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最新专利技术
  • 硅基高迁移率、宽带隙锡基氧化物薄膜及其制备方法和晶体管
    硅基高迁移率、宽带隙锡基氧化物薄膜及其制备方法和晶体管_中国科学技术大学_202511735109.4
    本发明公开了一种硅基高迁移率、宽带隙锡基氧化物薄膜及其制备方法和晶体管，属于低功耗电子器件技术领域。本发明提供的锡基氧化物薄膜的制备方法包括步骤：首先在临时生长衬底上依次制备牺牲层和单晶锡基氧化物薄膜，得到氧化物异质结构；然后制备支撑层，利...
    2026-03-01
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610070340.4
    本申请提供了一种半导体器件的制造方法，属于半导体技术领域，所述制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有沟槽，衬底表面、沟槽侧壁及底壁依次形成有第一氧化层和第二氧化层，沟槽内填充有屏蔽栅材料层，第二氧化层及屏蔽栅材料层上覆盖有掩模材料层；对掩模材...
    2026-03-01
  • 具有有源区离子注入结构的多沟道GaN HEMT器件及制备方法
    具有有源区离子注入结构的多沟道GaN HEMT器件及制备方法_西安电子科技大学_202411101904.3
    本发明公开了一种具有有源区离子注入结构的多沟道GaN HEMT器件及制备方法，包括：依次设置于衬底层上的GaN缓冲层、第一GaN沟道层、第一AlN插入层、第一AlGaN势垒层、第二GaN沟道层、第二AlN插入层、第二AlGaN势垒层、第三G...
    2026-03-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511658472.0
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，其包括依次形成的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；形成在势垒层中的第一和第二导电类型的掺杂区域；以及分别与两种掺杂区域电学接触的栅极、源极和漏极。该器件的制造方法包括：提供半导...
    2026-03-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411107709.1
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括N型器件区和P型器件区；工作鳍部，凸立于P型器件区的基底；凸起部，凸立于N型器件区的基底，凸起部表面具有隔离层；沟道层，位于N型器件区中且覆盖隔离层；栅极结构，位于基底上且横跨工作鳍部和凸起部...
    2026-03-01
  • 一种抗单粒子效应的场效应晶体管器件及其制备方法
    一种抗单粒子效应的场效应晶体管器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511594593.3
    本发明公开了一种抗单粒子效应的场效应晶体管器件及其制备方法。该场效应晶体管器件包括衬底层，氧化隔离层位于衬底层的一侧；在衬底层和氧化隔离层上方沿栅电极长度方向依次设置有源极区、沟道区和漏极区；源电极设置在源极区远离衬底层一侧，漏电极设置在漏...
    2026-03-01
  • 一种具有多层超结结构的碳化硅沟槽型MOSFET器件
    一种具有多层超结结构的碳化硅沟槽型MOSFET器件_厦门大学_202511687714.9
    一种具有多层超结结构的碳化硅沟槽型MOSFET器件，属于功率半导体领域，可以应用于1200~1600V高压领域。通过在碳化硅MOSFET漂移区上方引入高掺的N型区域和高掺的P型区域，形成短超结结构，降低器件的电阻并且提高器件的反向阻断电压。...
    2026-03-01
  • 一种垂直沟道晶体管结构及其制备方法
    一种垂直沟道晶体管结构及其制备方法_复旦大学_202511662544.9
    一种垂直沟道晶体管结构及其制备方法，方法包括：在衬底上形成若干相互分立的鳍形结构，所述鳍形结构包括由下至上依次堆叠的底层源漏层、沟道层和顶层源漏层；在所述鳍形结构内部、所述沟道层的侧壁面形成第一侧墙膜；至少在顶层源漏层的侧壁面形成第二侧墙膜...
    2026-03-01
  • 集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件
    集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件_广东芯粤能半导体有限公司_202610063719.2
    本申请涉及一种集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件，结构包括：衬底；超结外延层，位于衬底的顶面上，包括两种导电类型不同的掺杂柱栅极结构，位于超结外延层远离衬底一侧，并沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列；第一鳍式结构，位于相邻栅...
    2026-03-01
  • 一种功率MOS器件及其制备方法
    一种功率MOS器件及其制备方法_无锡博通微电子技术有限公司_202511691310.7
    本申请公开了一种功率MOS器件及其制备方法，涉及功率器件技术领域，功率MOS器件包括：N型漂移层；P型区，设置于N型漂移层的两侧；N型缓冲层，设置于N型漂移层的背面；衬底，设置于N型缓冲层的背面；漏极，设置于衬底的背面；P型阱区，设置于N型...
