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最新专利技术
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_厦门乾照光电股份有限公司_202511747791.9
    本申请提供一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片的制作方法对外延叠层进行蚀刻形成切割道包括连续进行的两个阶段，第一阶段以第一光刻胶层作为掩膜，蚀刻硬掩膜裸露部分外延叠层；第二阶段蚀刻裸露的外延叠层直至裸露衬底部分表面形成切割道，蚀刻期间先...
    2026-03-09
  • 一种Mini/Micro LED返修工艺
    一种Mini/Micro LED返修工艺_广东工业大学_202511641337.5
    本发明涉及Mini/Micro LED显示屏技术领域，尤其涉及一种Mini/Micro LED返修工艺。返修设备包括浆料打印装置以及红外激光和紫外激光同轴输出的激光器；浆料打印装置和激光器分别与返修工位的位置相对应；所述返修工艺包括以下步骤...
    2026-03-09
  • 一种LED发光结构的制作方法
    一种LED发光结构的制作方法_广东卓恒半导体有限公司_202511764328.5
    本发明涉及LED照明技术领域，提供一种LED发光结构的制作方法，包括：将多个芯片间隔安装于基板上，每组发光单元包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；涂布高反射封装材料于每个芯片的周侧，并形成反射层；涂覆光学耦合材料于第一芯片和第二芯片的上表面，...
    2026-03-09
  • 无焊料键合的柔性微型发光二极管与柔性电路互联方法
    无焊料键合的柔性微型发光二极管与柔性电路互联方法_深圳市美耐斯光电有限公司_202610077614.2
    本发明公开了一种无焊料键合的柔性微型发光二极管与柔性电路互联方法，属于柔性Micro‑LED显示互连技术领域。该方法包括在芯片电极制备三层金属凸点、在柔性基板形成成分匹配的接收层，经原子级清洁后对准贴合，并在低温低压下实现固相扩散键合，形成...
    2026-03-09
  • 一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法
    一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202610081356.5
    本申请公开了一种基于离子注入的InGaN全彩Micro‑LED器件制备方法，包括制备红、绿、蓝三色InGaN多量子阱堆叠外延片；通过光刻定义像素图形后，注入特定离子形成高阻绝缘层，实现像素电学隔离；刻蚀深孔暴露各颜色发光层的接触区域；沉积绝...
    2026-03-09
  • 一种基于MiniLED的超薄导光系统发光模组的制作方法
    一种基于MiniLED的超薄导光系统发光模组的制作方法_长春富维集团汽车零部件股份有限公司_202511709991.5
    本发明涉及一种基于MiniLED的超薄导光系统发光模组的制作方法，包括以下步骤：步骤S1：Mini LED柔性灯条的制作，将蓝光晶元转移到柔性基板进行固晶，采用透明环氧树脂材质的光学封胶层将蓝光晶元密封固定在柔性基板上；步骤S2：PC膜片的...
    2026-03-09
  • 基于多波段协同激发的全光谱LED光源及其制备方法和应用
    基于多波段协同激发的全光谱LED光源及其制备方法和应用_东莞市立德达光电科技有限公司_202511740360.X
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种基于多波段协同激发的全光谱LED光源及其制备方法和应用，包括协同激发模块、荧光胶模块、封装结构及光谱调控模块，四者形成“激发‑吸收‑封装‑辐射”闭环协同体系。本发明实现构建多波段协同激发体系，通过四类不...
    2026-03-09
  • 微型LED显示芯片及其形成方法
    微型LED显示芯片及其形成方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411091976.4
    一种微型LED显示芯片及其形成方法，所述方法包括：形成基底，所述基底包括呈阵列分布的发光台面；形成钝化层，所述钝化层位于各个发光台面的侧壁表面和所述基底的表面，并暴露出所述发光台面的顶部表面；形成光反射层，所述光反射层位于所述发光台面的顶部...
    2026-03-09
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411090579.5
    一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：形成基底，所述基底具有发光台面区域；在所述发光台面区域的基底上形成呈阵列分布的发光台面；形成具有第一导电柱的第一键合层，所述第一导电柱位于所述发光台面的顶部表面上；形成驱动背板，所述驱动背板具有第二...
    2026-03-09
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202512026707.0
    本申请涉及一种显示面板及显示装置。显示面板包括基板、静电防护层和多个导电结构，基板设置有第一面、第二面以及位于第一面和第二面之间的侧面，多个导电结构沿第一方向间隔排布，在同一导电结构中，导电结构包括连接垫和侧面走线，连接垫设置于第一面，侧面...
    2026-03-09
  • 一种MIP芯片倒装封装结构及其封装工艺
    一种MIP芯片倒装封装结构及其封装工艺_深圳市锦瑞新材料股份有限公司_202610076710.5
    本发明涉及一种MIP芯片倒装封装结构及其封装工艺，包括呈盒盖配合的载板和盖板，载板内安装有半导体芯片，载板和盖板边缘处开设有相互配合的啮合槽，还包括集流内环板、配合环板以及第一转板和第二转板，配合环板上开设有流通槽，所述流通槽呈底宽顶窄的形...
