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最新专利技术
  • 光伏电池及其制备方法、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610039508.5
    本申请涉及光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的光伏电池包括硅衬底、掺杂区和第一电极；硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括第一区域和第二区域；掺杂区位于第一区域内的第一表面内，掺杂区的掺杂浓度为1.2×102020cm‑3...
    2026-03-04
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511695099.6
    本申请涉及太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池包括硅基底、设置在硅基底正面的第一本征硅层、隧穿层、第一掺杂硅层和第一电极，以及设置在硅基底背面的第二本征硅层、第二掺杂硅层和第二电极；其中，正面具有交替设置的电极区和非电极区，电极区朝...
    2026-03-04
  • 一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件
    一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件_苏州晨晖智能设备有限公司_202610056353.6
    本发明公开了一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件。该片组包括从基圆硅片中部截取的矩形硅片和从矩形硅片的四周对称截取的、轴对称的非矩形多边形硅片，矩形硅片的截取尺寸，依据基圆硅片空位型点缺陷密度CVV和自间隙型点缺陷密度CII的分布...
    2026-03-04
  • 一种光伏组件用皮肤膜及其制备方法
    一种光伏组件用皮肤膜及其制备方法_高乐思太阳能科技(无锡)有限公司_202511660769.0
    本发明公开了一种光伏组件用皮肤膜及其制备方法，该光伏组件用皮肤膜包括耐候聚烯烃树脂外层、耐候聚乙烯树脂内层和准分子紫外固化层，准分子紫外固化层位于靠近焊带的一侧。本发明在靠近焊带一侧设置准分子紫外固化层，交联固化深度0.5‑3µm，整体硬度...
    2026-03-04
  • 一种背接触电池组件及光伏系统
    一种背接触电池组件及光伏系统_山东爱旭太阳能科技有限公司_202511752039.3
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件及光伏系统。该背接触电池组件包括：第一端部焊带朝向第一遮光条的一面设有第一遮挡涂层，第一遮挡涂层覆盖第一间隙区域，且第一遮挡涂层在第一方向的宽度大于第一间隙区域在第一方向的宽度；端部汇...
    2026-03-04
  • 一种用于光伏电池片与焊带焊接的背条及其使用方法
    一种用于光伏电池片与焊带焊接的背条及其使用方法_云南师范大学_202511775250.7
    本申请涉及太阳能光伏组件封装技术领域。本申请提出了一种用于光伏电池片与焊带焊接的背条及其使用方法。背条包括承载基膜、第一功能段、第二功能段，第一功能段和第二功能段分段设置在承载基膜的同一侧，第一功能段与光伏电池片的PAD位置对应，第二功能段...
    2026-03-04
  • 一种纳米线阵列/薄膜复合型红外探测器及其制备方法
    一种纳米线阵列/薄膜复合型红外探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511624315.8
    本发明公开了一种纳米线阵列/薄膜复合型红外探测器及其制备方法，在超薄的Al22O33宝石衬底上依次生长Mn‑Co‑Ni‑O薄膜和Mn‑Co‑Ni‑O纳米线阵列，获得Mn‑Co‑Ni‑O纳米线阵列/薄膜复合结构，然后制备电极并焊接电极引线。本...
    2026-03-04
  • 一种纳米线膜红外探测器及其制备方法
    一种纳米线膜红外探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511624771.2
    本发明公开了一种纳米线膜红外探测器及其制备方法，包括两个隔开放置的Al22O33宝石基底，以及在Al22O33宝石基底上依次设置的Mn‑Co‑Ni‑O纳米线膜、两个电极和两个电极引线，Mn‑Co‑Ni‑O纳米线膜悬空设置在两个Al22O33...
    2026-03-04
  • 一种基于硫化物异质结的光电探测器及其制备方法
    一种基于硫化物异质结的光电探测器及其制备方法_华中科技大学_202511541563.6
    本发明提出一种基于硫化物异质结的光电探测器及其制备方法，属于光电子器件制备技术领域，所述探测器采用三明治层状结构，在SiO22/Si衬底上依次堆叠二维硫化物沟道层、半金属二硒化铂功能层和石墨烯传输层。其制备方法结合了脉冲激光诱导合成与干法转...
    2026-03-04
  • 多光谱可区分式光电探测芯片、其制备方法与应用
    多光谱可区分式光电探测芯片、其制备方法与应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610049445.1
    本发明提供了一种多光谱可区分式光电探测芯片、其制备方法与应用。所述芯片包括：副集电层、集电层、第一、第二间隔层、红外吸收层、电子阻挡层、接触层、透光键合层、紫外反射层及紫外吸收层；第一电极，与副集电层电连接；第二电极与接触层电性接触；第三电...
