Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种工艺终点的检测方法及半导体设备
    一种工艺终点的检测方法及半导体设备_上海车仪田科技有限公司_202511983433.8
    本申请涉及一种工艺终点的检测方法及半导体设备，检测方法包括，向吸收池内吹扫惰性气体，采集惰性气体的惰性气体干涉图得到初始背景光谱，将初始背景光谱作为基准背景光谱；停止惰性气体的吹扫，将半导体设备的尾气排放管路中的待检测气体通入吸收池，采集待...
    2026-02-04
  • 一种碳化硅激活退火设备及工艺方法
    一种碳化硅激活退火设备及工艺方法_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511413040.3
    本发明公开了一种碳化硅激活退火设备及工艺方法，包括相互配合连接的装载系统、炉体系统、加热温控系统、供气系统、真空系统、冷却系统以及控制系统，所述供气系统包括Ar控制气路、N22控制气路和烷烃控制气路，待处理的碳化硅晶圆传送至炉体系统中，当碳...
    2026-02-04
  • 一种复合薄膜及其制备方法
    一种复合薄膜及其制备方法_济南晶正电子科技有限公司_202511550799.6
    本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种复合薄膜及其制备方法，包括以下步骤：准备衬底和薄膜晶圆，二者的键合面包括内部区域和边缘区域；对薄膜晶圆进行离子注入，得到自键合面起依次层叠薄膜层、分离层和余质层的离子注入片；对衬底和/或离子注入片的键合...
    2026-02-04
  • SOI结构及其形成方法
    SOI结构及其形成方法_上海新傲科技股份有限公司_202511286898.8
    本发明涉及一种SOI结构及其形成方法。所述SOI结构的形成方法包括如下步骤：形成两片边缘具有梯形倒角的晶圆；于至少一片所述晶圆的表面形成氧化层；键合两片所述晶圆，形成包括两片所述晶圆以及夹设于两片所述晶圆之间的所述氧化层的SOI结构。本发明...
    2026-02-04
  • 具有不连续顶层硅的SOI结构及其形成方法
    具有不连续顶层硅的SOI结构及其形成方法_上海新傲科技股份有限公司_202511320318.2
    本发明涉及一种具有不连续顶层硅的SOI结构及其形成方法。所述具有不连续顶层硅的SOI结构的形成方法包括如下步骤：形成顶部结构，顶部结构包括硅本体以及凸出设置在硅本体的表面上的多个硅柱，硅本体包括沿第一方向相对分布的正面和背面，多个硅柱在硅本...
    2026-02-04
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410998753.X
    本发明提供一种半导体结构的制作方法，其将光阻层的图形转移至硬掩膜层中的刻蚀过程包括依次进行的主刻蚀阶段、第一过刻蚀阶段与第二过刻蚀阶段，第二过刻蚀阶段包括干法刻蚀衬底第二预设时间以在硬掩膜层开口的侧壁与衬底上表面之间的交界区域形成具有第一预...
    2026-02-04
  • 浅沟槽隔离结构的形成方法
    浅沟槽隔离结构的形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511422090.8
    本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，属于半导体技术领域，该浅沟槽隔离结构的形成方法，包括在衬底上形成第一停止层，刻蚀第一停止层和部分衬底，形成沟槽；在沟槽内和第一停止层上沉积绝缘材料，在绝缘材料上依次沉积第二停止层和牺牲层，且绝缘材料...
    2026-02-04
  • STI结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法
    STI结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法_杭州富芯半导体有限公司_202511484081.1
    本发明涉及一种STI结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法。其中，所述STI结构将现有ONO结构中SiO22/Si33N44/SiO22的中间层Si33N44更改为SiON，并利用SiON弹性模量介于SiO22与Si之间的特点，形成天然应...
    2026-02-04
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511618885.6
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有自衬底表面向衬底内延伸的沟槽；通过液相沉积工艺在沟槽内沉积氟掺杂的硅基前驱体薄膜，氟掺杂的硅基前驱体薄膜填充沟槽的部分深度；在氟掺杂的硅基前驱体薄膜上形成隔离材料层...
    2026-02-04
  • 半导体结构
    半导体结构_长鑫存储技术有限公司_202511612872.8
    本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：沿预设方向排列的至少一层地层和至少一层电源层，以及沿预设方向延伸的过孔结构；第一保护结构以及第二保护结构，在沿环绕过孔结构侧壁的方向上，第一保护结构和第二保护结构依次环绕过孔结构侧壁设置...
    2026-02-04
  • 具有受控放电路径的高电压隔离
    具有受控放电路径的高电压隔离_德州仪器公司_202510914814.4
    本申请案涉及具有受控放电路径的高电压隔离。公开了一种包含电容式HV隔离组件(102)的半导体装置(100)和其制造方法。在一个实例中，所述半导体装置(100)包括：半导体衬底(101)；底电容器板(104)，其在所述半导体衬底(101)上方...