    2026-03-09
  • 封装结构及封装结构的形成方法、光机
    封装结构及封装结构的形成方法、光机_上海显耀显示科技股份有限公司_202411098159.1
    一种封装结构及封装结构的形成方法、光机，封装结构包括：微显示芯片，所述微显示芯片包括发光面，所述微显示芯片包括显示区和环绕所述显示区的非显示区；位于所述发光面上的支撑结构，所述支撑结构位于所述非显示区。所述封装结构的体积减小。
    2026-03-09
  • 可自愈聚氨酯为界面层的硫化锑太阳电池及制法和应用
    可自愈聚氨酯为界面层的硫化锑太阳电池及制法和应用_合肥工业大学_202511692624.9
    本发明涉及一种可自愈聚氨酯为界面层的硫化锑太阳电池及制法和应用，所述太阳电池的结构包括导电玻璃FTO衬底、所述衬底上的功能层和所述功能层顶部的对电极，所述功能层从下到上依次为CdS电子传输层、Sb22S33光吸收层、可自愈聚氨酯界面层和sp...
    2026-03-09
  • 一种无空穴传输层的反式铅锡钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种无空穴传输层的反式铅锡钙钛矿太阳能电池及其制备方法_华中科技大学_202511540398.2
    本发明公开了一种无空穴传输层的反式铅锡钙钛矿太阳能电池及制备方法，太阳能电池结构从下至上依次为：卤族离子修饰的透明ITO基底、铅锡钙钛矿活性层、电子传输层、空穴阻挡层和金属电极；卤族离子修饰层通过卤代烃类有机化合物在紫外灯照射条件下对透明I...
    2026-03-09
  • 一种高效稳定柔性无传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种高效稳定柔性无传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法_合肥工业大学_202511831963.0
    本发明公开了一种高效稳定柔性无传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明高效稳定柔性无传输层钙钛矿太阳能电池从下至上依次包括柔性导电基底、钙钛矿活性层以及金属顶电极；所述钙钛矿活性层由双磷酸基小分子添加剂和钙钛矿前驱体的混合溶液旋涂于柔性导...
    2026-03-09
  • 基于酒石酸铵和硝酸协同改性电子传输层的化合物太阳能电池及其制备方法
    基于酒石酸铵和硝酸协同改性电子传输层的化合物太阳能电池及其制备方法_中国计量大学_202511723625.5
    本发明公开了一种基于酒石酸铵和硝酸协同改性电子传输层的化合物太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括阳极基底、改性电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及阴极层。其中钙钛矿吸光层为CsPbI22Br，改性电子传输层为使用有机添加剂酒石酸铵和...
    2026-03-09
  • 一种钙钛矿太阳能电池及用电设备
    一种钙钛矿太阳能电池及用电设备_北京烁威光电科技有限公司_202511855513.5
    本申请提供一种钙钛矿太阳能电池及用电设备，涉及电池加工技术领域。该钙钛矿太阳能电池，包括：基底层、设置在基底层上的电池模组和封装层，封装层和基底层围合形成容置电池模组的容置空间；基底层包括基底部和设置在基底部上第一环形凸部，第一环形凸部环绕...
    2026-03-09
  • 界面钝化层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池以及光伏组件
    界面钝化层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池以及光伏组件_成都晶信明能光伏科技有限公司_202511954002.9
    本申请公开了一种界面钝化层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池以及光伏组件。所述界面钝化层设置于钙钛矿层与载流子传输层之间，且所述界面钝化层为岛状结构；所述界面钝化层为由纳米颗粒材料制备而成，且所述纳米颗粒材料的导电率小于所述载流子传输层的材料的...
    2026-03-09
  • 一种有机电致发光器件
    一种有机电致发光器件_江苏高光新材料科技股份有限公司_202411945823.1
    本发明公开一种有机电致发光器件，包括：第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的有机层；所述有机层包括发光层，所述发光层包括P型主体材料、N型主体材料、第一掺杂材料、第二掺杂材料，P型主体材料如式1‑1或式1‑2所示：N型主体材料选自三...
    2026-03-09
  • 一种掺杂的晶态薄膜作为空穴和电子传输层的有机电致发光二极管及其制备方法
    一种掺杂的晶态薄膜作为空穴和电子传输层的有机电致发光二极管及其制备方法_中国科学院长春应用化学研究所_202511451052.5
    本发明公开了一种掺杂的晶态薄膜作为空穴和电子传输层的有机电致发光二极管及其制备方法，包括，所述有机电致发光二极管从下到上依次由基板(1)，阳极(2)，诱导层(4)，空穴传输层(5)，发光层(7)，电子传输层(9)，阴极(11)组成；其中，诱...
    2026-03-09
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