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最新专利技术
  • 一种宽度可调的双轨接驳台
    一种宽度可调的双轨接驳台_广东欧乐亚智能科技有限公司_202511422732.4
    本发明涉及电路板贴片产线技术领域，其公开一种宽度可调的双轨接驳台，包括导向结构和输送模块：输送模块的配置数量为两个，输送模块均包括电动丝杆机构、锁止组件以及两个传输带；传输带均能够往复滑动地滑接于导向结构；锁止组件连接于导向结构和两传输带的...
    2026-03-10
  • 一种电路板生产用PCB板贴片机
    一种电路板生产用PCB板贴片机_南通达创数控机械设备有限公司_202511823775.3
    本发明公开了一种电路板生产用PCB板贴片机，涉及电路板生产技术领域。本发明包括机架，所述机架安装有输送装置，所述输送装置连接有贴片装置，所述贴片装置包括拾取嘴，所述贴片装置安装有传动组件及避开组件，所述传动组件与避开组件相连接，所述传动组件...
    2026-03-10
  • 封装贴片贴装设备
    封装贴片贴装设备_安徽量子通智能科技有限公司_202511856103.2
    本发明公开一种封装贴片贴装设备，包括：支撑架、位于支撑架上的支撑板，支撑架的前端设置一供膜材安装的安装辊，一输料组件嵌入支撑板的方形通槽内；方形通槽前端面与输料组件前端面之间设置有一限位斜板，此限位斜板与方形通槽之间具有一限位槽；左安装架、...
    2026-03-10
  • 一种电子元器件高速精密贴装系统
    一种电子元器件高速精密贴装系统_上海格典信息科技有限公司_202610093516.8
    本发明涉及电子元器件精密贴装系统技术领域，公开一种电子元器件高速精密贴装系统，包括：获取贴装头与基板台振动信号的第一与第二振动感知单元；逻辑处理模块，其在第一模式下计算相对振动信号，预测零点窗口，同步触发Z轴，并在触发后切换至第二模式，将两...
    2026-03-10
  • 避免基板贴装干扰的排序方法及系统
    避免基板贴装干扰的排序方法及系统_合肥安迅精密技术有限公司_202511971974.9
    本发明涉及贴片机贴装技术领域，提供一种避免基板贴装干扰的排序方法及系统，包括以下步骤：循环遍历所有元件贴装数据，对所有贴装点两两进行检查，通过贴装点距离和元件尺寸判断是否可能导致干涉；将可能存在干涉的贴装点划分为多个干涉组，每个干涉组包括多...
    2026-03-10
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202610094210.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体结构，其包括衬底、位线层、第一层间介质层、字线层和第二层间介质层；位线层包括多条位线；字线层包括多条字线；在半导体结构中形成贯穿第二层间介质层、字线和第二层间介质层且露出位线的沟道孔，其...
    2026-03-10
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_深圳市章阁仪器有限公司_202610099960.0
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：进行多次堆叠处理；堆叠处理包括：形成沿纵向交替层叠的第一层叠材料层和第二层叠材料层构成的子叠层结构；形成贯穿子叠层结构的子通孔；在相邻堆叠处理之间，填充子通孔形成第一牺牲层；去除第一牺牲层，形成由多个子...
    2026-03-10
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511245321.2
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法，包含在衬底上依次形成位线材料层和多条位线屏蔽图案，位线屏蔽图案沿第一方向等间隔排列在衬底的存储单元区上并往与第一方向正交的第二方向延伸；在位线屏蔽图案上形成光阻，以光阻和位线屏蔽图案为刻蚀掩膜刻蚀位线材...
    2026-03-10
  • SONOS存储器及阵列存储单元
    SONOS存储器及阵列存储单元_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511728048.9
    本发明提供了一种SONOS存储器及阵列存储单元，包括：位于阱区的表面的选择管栅氧，位于选择管栅氧表面的选择栅多晶硅，位于选择栅多晶硅两侧的存储管多晶硅，存储管多晶硅和选择栅多晶硅之间通过ONO层隔开，覆盖部分存储管多晶硅的侧墙，侧墙位于存储...
    2026-03-10
  • 制造半导体装置的方法
    制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202511750597.6
    本申请提供了制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括彼此交替层叠的多个导电图案和多个绝缘图案；单元插塞，其穿过层叠结构；选择插塞，其联接到单元插塞；以及选择图案，其围绕选择插塞，其中，选择图案包括第一导电部分和覆盖第一导电...
    2026-03-10
  • MIM电容制备方法及MIM电容
    MIM电容制备方法及MIM电容_广州增芯科技有限公司_202511940366.1
    本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种MIM电容制备方法及MIM电容，方法包括：在基底结构上依次层叠设置下电极层、介电层以及上电极层；在上电极层上沉积第一硬掩膜层；形成覆盖第一硬掩膜层的光刻胶层，光刻胶层具有暴露部分第一硬掩膜层的开口...
