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保护元件
一种保护元件,包含基板、加热器及熔断件。加热器包含第一加热件及第二加热件,分别设置于基板的上表面及下表面。以基板的表面积为100%计,加热器的表面积总和为18%至72%。熔断件设置于第一加热件的上方。如此,于过电压发生时,加热器升温并促使熔...
一种具有多种安装方式的熔断器端子结构
本发明涉及熔断器技术领域,具体涉及一种具有多种安装方式的熔断器端子结构;包括套设于熔断器壳体端部的外帽;外帽的外侧部设有刀排连接件,刀排连接件上转动安装有第一刀排,第一刀排远离刀排连接件的一侧转动安装有第二刀排;刀排连接件与第一刀排的连接处...
一种电力工程用安全防护用熔断器
本发明涉及熔断器领域,一种电力工程用安全防护用熔断器,包括有外壳和端帽等;外壳两端均可拆卸连接有端帽,端帽为导电材质。本发明实现了通过将石英砂储存在第一储砂腔内,避免石英砂直接与熔芯接触,导致电流过载后,熔体无法第一时间上升到熔断热量,导致...
一种便于维护的门型高压限流熔断器
本发明公开了一种便于维护的门型高压限流熔断器,包括至少两个绝缘子立柱、多个夹具和限位拆装块,熔断组件的绝缘安装管两端作为被承托端,由不同立柱上的夹具夹持;其安装腔内的熔断件两端与被承托端导电连接。各被承托端均配设有一个限位拆装块,限位拆装块...
一种具有防风功能的跌落式熔断器防护罩
本发明涉及电力设备防护技术领域,尤其是涉及一种具有防风功能的跌落式熔断器防护罩,包括上防护罩和下防护罩,上防护罩的两侧设置有凸起部,凸起部开设有插槽,插槽内安装有用于防止上防护罩从跌落式熔断器脱落的防脱卡钩,防脱卡钩为弹性卡钩结构,且防脱卡...
一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法
本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法,一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法,其特征在于,包括对待激活样品进行化学清洗和高温净化,利用卤钨灯白光垂直照射整个阴极面,依次进行三个环节的激活:环节1:单铯激活环节;环节2:氧源...
一种基于真空热分离与选择性腐蚀的输入光窗回收方法
本发明公开了一种基于真空热分离与选择性腐蚀的输入光窗回收方法,包括:光窗装的真空排气、无损分离、焊料和电极膜层的剥离以及超声清洗和研磨抛新;本发明的方案采用真空热分离和溶液浸泡方式,操作简便,基于设备和工装扩容,可实现光窗批量化处理,且整个...
一种同轴一体式永磁聚焦系统
本发明提供了一种同轴一体式永磁聚焦系统,包括阴极底座、外壳、第一永磁体组以及第二永磁体组,外壳通过绝缘连接件与阴极底座相连接;第一永磁体组设置于所述阴极底座的内部,第二永磁体组设置于所述外壳的内部,第一永磁体组通过绝缘连接件与第二永磁体组固...
一种多相位错驱动的无中和器离子源装置及控制方法
本申请涉及等离子推力器技术领域,公开了一种多相位错驱动的无中和器离子源装置及控制方法,该装置包括:供电系统,包括射频电源模块,射频电源模块包括M路射频通道;栅极系统包括加速栅和屏栅,加速栅和屏栅电连接于M路射频通道中的不同通道,屏栅施加有交...
用于射频离子源上的跑道型法拉第屏蔽结构
本发明属于可控核聚变辅助加热方法中性束注入技术领域,公开了一种用于射频离子源上的跑道型法拉第屏蔽结构。该结构中,法拉第屏蔽筒包括呈跑道型的屏蔽筒、第一进水管和第一出水管,屏蔽筒包括筒侧壁、筒顶壁和第一埋管水冷结构,筒侧壁开有缝隙,第一进水管...
