_202512043786.6
    本申请涉及PLC设计技术领域，公开了一种可编程逻辑控制器及模块化结构，所述可编程逻辑控制器包括：CPU主机模块和至少一个扩展模块；通过CPU主机模块与可拆卸扩展模块组合，省去复杂机架，简化整体布局。模块外壳均为铝合金，兼具良好电磁屏蔽性能，...
    2026-03-16
  • 一种具有电磁屏蔽和散热性能的柔性镍箔碳纳米管复合材料
    一种具有电磁屏蔽和散热性能的柔性镍箔碳纳米管复合材料_哈尔滨工业大学_202610001874.1
    本发明属于纳米复合材料领域，公开一种具有良好电磁屏蔽和散热性能的柔性镍箔碳纳米管复合材料。首先以柠檬酸和尿素作为反应物，经交联反应后得到固体碳源；而后通过固态碳源化学气相沉积法在金属镍箔表面生长碳纳米管，所得碳纳米管均匀致密分布在金属镍箔上...
    2026-03-16
  • 一种适用于软硬结合板高Tg点的电磁屏蔽膜
    一种适用于软硬结合板高Tg点的电磁屏蔽膜_山东劲拓新材料科技有限公司_202610072307.5
    本发明提供一种适用于软硬结合板高Tg点的电磁屏蔽膜，该膜的制备工艺如下：具体包括以下步骤：步骤一：保护膜贴合；步骤二：油墨涂布；步骤三：磁控溅射；步骤四：电镀，通过电镀设备对膜体电镀，电镀时采用焦磷酸盐镀铜工艺，根据客户对屏蔽效能的要求镀不...
    2026-03-16
  • 印刷电路板加工用焊接设备
    印刷电路板加工用焊接设备_昆山英业特电子科技有限公司_202511835723.8
    本发明涉及焊接设备技术领域，公开了印刷电路板加工用焊接设备，包括机械臂，两个所述机械臂分别固定连接在底板的顶部前后侧，所述底板的顶部左侧固定连接有多个电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的上侧固定连接有喷头，多个所述转动辊的相邻之间均转动连接有伸缩管...
    2026-03-16
  • 一种焊点自动除杂的电路板贴片机
    一种焊点自动除杂的电路板贴片机_江苏晶威电子科技有限责任公司_202610092997.0
    本发明涉及电路板贴片机技术领域，且公开了一种焊点自动除杂的电路板贴片机，包括机体，所述机体的上表面安装有防护罩，所述防护罩的上表面固定连接有警示灯，所述机体的一侧安装有操作机构，所述机体的上表面设置有贴片组件。本发明中，采用间歇敲击和负压吸...
    2026-03-16
  • 一种SMT贴片生产线的AOI检测设备及方法
    一种SMT贴片生产线的AOI检测设备及方法_创马优科技智造(深圳)有限公司_202511819926.8
    本发明涉及SMT贴片生产设备技术领域，尤其涉及一种SMT贴片生产线的AOI检测设备及方法。其技术方案包括：一种SMT贴片生产线的AOI检测设备，包括：工作台、AOI检测平台，所述AOI检测平台安装于工作台的侧壁上，所述AOI检测平台包括固定...
    2026-03-16
  • 基于数字孪生的SMT产线虚拟调试方法
    基于数字孪生的SMT产线虚拟调试方法_杭州赫迈思科技有限公司_202610139506.3
    本发明涉及智能制造与工业自动化领域，公开了一种基于数字孪生的SMT产线虚拟调试方法。该方法包括：构建融合几何、运动学、动力学、控制逻辑与工艺模型的高保真度数字孪生体；通过多源传感器实时采集物理产线数据并驱动孪生体同步仿真；当检测到异常时，基...
    2026-03-16
  • 静态随机存取存储器
    静态随机存取存储器_清华大学_202511522112.8
    本发明提供一种静态随机存取存储器，包括：依次叠加设置的栅极、第一介质层、沟道层、接触电极、掺杂层、第二介质层、第一互联电极、第三介质层以及第二互联电极；在所述静态随机存取存储器工作时，所述第一互联电极以及所述第二互联电极通过所述第二介质层以...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511618673.8
    描述了半导体结构和制造半导体结构的方法。一种示例性方法包括：接收包括n型晶体管和p型晶体管的中间结构，在n型晶体管和p型晶体管下形成介电结构，形成各自延伸穿过介电结构的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽暴露n型晶体管的源极/漏极部件的底面，第二沟...
    2026-03-16
  • 静态随机存取存储器单元及其制备方法和电子设备
    静态随机存取存储器单元及其制备方法和电子设备_北京知识产权运营管理有限公司_202511729053.1
    本申请提供了一种静态随机存取存储器单元及其制备方法和电子设备，静态随机存取存储器单元包括：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；第一下拉晶体管和第二下拉晶体管；第一传输晶体管和第二传输晶体管；设置在SRAM单元的背面的第一电源轨和第二电源轨；在垂...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411187619.8
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括外围电路层、电源线和第一互连层。外围电路层包括沿第一方向延伸的隔离结构、以及位于相邻的隔离结构之间的晶体管。电源线在外围电路层内沿第一方向延伸并凸出于外围电路层。第一互连层位...
    2026-03-16
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510557357.8
    半导体器件包括：位于衬底上并沿着平行于衬底的上表面的第一方向和垂直于衬底的上表面的第二方向彼此间隔开的多个沟道；多个栅极结构，每个栅极结构在第一方向上延伸，并至少部分地围绕多个沟道的在第一方向上布置的第一子集的一部分，并且沿着第二方向彼此间...
    2026-03-16
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