    2026-03-10
  • 一种具有深槽隔离结构的低压TVS及其制作方法
    一种具有深槽隔离结构的低压TVS及其制作方法_山东兴华半导体有限责任公司_202511253186.6
    本发明涉及TVS的制备技术领域，具体是一种具有深槽隔离结构的低压TVS及其制作方法。本发明采用深槽隔离技术制备TVS, 占用芯片积少, 可以较大幅度缩小芯片面积及降低PN结侧面电容产品，同时采用LPCVD氮化硅作为钝化层, 由于LPCVD氮...
    2026-03-10
  • 一种高耐压氧化镓沟槽结势垒肖特基二极管及其制备方法
    一种高耐压氧化镓沟槽结势垒肖特基二极管及其制备方法_福州大学_202410946259.9
    本发明提供了一种高耐压氧化镓沟槽结势垒肖特基二极管，包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂N型氧化镓衬底、低掺杂N型氧化镓外延层、刻蚀台面第一介质层、刻蚀台面第二介质层、P型氧化镍层、介质层、阳极金属层。本发明通过引入P型氧化镍与氧化...
    2026-03-10
  • 一种碳化硅器件及其制备方法和功率器件
    一种碳化硅器件及其制备方法和功率器件_湖南虹安微电子有限责任公司_202511726533.2
    本发明实施例涉及一种碳化硅器件，包括：衬底层；外延层，形成于衬底层的一侧上；漏极层，形成于衬底层远离外延层的一侧上；P型掺杂层，包括第一P型掺杂层和第二p型掺杂层，第一P型掺杂层和第二p型掺杂层均形成于外延层远离衬底层的一侧上；氧化层，形成...
    2026-03-10
  • 一种抑制射频损耗的变温氮化铝成核层及外延生长方法
    一种抑制射频损耗的变温氮化铝成核层及外延生长方法_西安电子科技大学_202511646764.2
    本发明公开了一种抑制射频损耗的变温氮化铝成核层及外延生长方法，将三阶AlN成核层设为低温‑高温‑低温层；在AlN界面之间引入原位晶态SiNxx层，该原位晶态SiNxx层能够有效阻挡Al、Ga界面扩散，降低了寄生导电通道形成的概率，有效降低了...
    2026-03-10
  • 沟槽型器件及其制造方法
    沟槽型器件及其制造方法_重庆奕能科技有限公司_202511755784.3
    本公开提供了一种沟槽型器件及其制造方法，包括：在半导体层中形成沟槽；在沟槽的底部和侧壁保形沉积硅膜，硅膜在沟槽的底部的厚度大于在侧壁的厚度；以及对硅膜进行氧化处理，使硅膜转化为二氧化硅膜，以形成覆盖沟槽的底部和侧壁的栅介质层，且栅介质层在沟...
    2026-03-10
  • 一种半导体功率器件及其制备方法
    一种半导体功率器件及其制备方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511761643.2
    本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法，制备方法至少包括步骤：提供第一导电类型衬底，在衬底上生长第二导电类型外延层，衬底与外延层之间形成有第一导电类型的沟道层，形成第一沟槽，并形成场氧化层于第一沟槽的侧壁上，形成第二沟槽，形成栅氧化层于第...
    2026-03-10
  • 氮化镓器件隔离结构的制备方法及氮化镓器件
    氮化镓器件隔离结构的制备方法及氮化镓器件_广州增芯科技有限公司_202511806622.8
    本发明提供了一种氮化镓器件隔离结构的制备方法及氮化镓器件，该方法通过在沿远离第一衬底的方向依次形成有缓冲层、沟道层以及势垒层的第一衬底表面对势垒层进行图形化处理，形成图形化的势垒层，并在图形化的势垒层以及暴露的沟道层表面形成隔离层，接着将势...
    2026-03-10
  • 环绕式栅极晶体管及其制备方法
    环绕式栅极晶体管及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610091098.9
    本申请提供了一种环绕式栅极晶体管及其制备方法，属于半导体领域。该制备方法包括：提供衬底，于衬底内形成第一阱区；于第一阱区上形成隔离层；对隔离层进行图案化处理，露出部分第一阱区，作为漏极制备区；并在漏极制备区形成漏极；于漏极表面形成氧化层，氧...
    2026-03-10
  • 一种单端隧穿结P沟道氮化镓晶体管及其制备方法
    一种单端隧穿结P沟道氮化镓晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202511583552.4
    本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种单端隧穿结P沟道氮化镓晶体管及其制备方法，该单端隧穿结P沟道氮化镓晶体管，包括：依次层叠的衬底层、缓冲层、势垒层、p帽层和p++++帽层，该层叠结构的中心设有底部位于p帽层内的凹槽；n++++帽层位于...
    2026-03-10
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