一种随形预热电子束选区熔化电子光学系统及其设计方法
本发明公开了一种随形预热电子束选区熔化电子光学系统及其设计方法,包括电子束形成单元以及电子束聚焦偏转单元;电子束形成单元包括中心阴极以及套设在中心阴极外侧的环状阴极,中心阴极与环状阴极之间以及环状阴极外侧设置有抑制极,三者形成的整体一侧设置...
电子束扫描设备及其电压调节电路
本发明提供了一种电子束扫描设备及其电压调节电路。其中,电压调节电路用于向电子束扫描设备的电源模块提供设置电压,包括:信号源、驱动控制单元以及电压调节单元;信号源配置为向驱动控制单元输出初始控制信号;驱动控制单元与信号源连接,配置为接收初始控...
操作包括束偏转器的带电粒子显微镜系统的方法和相关联的系统
本公开涉及操作包括束偏转器的带电粒子显微镜系统的方法和相关联的系统。在一个示例中,一种方法包括调整一个或多个光学元件以使得束偏转器的偏转器平面与衍射平面共轭,以及在衍射平面处记录衍射束图案。在另一示例中,一种方法包括将带电粒子束引导到样本,...
边缘场磁场分布信息的校正方法、装置及设备
本发明涉及磁场信息分析技术领域,尤其涉及边缘场磁场分布信息的校正方法、装置及设备;通过法拉第杯及霍尔探头阵列监测得到束流聚焦度、束流水平偏移量和延伸边缘场磁场分布信息;根据束流聚焦度、预设的聚焦度设定值、束流水平偏移量和预设的偏移量设定值对...
衬底处理设备和调整环构件高度的方法
公开了一种能够在不打开室的情况下检查环构件的蚀刻量的衬底处理设备。使用等离子体的所述衬底处理设备包括:处理室,所述处理室限定处理空间;卡盘,所述卡盘定位在所述处理空间中以从下方支撑衬底;环构件,所述环构件围绕所述卡盘定位;环升降装置,所述环...
射频功率系统、阻抗匹配方法及半导体工艺设备
本申请提供了一种射频功率系统、阻抗匹配方法及半导体工艺设备,该射频功率系统包括射频电源模块、匹配器模块、信号检测模块和控制模块,射频电源模块、匹配器模块和腔室依次连接,信号检测模块用于检测匹配器模块的射频输入端的射频信号,控制模块用于在射频...
一种用于RPO设备氢氧混合的安全控制系统及方法
本发明公开了一种用于RPO设备氢氧混合的安全控制系统及方法,其属于半导体制造技术领域,所述安全控制系统包括反应腔室、点火腔室和主控模块,点火腔室内设有点火组件,反应腔室的出口处设有排气管路,反应腔室的入口与点火腔室的出口相连通,点火腔室的入...
气体分配装置及分配方法、半导体器件加工设备
本发明提供了一种气体分配装置,包括第一管道、至少一条第二管道和控制器。该第一管道连接气源,并设有压力探测器。该至少一条第二管道分别连接一个处理站,并分别设置有温度调节机构。该控制器连接压力探测器和温度调节机构,并被配置为,根据压力探测器采集...
一种高螺旋多通道电子倍增器及其制备方法
本发明公开了一种高螺旋多通道电子倍增器及其制备方法,适用于俄歇电子能谱仪(AES)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、质谱仪等高端分析仪器中的微弱信号探测系统,以满足高端分析仪器对高灵敏度、低噪声、长寿命探测器的迫切需...
一种中子敏感微通道板、中子探测器及其制造方法
本发明公开了一种中子敏感微通道板、中子探测器及其制造方法,属于中子探测器技术领域。中子敏感微通道板包括玻璃基板,玻璃基板上开设有多个贯穿玻璃基板厚度方向的微通道,微通道为锥形通孔结构,微通道的入口端的孔径小于出口端的孔径,入口端的开口率低于...
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