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  • 本申请涉及包括无源组件的半导体封装件。一种半导体封装件包括:设置在基板上的半导体芯片;设置在基板上的第一无源组件和第二无源组件;以及设置在基板上并且覆盖半导体芯片、第一无源组件和第二无源组件的密封剂。第一电极在基板的绝缘层上设置于第一无源组...
  • 一种测试结构及测试方法,测试结构包括:待测金属极板,待测金属极板具有第一端以及与其相对的第二端;第一金属极板,与待测金属极板的第一端电连接;第二金属极板,与待测金属极板的第二端电连接;第一电流信号加载端,与第一金属极板电连接;第一电压信号加...
  • 本申请提供了一种测试元件组、显示大板、显示面板的制备方法及显示装置,涉及显示技术领域,解决了现有技术中显示产品的阴极的搭接情况无法确定的问题。测试元件组包括基板、引出结构、支撑结构、多个隔离结构和测试电极,引出结构位于基板一侧,支撑结构位于...
  • 本发明公开一种叠对标记以及半导体结构的叠对测量方法,其中叠对标记包含四个子标记,共同组成叠对标记,其中每一个子标记中包含一基底,定义有一内区以及一外区,多个第一轴心(mandrel)结构位于内区,以及多个第二轴心结构位于外区,其中各第一轴心...
  • 公开了测试元件以及制造该测试元件的方法。该测试元件可以包括:基层;在基层的部分上的堤;在基层上和堤上的第一层;在第一层上的光致抗蚀剂层,该光致抗蚀剂层包括图案化区域;以及位于光致抗蚀剂层上的第二层。堤上的第一层的第一区域的高度可以高于基层上...
  • 本申请涉及一种半导体测试结构及其制备方法,包括:衬底、栅极区;衬底内包括沿第一方向及/或第二方向间隔分布的多个有源区,以及经由衬底的第一表面向多个有源区内延伸的多个第一接触插塞;多个第一接触插塞沿第二方向间隔排列;第一方向、第二方向相交且均...
  • 本发明提供一种测试结构及其制备方法,在该测试结构中,包括栅连接结构,栅连接结沿所述第一方向连接所述器件栅结构的一端和所述伪栅结构的一端,并且所述栅连接结构、所述器件栅结构和所述伪栅结构的材料相同,因此,与器件栅结构相连接的伪栅结构与栅连接结...
  • 本发明提供一种芯片堆叠封装结构及其制作方法,该芯片堆叠封装结构的制作方法包括以下步骤:提供一承载板并于承载板上依次形成第一布线层及第一柱;于第一布线层上表面形成包括堆叠的第一、二堆叠结构的叠层结构,第一、二堆叠结构分别包括错位堆叠的第一芯片...
  • 本申请提出一种双面封装结构及其制备方法。本申请首先在载板上制作第一载板,再在第一基板上形成开孔而不进行填孔,之后进行分板、去除铜箔层等处理,再在开孔内设置导电材料形成电连接部,使得单次印刷便可实现第一基板的双面导通,简化了制作流程,还能在第...
  • 本发明涉及基本封装技术领域,具体是涉及一种FCCSP封装基板阻焊小开窗的加工方法,通过在阻焊曝光时对开窗进行尺寸补偿,使显影后开窗尺寸小于目标开窗尺寸预设差值,为后续步骤的激光精准修正预留了合理空间,有效解决了传统曝光显影工艺中小开窗尺寸易...
  • 本发明涉及封装模组的制造方法,包括:在临时承载板上利用加成法形成载体基板;将载体基板与临时承载板分离,在载体基板内制作至少一个贯通的腔体;在载体基板的一面贴合承载膜;将第一电子元器件埋入腔体内,放置于在承载膜上;对埋入的第一电子元器件进行塑...
  • 本发明公开了一种金锡键合低损耗陶瓷盖板金属化封装工艺,包括以下核心步骤:(1)低损耗陶瓷盖板制备;(2)陶瓷盖板表面金属化处理;(3)陶瓷盖板表面粗糙度调控;(4)低氧含量金锡钎料制备;(5)金锡预成型焊片制备;(6)金锡键合与梯度封装。本...
  • 本发明公开了一种半导体封装基板的制作方法及半导体封装基板,半导体封装基板的制作方法包括:对封装基板进行第一次电镀,形成第一金属层;在封装基板的第一表面和第二表面制备光刻胶层;对第一区域进行第二次电镀,形成第二金属层,第二金属层覆盖第一区域的...
  • 本申请涉及晶片切割之前的裸片附接膜个体化。一种电子装置包含导电引线、半导体裸片、围封所述半导体裸片和所述导电引线的一部分的封装结构,以及在所述导电引线和所述半导体裸片之间延伸的非导电裸片附接膜,其中所述半导体裸片的横向侧延伸超出所述裸片附接...
  • 一种半导体封装,该半导体封装包括第一半导体器件、和至少一个另外的半导体器件,该第一半导体器件、和该至少一个另外的半导体器件彼此间隔定位。该半导体器件中的每一者包括管芯座和堆叠半导体器件,该管芯座具有半导体管芯区,该堆叠半导体器件具有第一表面...
  • 本发明提供了一种QFN封装引线框架,其降低成本、且提高材料利用率,且封装的可靠性好。其包括引线框架本体,所述引线框架本体上沿着其长边顺次设置2个封装模块,每个封装模块内的封装单元成矩形阵列排布于所述引线框架本体的对应区域,相邻的封装模块之间...
  • 本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种超薄型多芯片器件,所述超薄型多芯片器件包括:芯片,所述芯片包括相互合封的硅基芯片和化合物半导体芯片;框架基岛结构,所述芯片中的全部或者部分下沉设置在所述框架基岛结构的内部;或者,所述框架基岛结构为经过选...
  • 本发明提供一种芯片封装结构及芯片封装方法,涉及半导体封装技术领域。该封装结构包括:基板,基板表面上形成有凹焊盘和凸焊盘,凹焊盘相对于基板表面向下凹陷,凸焊盘相对于基板表面向上凸起;第一芯片通过凸焊盘与板电连接;第二芯片通过凹焊盘与基板电连接...
  • 本申请公开了一种封装基板的制作方法,包括以下步骤:提供一承载板,所述承载板包括介质层和设置于所述介质层至少一侧的第一铜箔层;在所述第一铜箔层背离所述介质层的表面形成桥连结构以及第一线路基板,所述桥连结构被包覆在所述第一线路基板内,所述第一线...
  • 本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种封装器件、其制备方法和电子设备,封装器件包括:至少一个互连芯片;第一导电层,包括位于互连芯片侧边的多个第一导电结构;多个填充伪结构,互连芯片与第一导电结构之间、以及相邻的两第一导电结构之间中的至少之一设...
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