    2026-03-04
  • 一种红外探测器及其制备方法
    一种红外探测器及其制备方法_湖北光谷实验室_202511704662.1
    本发明实施提供的红外探测器及其制备方法，依次包括：底电极层、P型层、N型层顶电极层；其中，所述P型层包括PbS；所述N型层包括CdSexxS11‑xx，其中xx为正数。能够兼顾低暗电流与高量子效率。
    2026-03-04
  • 一种晶圆级石墨烯-硅三端光电晶体管及制备方法
    一种晶圆级石墨烯-硅三端光电晶体管及制备方法_浙江大学_202610050783.7
    本发明公开了一种晶圆级石墨烯‑硅三端光电晶体管及制备方法，该晶体管的发射级为覆盖有氧化硅层的硅衬底，氧化硅层中刻蚀有硅窗口，所述硅衬底为带有掺杂的硅衬底；所述基极包括：位于硅窗口区域的单层石墨烯与硅衬底的掺杂方式相反，与硅衬底形成浅肖特基结...
    2026-03-04
  • 基于多孔衬底和二维半导体材料的光电晶体管及制备方法
    基于多孔衬底和二维半导体材料的光电晶体管及制备方法_西北工业大学_202511619386.9
    本发明提供了一种基于多孔衬底和二维半导体材料的光电晶体管及制备方法，该光电晶体管包括多孔衬底和在上生长的二维材料半导体层，半导体层的两端分别设置有源电极和漏电极。该方法采用盐辅助CVD法在多孔衬底上生长单层二维材料。本发明通过衬底多孔结构与...
    2026-03-04
  • 光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法
    光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511759303.6
    本申请公开了一种光电探测结构及其制作方法、光电传感器及其制作方法，该光电探测结构包括：衬底结构；位于衬底结构上的层叠结构，包括沿远离衬底结构方向依次排布的第一掺杂锗硅层、本征吸收层和第二掺杂锗硅层，第一掺杂锗硅层和第二掺杂锗硅层的掺杂类型不...
    2026-03-04
  • 光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法
    光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511759325.2
    本申请公开了一种光电探测结构及其制作方法、光电传感器及其制作方法，该光电探测结构包括衬底结构和层叠结构，层叠结构中第二掺杂锗层的掺杂浓度不大于第一掺杂锗层的掺杂浓度，且沿远离第一掺杂锗层的方向，第二掺杂锗层中的掺杂浓度逐渐减小；第三掺杂锗层...
    2026-03-04
  • 光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法
    光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511759751.6
    本申请公开了一种光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法，该光电探测结构包括表面为具有第一掺杂类型的掺杂锗层的衬底结构；位于掺杂锗层的表面的层叠结构，层叠结构包括沿远离衬底结构方向依次排布的本征吸收层以及具有第二掺杂类型的掺杂锗硅层，第...
    2026-03-04
  • 一种刻蚀工艺方法
    一种刻蚀工艺方法_武汉楚兴技术有限公司_202411097968.0
    本申请公开了一种刻蚀工艺方法，方法包括：提供基板，基板包括依次层叠设置的衬底、黏合层、金属层、介质层、硬掩模层、抗反射层和光阻层；基于预设图案，在刻蚀机台中采用第一类气体沿光阻层至衬底方向对光阻层和抗反射层进行刻蚀；以刻蚀后的光阻层和抗反射...
    2026-03-04
  • 双模式光检测像素电路
    双模式光检测像素电路_原相科技股份有限公司_202411740273.X
    一种双模式光检测像素电路，包括一光电晶体管，该光电晶体管包含一光伏结，其中光伏结根据接收到的光产生一结电流，该结电流的位准与光的强度相关；以及一存储电容，耦接到光电晶体管以检测光的强度。在该光电晶体管模式下，该存储电容用以积分一放大电流，该...
    2026-03-04
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_三星电子株式会社_202510929690.7
    一种图像传感器包括：堆叠结构，包括包含多个像素的有源像素区域、在有源像素区域的至少一侧的焊盘区域、以及具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面的第一衬底，该第一衬底包括分别与多个像素相对应的多个光电转换区域；超光学结构，在第一衬底的第一表面...
    2026-03-04
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511125733.2
    图像传感器包括像素阵列、像素负载电路和开关电路，像素阵列包括以行和列布置的多个像素，多个像素被配置为将像素信号输出到输出线，开关电路将像素负载电路连接到输出线。像素负载电路通过开关电路连接到输出线。像素负载电路中的每一个可以包括串联连接的第...
    2026-03-04
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