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最新专利技术
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411056087.4
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；形成厚氧层，所述厚氧层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述厚氧层；形成图形化的光阻层，所述...
    2026-02-13
  • 制造集成电路装置的方法
    制造集成电路装置的方法_三星电子株式会社_202510532340.7
    一种方法包括：在衬底的第一表面上交替地堆叠多个牺牲层和多个沟道层；将多个沟道层划分为多个纳米片堆叠件；在多个纳米片堆叠件之间形成占位件和占位件上的源极/漏极区域；在已经去除了多个牺牲层的区域中形成第一栅极结构；蚀刻衬底的第二表面的一部分以在...
    2026-02-13
  • 功率半导体器件
    功率半导体器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511054792.5
    一种功率半导体器件，包括：半导体衬底；功率晶体管，其形成在半导体衬底的单元场中；参考端子；感测端子；以及耗尽型感测晶体管，其集成在半导体衬底中并具有为第一导电类型的电压抽头区域。电压抽头区域电连接至感测端子并且跟随功率晶体管的漂移区电位，直...
    2026-02-13
  • 共源共栅级联型GaN器件
    共源共栅级联型GaN器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511457395.2
    本申请提供了一种具有限流装置的共源共栅级联型GaN器件，包括高压耗尽型GaN‑HEMT、低压Si‑MOSFET以及限流装置，所述限流装置设置在所述高压耗尽型GaN‑HEMT的栅极与所述低压Si‑MOSFET的源极之间，其特征在于：所述限流装...
    2026-02-13
  • 集成器件及其制备方法
    集成器件及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511346169.7
    本公开提供了一种集成器件及其制备方法，属于电力电子领域。该集成器件包括：隔离环和至少两个间隔排布的晶体管，各所述晶体管的金属电极均位于同一外延层上；所述隔离环位于所述外延层上，且与各所述晶体管的金属电极位于所述外延层的同一侧，所述隔离环环绕...
    2026-02-13
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510205439.6
    提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：下源极/漏极图案；下沟道结构，所述下沟道结构连接到所述下源极/漏极图案；下栅电极，所述下栅电极与所述下沟道结构交叠并且在第一方向上延伸；下有源接触，所述下有源接触位于所述下源极/漏极图案上；上沟道结...
    2026-02-13
  • 包含SOI CMOS晶体管对的设备
    包含SOI CMOS晶体管对的设备_美光科技公司_202511040719.2
    本申请案涉及包含SOI CMOS晶体管对的设备。本公开的一些实施例提供一种设备，其包括：存储器单元阵列区；及包含绝缘体上硅SOI互补金属氧化物硅CMOS晶体管的外围区。所述SOI CMOS晶体管对包含半导体衬底中的掩埋氧化物BOX层，及所述...
    2026-02-13
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411059838.8
    本公开的阵列基板、显示面板及显示装置，包括衬底基板，衬底基板包括显示区，显示区包括阵列排布的多个子像素区；数据线，在子像素区的列间隙处延伸，数据线包括在沿行方向排列的相邻子像素区之间的数据部；第一晶体管，位于显示区内，第一晶体管的第一极与数...
    2026-02-13
  • 显示面板及其制备方法
    显示面板及其制备方法_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202511680255.1
    本申请公开了一种显示面板及其制备方法，第一有源层和第二有源层位于基板上，第一有源层位于显示区，第二有源层位于非显示区。第一绝缘层包括位于显示区且覆盖第一有源层的第一子绝缘层，第一绝缘层的材料包括有机绝缘材料。第二绝缘层包括第三子绝缘层和第四...
    2026-02-13
  • 一种显示基板及其制备方法、显示装置
    一种显示基板及其制备方法、显示装置_合肥京东方瑞晟科技有限公司_202411031904.0
    本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括衬底、像素电路层、第一绝缘层和辅助层，所述辅助层包括辅助电容板，所述辅助电容板通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述像素电路层中的第一晶体管的栅极连接，所述辅助电容板还通过贯穿所述...