    2026-02-04
  • 面向Chiplet架构的一体化集成散热波纹管路制造方法
    面向Chiplet架构的一体化集成散热波纹管路制造方法_上海三盛健康科技股份有限公司_202511500504.4
    本申请涉及一种面向Chiplet架构的一体化集成散热波纹管路制造方法，包括如下步骤：S1，波纹管端部平头处理；S2，连接件和接头法兰检查；S4，连接波纹管和接头法兰，还包括连接环，连接环套接于波纹管端部，连接环对接接头法兰，连接环和接头法兰...
    2026-02-04
  • 一种晶圆测温系统及其封装方法
    一种晶圆测温系统及其封装方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410993124.8
    本申请提供一种晶圆测温系统包括相互键合的第一晶圆和第二晶圆以及检测电路组件，所述第一晶圆和所述第二晶圆的键合面分别为第一键合面和第二键合面，所述第二键合面上设置有第一凹槽，所述检测电路组件包括：多个温度传感器，设置在所述第一晶圆中，用于测量...
    2026-02-04
  • 半导体封装散热结构及其制备方法
    半导体封装散热结构及其制备方法_庆鼎精密电子(淮安)有限公司_202410995573.6
    本申请提出一种半导体封装散热结构及其制备方法。本申请通过在芯片表面和基板的焊盘上分别设置第一导热界面材料层和第二导热界面材料层，并将散热片与第一导热界面材料层和第二导热界面材料层连接，使得散热片与芯片之间的间隙以及散热片与基板之间的间隙被导...
    2026-02-04
  • 具有散热细微结构的金属片及自发性循环散热系统
    具有散热细微结构的金属片及自发性循环散热系统_聚嵘科技股份有限公司_202410996614.3
    本发明公开一种具有散热细微结构的金属片及包含其的自发性循环散热系统。具有散热细微结构的金属片具有通过激光模组所产生的激光诱发而产生的散热细微结构，散热细微结构包括多个呈现周期性排列的微结构体，多个微结构体各自具有0.1μm至100μm的深度...
    2026-02-04
  • 一种散热基板及其制备方法、半导体功率模块
    一种散热基板及其制备方法、半导体功率模块_武汉山拓微电子有限公司_202511571616.9
    本发明公开了一种散热基板及其制备方法、半导体功率模块，其中，散热基板包括：导电层；绝缘层，绝缘层位于导电层的一侧；散热底板，散热底板位于绝缘层远离导电层的一侧；第一类金刚石层或第一金刚石层，第一类金刚石层或第一金刚石层位于散热底板远离绝缘层...
    2026-02-04
  • 功率半导体封装结构
    功率半导体封装结构_南京能利芯科技有限公司_202511704582.6
    本发明公开了一种功率半导体新型封装结构，涉及功率器件散热与电气互联技术领域。该封装结构包括功率半导体芯片、双面金属化半绝缘碳化硅基板以及散热器。半绝缘碳化硅基板由上部导电金属层、中间半绝缘碳化硅基板和下部导电金属层构成；功率半导体芯片通过焊...
    2026-02-04
  • 热界面结构及其形成方法、封装结构
    热界面结构及其形成方法、封装结构_上海壁仞科技股份有限公司_202511806332.3
    本公开实施例提供一种热界面结构及其形成方法、封装结构，所述热界面结构具有被配置成与发热器件和散热构件接触的热接触表面，所述热接触表面包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面，且所述热界面结构包括：导热件，在所述第一方向上从所述第一表面延伸至...
    2026-02-04
  • 一种基于双层整流结构的两相液冷散热装置及制备方法
    一种基于双层整流结构的两相液冷散热装置及制备方法_浙江大学_202512001774.7
    本发明公开了一种基于双层整流结构的两相液冷散热装置及制备方法，属于半导体散热领域，一种基于双层整流结构的两相液冷散热装置，包括：两侧分别设有入口槽和出口槽的歧管层，歧管层内具有交错设置的若干入口歧管和若干出口歧管；间隔设有若干微通道单元的微...
    2026-02-04
  • 一种连续射流微通道冷板及冷却方法
    一种连续射流微通道冷板及冷却方法_中国电子科技集团公司第十四研究所_202511377691.1
    本发明针对传统微通道冷板换热性能差、系统流阻高、温度一致性差、强化结构加工成本高昂等问题，提出了一种连续射流微通道冷板及冷却，采用盖板层+底板层的全并联立体射流结构，通过在盖板层与底板层分别加工常规微通道翅片并交错互联，形成连续射流微腔，实...
    2026-02-04
首页 上一页 18 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证