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最新专利技术
  • 半导体装置和用于在沟槽中形成导电构件和电介质结构的方法
    半导体装置和用于在沟槽中形成导电构件和电介质结构的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510942949.1
    本公开涉及半导体装置和用于在沟槽中形成导电构件和电介质结构的方法。在实施例中，一种半导体装置包括：半导体衬底，包括第一主表面；沟槽，从第一主表面延伸到半导体衬底中并且具有基底和侧壁，侧壁从基底延伸到第一主表面。导电构件被布置在沟槽中，并且通...
    2026-02-16
  • 一种功率MOS器件及其制备方法
    一种功率MOS器件及其制备方法_无锡博通微电子技术有限公司_202511684081.6
    本申请公开了一种功率MOS器件及其制备方法，涉及功率器件技术领域，功率MOS器件包括至少一元胞，元胞包括：N型漂移层；P型区设置于N型漂移层的四个侧向表面上，形成回形结构；衬底；漏极；P+区；第一P型阱区和第二P型阱区均为回形结构并设置于N...
    2026-02-16
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_深圳平湖实验室_202512015422.7
    本发明公开一种半导体器件，该器件包括元胞结构，元胞结构包括N+衬底、N‑漂移层和功能区；N‑漂移层位于N+衬底上；功能区嵌入N‑漂移层背离N+衬底的一侧，功能区包括两个子单元和第二N+源极区，子单元包括P+接触区、P型体区、第一N+源极区和...
    2026-02-16
  • 显示装置及电子终端
    显示装置及电子终端_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202511442299.0
    本申请提供了一种显示装置及电子终端。显示装置包括氧化物半导体薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管包括设置在栅极绝缘层上的氧化物半导体层。氧化物半导体层掺杂有稀土元素，氧化物半导体层内部的第一位置处的稀土元素的掺杂浓度大于第二位置处的稀土元素的...
    2026-02-16
  • 一种半导体薄膜晶体管及其制备方法
    一种半导体薄膜晶体管及其制备方法_广州新视界光电科技有限公司_202511581418.0
    本发明公开了一种半导体薄膜晶体管及其制备方法。该半导体薄膜晶体管的制备方法包括：提供一衬底；在衬底的表面形成层叠设置的半导体结晶层和栅极结构；其中，半导体结晶层由等离子体轰击法处理后刻蚀形成；形成源极和漏极；源极和漏极分别与半导体结晶层接触...
    2026-02-16
  • 半导体结晶薄膜、半导体薄膜晶体管及其制备方法
    半导体结晶薄膜、半导体薄膜晶体管及其制备方法_华南理工大学_202511581426.5
    本发明公开了一种半导体结晶薄膜、半导体薄膜晶体管及其制备方法。该半导体结晶薄膜包括：层叠设置的界面调节层和半导体结晶层；半导体结晶层包括至少一层结晶结构材料层，界面调节层包括至少一层非晶结构材料层；界面调节层设置于衬底与半导体结晶层之间，用...
    2026-02-16
  • 一种离子液体双电层类神经突触晶体管及其制备方法
    一种离子液体双电层类神经突触晶体管及其制备方法_中北大学_202511617800.2
    本发明属于微纳电子器件与类脑神经形态计算技术领域，具体为一种离子液体双电层类神经突触晶体管及其制备方法。类神经突触晶体管包括：衬底Si/SiO22，用于承载沟道层及电极结构；沟道层WO33薄膜，设置于所述SiO22层表面；源极与漏极，分别形...
    2026-02-16
  • 晶体管、存储器及其制备方法、电子设备
    晶体管、存储器及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411009390.9
    一种晶体管包括：栅极和半导体层，半导体层为空心管状结构，栅极环绕半导体层。半导体层的材料包括以下至少之一：第三族半导体材料、第四族半导体材料、第五族半导体材料。采用空心管状结构的半导体层，有利于控制半导体层的管壁厚度，令晶体管的沟道全部耗尽...
    2026-02-16
  • 外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法
    外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511574767.X
    本申请实施例涉及一种外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法；其中，外延结构包括：由第一外延层和第二外延层组成的异质结叠层；第二外延层在第一外延层上外延生长而形成；第二外延层为InyyAl1‑y1‑yN层；第一外延层为Alx1x1Ga...
    2026-02-16
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511589993.5
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的半导体器件，包括外延片，外延片具有相邻的有源区和终端区，终端区上依次设置有氧化层和本征多晶硅层，其中，本征多晶硅层中形成有交替设置的N型重掺杂区域和P型轻掺杂区域，相邻的N...
