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最新专利技术
  • 译码器、译码方法、存储器控制器、存储器系统、电子设备
    译码器、译码方法、存储器控制器、存储器系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202511571959.5
    本公开实施例提供一种译码器，包括：校验节点更新电路、变量节点更新电路；在第一时间段，在a级第一更新单元中的不同级第一更新单元中得到校验矩阵的不同层对应的校验节点消息；在第一时间段，在a级第二更新单元中的不同级第二更新单元中得到对应的中间计算...
    2026-03-19
  • 双端口RAM的运算电路及数据冲突处理方法
    双端口RAM的运算电路及数据冲突处理方法_成都高云半导体科技有限公司_202511543728.3
    本申请提供一种双端口RAM的运算电路及数据冲突处理方法，包括：地址比对模块、异步写入判断模块、读写冲突判断模块以及数据选择模块；地址比对模块根据第一端口的读地址和第二端口的写地址，确定第一端口与第二端口是否访问同一地址，得到并输出第一结果信...
    2026-03-19
  • 数据读取方法、装置、磁性存储系统及电子设备
    数据读取方法、装置、磁性存储系统及电子设备_中国科学院微电子研究所_202411019069.9
    本申请公开了一种数据读取方法、装置、磁性存储系统及电子设备。本申请的方法，获取每个磁性存储器件的输出信号，其中，输出信号为基于向每个磁性存储器件施加的交流信号产生的整流信号和倍频信号；获取待读取数据的存储路径和预设信号类型；根据存储路径、预...
    2026-03-19
  • 存算一体读取模块及存算一体阵列电路
    存算一体读取模块及存算一体阵列电路_清华大学_202411035129.6
    本申请公开了一种存算一体读取模块及存算一体阵列电路。存算一体读取模块用于与权重模块连接，权重模块包括第一MTJ和第二MTJ，存算一体读取模块包括：分压单元，用于先与第一MTJ和第二MTJ的其中一个形成第一分压电路，后与另一个形成第二分压电路...
    2026-03-19
  • 存内计算单元电路及存内计算阵列电路
    存内计算单元电路及存内计算阵列电路_清华大学_202411035633.6
    本申请公开了一种存内计算单元电路及存内计算阵列电路。存内计算单元电路包括：权重存储模块，包括第一MTJ和第二MTJ；第一MTJ与第二MTJ的其中一个被配置为高阻态，另一个被配置为低阻态；写入模块，写入模块的第一端与写字线连接，写入模块的第二...
    2026-03-19
  • 用于乘累加运算的三维铁电隧道结装置
    用于乘累加运算的三维铁电隧道结装置_美光科技公司_202511038661.8
    本公开涉及用于乘累加运算的三维铁电隧道结装置。本公开涉及与使用存储器单元执行乘法的存储器装置相关的系统、方法及设备。在一种方法中，存储器单元阵列具有竖直布置于半导体衬底上方的存储器单元。每一存储器单元使用铁电隧道结FTJ装置作为存储元件来存...
    2026-03-19
  • 基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路
    基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路_安徽大学_202512035939.2
    本申请公开了一种基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路，涉及集成电路领域，该存内计算单元包括两个N型FeFET管F1和F2以及两个NMOS管M0和M1；F1和F2的栅极分别连接列输入线WL1和WL2，F1和F2的源极分别连接行输入线...
    2026-03-19
  • 用于具有基于激活的计数存取计数更新和后台刷新的存储器阵列的设备和方法
    用于具有基于激活的计数存取计数更新和后台刷新的存储器阵列的设备和方法_美光科技公司_202511029683.8
    本公开涉及用于具有基于激活的计数存取计数更新和后台刷新的存储器阵列的设备和方法。一种存储器具有存储体，所述存储体具有至少两个行解码器，其中的每一者控制所述存储体的至少两个部分。每一字线具有相关联的存取计数，其沿着耦合到不同行解码器的字线存储...
    2026-03-19
  • 基于双Bank异构的自适应动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品
    基于双Bank异构的自适应动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品_上海光羽芯辰科技有限公司_202511450592.1
    本申请提供了一种基于双Bank异构的自适应动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品，包括：多组第一Bank组，每组第一Bank组包括多个低延迟Bank，低延迟Bank用于存取小数据块数据；多组第二Bank组，每组第二Bank组包括...
    2026-03-19
  • 基于多芯片堆叠架构的动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品
    基于多芯片堆叠架构的动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品_上海光羽芯辰科技有限公司_202511450593.6
    本申请提供了一种基于多芯片堆叠架构的动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品，包括：逻辑控制模块；M个第一存储芯片，第一存储芯片设置于逻辑控制模块的顶部，用于存储小数据块数据；M为正整数；N个第二存储芯片，第二存储芯片采用硅通孔技...