    2026-03-01
  • 基于IGZO的具有自适应阈值的神经元晶体管器件及其制备方法
    基于IGZO的具有自适应阈值的神经元晶体管器件及其制备方法_凯里学院_202511667896.3
    本发明公开了基于IGZO的具有自适应阈值的神经元晶体管器件及其制备方法，涉及自适应神经元器件技术领域，其技术方案要点是：本发明公开了一种在单晶体管上实现阈值自适应的神经元晶体管及其制备方法。所述神经元晶体管器件由下而上分别是栅极、栅介质层、...
    2026-03-01
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_深圳真茂佳半导体有限公司_202511713218.6
    本申请涉及半导体器件技术领域，尤其提及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：提供具有外延层的衬底；依次形成JFET层及第一类型掺杂层在外延层上，第一类型掺杂层的表面上定义有元胞区域及总线区域；自第一类型掺杂层的表面延伸形成第...
    2026-03-01
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511768314.0
    本发明的实施例提供了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件结构包括衬底、底部掺杂区、漂移区、第一掺杂区、第二掺杂区和若干个相互独立的第三掺杂区，第三掺杂区位于漂移区内并与第一掺杂区连接，通过灵活调整第三掺杂区在纵向...
    2026-03-01
  • 半导体装置以及其制作方法
    半导体装置以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411185460.6
    本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括埋入式绝缘层、半导体层、隔离结构、凹陷、第一栅极结构以及第一源极/漏极掺杂区。半导体层与隔离结构设置在埋入式绝缘层上，且半导体层包括第一主动区被隔离结构围绕。凹陷设置在第一主动区中...
    2026-03-01
  • 一种终端结构及其制备方法、半导体器件、车辆
    一种终端结构及其制备方法、半导体器件、车辆_比亚迪股份有限公司_202511590441.6
    本申请涉及一种终端结构及其制备方法、半导体器件、车辆，所述终端结构包括：第一导电类型的衬底，所述衬底具有至少一第二导电类型的场限环；在所述衬底内的所述场限环上，沿所述场限环的长度方向间隔设置有多个第二导电类型的阱区；通过在衬底内的场限环上，...
    2026-03-01
  • 基于界面调控的双极性欧姆接触方法、二维半导体晶体管及可重构驱动电路
    基于界面调控的双极性欧姆接触方法、二维半导体晶体管及可重构驱动电路_湖南大学_202511676125.0
    本发明公开了基于界面调控的双极性欧姆接触方法、二维半导体晶体管及可重构驱动电路，涉及二维半导体电子器件与集成电路技术领域。该方法包括以下步骤：在衬底与二维半导体之间设置分立且不接触的两个浮栅层，同时在二维半导体沟道层与金属电极之间引入界面调...
    2026-03-01
  • 集成组合件和形成集成组合件的方法
    集成组合件和形成集成组合件的方法_美光科技公司_202511679098.2
    本公开涉及集成组合件和用于形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。所述有源区包含第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的沟道区。导电门控结构可操作地接近...
    2026-03-01
  • 一种沟槽栅型碳化硅MOSFET栅级氧化层的制备方法
    一种沟槽栅型碳化硅MOSFET栅级氧化层的制备方法_北京昕感科技(集团)有限责任公司_202511754999.3
    本发明涉及一种沟槽栅型碳化硅MOSFET栅级氧化层的制备方法，包括：在碳化硅衬底上刻蚀形成栅沟槽后上载至高温炉管中；在第一温度和氧化性气体的氛围中，对形成栅沟槽的碳化硅衬底进行第一次氧化层生长；对碳化硅衬底进行第二次氧化层沉积，在第二温度下...
    2026-03-01
  • 金属栅制程中调节阈值电压的方法
    金属栅制程中调节阈值电压的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511759448.6
    本申请提供一种金属栅制程中调节阈值电压的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上依次形成第一TiN层和TiAl层；步骤二，使衬底离开真空环境，TiAl层与空气接触发生表面氧化；步骤三，在TiAl层上形成第二TiN层。在不改变TiAl层和Ti...
    2026-03-01
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610063606.2
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：于基底上形成伪栅极、刻蚀阻挡层和层间介质层，伪栅极的数量为多个且间隔设置，刻蚀阻挡层覆盖伪栅极的侧壁和顶表面，层间介质层覆盖刻蚀阻挡层，并填充相邻两伪栅极之间的沟槽；...
    2026-03-01
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