    2026-02-16
  • 功率半导体终端结构
    功率半导体终端结构_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511615627.2
    本发明涉及功率半导体终端结构，功率半导体终端结构包括第一导电类型的衬底，衬底上设置元胞结构、主结和终端区，主结设置于元胞结构外围，终端区设置于主结外围，终端区内设置若干个场限环，相邻的场限环之间间隔设置；场限环包括多个弯曲部与多个直部，弯曲...
    2026-02-16
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411012766.1
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的层间电介质层，所述层间电介质层具有延伸到所述衬底的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽包括用于PMOS器件的第一沟槽；在...
    2026-02-16
  • 一种基于硅烷偶联剂改善金属-半导体接触的方法和应用
    一种基于硅烷偶联剂改善金属-半导体接触的方法和应用_复旦大学义乌研究院_202511625593.5
    本发明提供了一种基于硅烷偶联剂改善金属‑半导体接触的方法和应用。所述方法包括：提供半导体器件，其包括金属‑半导体接触结构，所述金属‑半导体接触结构为肖特基接触，且其所含的与金属材料接触的半导体材料包括表面具有羟基的二维半导体材料；将半导体器...
    2026-02-16
  • 一种P型3C-SiC欧姆接触结构及其制备方法
    一种P型3C-SiC欧姆接触结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511372705.0
    本发明提供了一种P型3C‑SiC欧姆接触结构及其制备方法，该欧姆接触结构包括：N型3C‑SiC外延层；位于N型3C‑SiC外延层上方的P型区；位于P型区上方的多层金属结构，多层金属结构自下而上依次为Ni金属层、Ti金属层和Al金属层。本发明...
    2026-02-16
  • 封装结构、封装结构的制备方法和电子设备
    封装结构、封装结构的制备方法和电子设备_华为技术有限公司_202411011468.0
    本申请提供了封装结构、封装结构的制备方法和电子设备，该封装结构包括第一封装体和第二封装体，第一封装体和第二封装体堆叠封装。第一封装体包括第一电子器件、第一封装部和导电部件，第一封装部封装第一电子器件和导电部件。第一电子器件包括第一连接端，导...
    2026-02-16
  • 半导体装置
    半导体装置_英飞凌科技奥地利有限公司_202510985415.7
    一种半导体装置包括；形成半桥装置的第一可控半导体器件和第二可控半导体器件，第一可控半导体器件和第二可控半导体器件中的每一者包括控制电极以及在第一负载电极与第二负载电极之间的可控负载路径；至少一个栅极驱动器，至少一个栅极驱动器中的每一者被配置...
    2026-02-16
  • 功率模块和功率模块的制备方法
    功率模块和功率模块的制备方法_环旭(深圳)电子科创有限公司_202511594148.7
    本申请提供了一种功率模块和功率模块的制备方法，功率模块包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板的第一电路层与第二基板的第二电路层相互面对设置；第一预封装功率芯片具有位于同一面的信号极和源极、与源极相对设置在另一面的漏极，第一预封装功率芯片...
    2026-02-16
  • 一种晶圆堆叠的并联电容结构及其制作方法
    一种晶圆堆叠的并联电容结构及其制作方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511603183.0
    本发明提供一种晶圆堆叠的并联电容结构及其制作方法，该方法将具有第一电容结构的第一晶圆与具有第二电容结构的第二晶圆面对背混合键合，实现两个电容结构垂直堆叠且并联连接。相比于传统电容封装将电容单独焊接在基板上进行封装的方式，本发明的晶圆堆叠并联...
    2026-02-16
  • 集成SBD的MOSFET器件及其制备方法
    集成SBD的MOSFET器件及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202511725911.5
    本申请涉及一种集成SBD的MOSFET器件及其制备方法。包括：位于衬底上的漂移层、第一缓冲层、第二缓冲层、阱结构、介电结构和源极金属层；阱结构包括垂直于衬底表面的第一侧壁，第二掺杂结构包括垂直于衬底表面的第二侧壁，第二侧壁与第一侧壁齐平；介...
    2026-02-16
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511415560.8
    一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括形成交替层堆叠包括沿着垂直于交替层堆叠的界面的第一方向堆叠的第一半导体层与第二半导体层。对交替层堆叠进行图案化以形成鳍片结构，鳍片结构具有沿着第一方向的高度、沿着垂直于第一方向的第二方向的...
    2026-02-16
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