    2026-03-19
  • 基于三晶体管存算器件阵列的校准电路及校准方法
    基于三晶体管存算器件阵列的校准电路及校准方法_南京大学_202511458031.6
    本发明公开了一种基于三晶体管存算器件阵列的校准电路及校准方法，属于模拟集成电路技术领域。针对同时具有埋栅和复合介质栅结构的三晶体管存算器件组成的易失性存算一体阵列，本发明特别设计了校准电路，通过使用适应埋栅和复合介质栅结构的三晶体管存算器件...
    2026-03-19
  • 一种内存颗粒烧录控制方法、装置、电子设备及存储介质
    一种内存颗粒烧录控制方法、装置、电子设备及存储介质_深圳市晶存科技股份有限公司_202512052158.4
    本发明提供了一种内存颗粒烧录控制方法、装置、电子设备及存储介质。本发明提供的方法，包括：获取内存模组的第一逻辑存储单元的第一模式寄存器的值以及第二逻辑存储单元的第一模式寄存器的值；若第一逻辑存储单元的第一模式寄存器的值和第二逻辑存储单元的第...
    2026-03-19
  • DDR参考电压校准方法、系统、设备及存储介质
    DDR参考电压校准方法、系统、设备及存储介质_深圳市晶存科技股份有限公司_202512027598.4
    本申请公开了一种DDR参考电压校准方法、系统、设备及存储介质，其中方法包括：基于校准后的DQS采样时钟，在水平方向上以固定步进移动设置多个延迟位置；在每个所述延迟位置上遍历参考电压，以确定当前所述延迟位置下能正确采样数据信号时所对应的参考电...
    2026-03-19
  • 控制电路及半导体存储装置
    控制电路及半导体存储装置_华邦电子股份有限公司_202411289905.5
    本发明公开了一种控制电路及半导体存储装置。该控制电路，包括：控制单元，产生表示延迟量的控制信号；延迟线单元，根据控制信号，将输入时钟信号延迟以产生输出时钟信号的延迟动作；以及暂时延迟量选择单元，接收该输出时钟信号，产生以不同的多个暂时延迟量...
    2026-03-19
  • 用于存储器阵列中的存取线的分流网络
    用于存储器阵列中的存取线的分流网络_美光科技公司_202511047959.5
    本公开涉及用于存储器阵列中的存取线的分流网络。描述用于具有连接到存取线的分流网络的存储器装置的系统、方法及设备。在一种方法中，存储器装置具有布置成存储器阵列的的存储器单元。使用上覆于所述阵列而形成的位线来存取所述存储器单元。所述位线耦合到减...
    2026-03-19
  • 用于行和/或列寻址的随机化序列
    用于行和/或列寻址的随机化序列_意法半导体国际公司_202511033434.6
    本公开涉及用于行和/或列寻址的随机化序列。用于存储器中计算操作的计算权重数据被存储在存储器阵列的存储器单元中。在执行存储器中计算操作期间，使用随机选择的行和/或列访问顺序从存储器阵列读取计算权重数据。数字计算处理电路接收用于存储器中计算操作...
    2026-03-19
  • 数字相位电路
    数字相位电路_华邦电子股份有限公司_202510594969.4
    本发明提供一种数字相位电路。数字相位电路包括第一反相器至一第四反相器。第一反相器至第四反相器串接以形成反相器环，其中第一反相器的输出端提供第一频率信号，第二反相器的输出端提供第二频率信号，第三反相器的输出端提供第三频率信号，并且第四反相器的...
    2026-03-19
  • 用于多电平存储器单元的组合逻辑
    用于多电平存储器单元的组合逻辑_美光科技公司_202511039042.0
    本公开涉及用于多电平存储器单元的组合逻辑。一种存储器装置包含第一组合逻辑，所述第一组合逻辑被配置成从第一存储器阵列中的N个相应存储器单元中的每一个接收所存储电压值的多数字表示，且所述存储器单元中的每一个被配置成存储具有至少三个不同电荷电平中...
    2026-03-19
  • 多级存储器单元读取及回写系统
    多级存储器单元读取及回写系统_美光科技公司_202511039043.5
    本公开涉及多级存储器单元读取及回写系统。一种存储器装置包含：存储器单元阵列，其包含至少第一及第二存储器单元。所述单元中的每一者可经配置以在两种或更多种非零电荷电平下存储电荷。第一局部放大器电路可经配置以基于所述第一存储器单元的第一单元电压信...
    2026-03-19
  • 一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法
    一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法_中国电子科技南湖研究院_202411034534.6
    本发明公开了一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明通过调整晶体管与阻变存储器的连接方式或者改变晶体管的类型，使得SET电压不直接施加在阻变存储器上，阻变存储器上的电压在晶体管的夹断效应下迅速饱和，使得阻变存...
    2026-03-19
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