    2026-02-13
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202510951577.9
    根据本公开的实施方式的显示装置可以包括：基板；第一有源层，其设置在基板上并且位于第一区域中；第一绝缘层，其设置在第一有源层上；第二绝缘层，其设置在第一绝缘层上；第三绝缘层，其设置在第二绝缘层上；第二有源层，其设置在基板上并且位于与第一区域不...
    2026-02-13
  • 包括具有延伸部分的硅半导体层的显示面板和包括该显示面板的电子设备
    包括具有延伸部分的硅半导体层的显示面板和包括该显示面板的电子设备_三星显示有限公司_202511067189.0
    本申请涉及显示面板和包括该显示面板的电子设备，该显示面板，包括：多个第一晶体管，在第一方向上彼此相邻布置；以及硅半导体层，包括在第一方向上延伸的主要部分和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的延伸部分。在平面图中，延伸部分设置在第一晶体管之间。
    2026-02-13
  • 用于静电放电箝位件的热关断器和其制造方法
    用于静电放电箝位件的热关断器和其制造方法_德州仪器公司_202510994764.5
    本申请涉及一种用于静电放电箝位件的热关断器和其制造方法。本文公开了一种装置(200)。所述装置包含：第一电源轨(202)；第二电源轨(204)；电气保护组件(214)，其导电耦合在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间，所述电气保护组件被配置成...
    2026-02-13
  • 静电放电保护装置
    静电放电保护装置_三星电子株式会社_202510312268.7
    一种静电放电保护装置包括：基底；第一导电类型的第一掺杂区域，在基底上；第一导电类型的第二掺杂区域，在基底上；第二导电类型的外延层，在第一掺杂区域与第二掺杂区域之间；第一导电类型的第一扩散区域，在第一掺杂区域上；第二导电类型的第二扩散区域，在...
    2026-02-13
  • 一种三维集成电路的ESD保护结构及其设计及集成方法
    一种三维集成电路的ESD保护结构及其设计及集成方法_东南大学_202511618075.0
    本发明公开了一种三维集成电路的ESD保护结构及其设计及集成方法，该结构基于标准单元库构建，利用标准单元库中反相器PMOS和NMOS器件的寄生PN结特性，在无需引入新器件或修改工艺流程的前提下，配合Tap单元形成静电放电路径，实现高效的ESD...
    2026-02-13
  • TBC太阳能电池及其制备方法
    TBC太阳能电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202411033393.6
    本申请公开了一种TBC太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。一种TBC太阳能电池包括N型基体硅，所述N型基体硅的背光面包括P型区域；在所述P型区域内，从所述N型基体硅的背光面向外依次包括第一隧穿层、P型多晶硅层、第一钝化减反层及第...
    2026-02-13
  • 一种背接触太阳电池及背接触光伏组件
    一种背接触太阳电池及背接触光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610015236.5
    本申请涉及背接触太阳电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳电池及背接触光伏组件。背接触太阳电池包括硅衬底以及N型掺杂层和P型掺杂层，硅衬底具有背光面。N型掺杂层和P型掺杂层均设置在背光面上。在背光面的平面方向上，N型掺杂层至少局部和P型掺杂层...
    2026-02-13
  • 电池组件及光伏系统
    电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511528866.4
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种电池组件及光伏系统，包括至少一个电池串，所述电池串包括首尾依次串联连接的n个电池子串，所述电池子串包括依次串联连接的多个电池片；并联连接于第一部分电池子串之间的第一二极管；并联连接于第二部分电池子串之间的...
    2026-02-13
  • 电池组件及光伏系统
    电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511528879.1
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种电池组件及光伏系统，包括至少一个电池串，所述电池串包括首尾依次串联连接的n个电池子串；并联连接于第一部分的电池子串之间的第一二极管；并联连接于第二部分的电池子串之间的第二二极管；所述第一部分的电池子串和所...
    2026-02-13
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511340177.0
    本申请公开了一种光伏组件，涉及光伏技术领域，以解决如何提升光伏组件的功率密度和整体效率的问题。所述光伏组件包括互联件和至少两个太阳能电池，至少两个太阳能电池包括相邻的第一太阳能电池和第二太阳能电池；第一太阳能电池的第二表面和第二太阳能电池的...
    2026-02-13
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