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  • 本发明揭示了一种自适应不同规格晶圆寻边变距定位装置及方法,包括机架,机架上设有承载组件,承载组件的正上方设有识别组件;承载组件的一侧设有六寸寻边组件和八寸寻边组件;八寸寻边组件的正下方设有上顶导板,用以将八寸晶圆顶升至夹持变距组件内;六寸寻...
  • 本申请涉及一种图形化转移头、巨量转移系统和巨量转移方法。该图形化转移头的转移主体包括转移端面,转移端面覆有粘性材料,转移主体通过转移端面拾取芯片;在转移端面上沿转移端面周向设置有固定层,该固定层用于在转移主体拾取芯片的过程中,以及在图形化转...
  • 本公开提供了一种发光器件的转移基板、转移方法、发光器件和显示面板,属于光电子制造技术领域。该转移基板包括:衬底、胶材层和光敏胶层,所述衬底、所述光敏胶层和所述胶材层依次层叠,所述胶材层的厚度大于或者等于30μm。该转移基板能改善激光转移过程...
  • 本发明公开了一种增加静电卡盘使用寿命的结构及其加工方法,其属于半导体设备技术领域,所述增加静电卡盘使用寿命的结构包括金属基材层,所述金属基材层除底面外所有面的外侧都设有氧化铝电介质层,所述氧化铝电介质层的外侧设有氧化钇电介质层。本发明通过在...
  • 本发明涉及一种同步销钉提升装置,同步销钉提升系统包括至少一个第一销钉提升装置,其包括第一气动致动器,具有第一气动缸和第一移动件。该系统包括第一控制阀,控制第一气动致动器的加压和/或流体流,以提供第一移动件的移动;第一流体传感器,测量第一气动...
  • 本公开的实施例涉及夹持机构技术领域,本公开提供了基板处理装置、清洗装置及清洗方法,基板处理装置包括:主体,所述主体转动设置;卡爪,所述卡爪移动设置在所述主体上,数量大于等于六个,且分为第一爪组和第二爪组;驱动组件,所述驱动组件包括轴体和转动...
  • 本发明公开了一种晶圆夹具,包括限位挡板和夹具本体,两个限位挡板相互垂直设置形成L型的定位结构,夹具本体的侧壁分别与两个限位挡板连接,夹具本体上开设有若干个沿第一圆周分布的第一负压孔,夹具本体上开设有环形安装槽,环形安装槽内开设有若干个沿第二...
  • 本发明提供了一种基于智能制造的集成电路生产系统,与现有技术比较,本发明的集成电路生产系统包括对集成电路的电路板进行适应夹持固定的夹持机构、对所述夹持机构夹持固定的电路板进行切割处理以获得预设规格的目标电路板的切割模块、和将切割获得的目标电路...
  • 本申请涉及一种芯片吸附设备、芯片测试系统及控制方法,该芯片吸附设备包括载具和真空发生系统。载具表面开设有多个用于放置芯片的气孔,载具内设置有多个第一真空通道和多个第二真空通道,每个第一真空通道对应多个气孔并与对应的气孔连通,每个第二真空通道...
  • 本申请公开了一种太阳电池IV测试校准方法、装置、终端及介质,针对已知确定尺寸和主栅数目的太阳电池样本,改变样本的细栅数目或线电阻,获得样本的多个变体,计算不同变体的集总电阻,测试不同变体在特定少探针排配置和全探针排配置下对应的电阻数值并计算...
  • 本发明提供一种芯片局部去层方法,包括:芯片开盖后表层金属层下方相邻非导电层;表层金属层对应的测试焊盘区域填充保护层,显露待去除区域;去除待去除区域的表层金属层,显露出待去除区域的表层金属层下的下方结构层;清除保护层,用测试焊盘对芯片电性故障...
  • 本发明提供了一种晶圆检测装置的晶圆高度调节方法与相关产品。其中晶圆检测装置包括工作台、电子枪和与电子枪保持相对位置不变的电容传感器,工作台配置成支撑和移动晶圆,电容传感器用于测量获取电容传感器与晶圆的上表面之间的距离。高度调节方法包括:确认...
  • 本发明涉及CIS芯片分选机技术领域,具体涉及一种32sites平移式CIS芯片分选机布局,包括操作台,所述操作台中部设有P&P组件,所述P&P组件将操作台分隔为前后两侧,所述P&P组件一端设有上料输送模组,所述上料输送模组穿过P&P组件位于...
  • 本发明提供一种晶圆的真空检测设备,包括真空腔一、真空腔二、真空阀门组一,真空腔一内设有载台一,载台一用于上下料中转,包括多个上下层叠设置的支撑台,支撑台用于放置晶圆;真空阀门组一设于真空腔一与真空腔二之间,用于连通或者隔离真空腔一与真空腔二...
  • 公开了在沉积腔室制造期间的微粒物的实时检测。公开的实施方式描述了一种系统,该系统包括:沉积腔室;产生入射光束的光源,其中该入射光束用于照射沉积腔室的区域;和相机,收集源自沉积腔室的照射区域的散射光,其中当第一入射光束与沉积腔室的照射区域内的...
  • 本申请提供新能源汽车车规胎压监测芯片质量检测装置,涉及芯片质量检测领域。新能源汽车车规胎压监测芯片质量检测装置包括:震动盘机构、引导下滑输送通道、单品输送翻面机构、六面视觉检测机构和分选芯片输送机构。新能源汽车车规胎压监测芯片质量检测装置能...
  • 本申请涉及一种硅晶体表面膜层的硅氢键测试方法,包括:提供傅里叶红外测试仪;提供待测样品,将待测样品加工成多个待测单元;全部待测单元沿其厚度方向上依次堆叠在一起;使得傅里叶红外测试仪的干涉光从堆叠在一起的多个待测单元的外周面入射,干涉光穿过待...
  • 本申请涉及一种半导体沟槽形貌检测方法,包括:提供待测半导体结构,待测半导体结构包括第一导电类型的第一半导体材料层和从第一半导体材料层的上表面延伸至第一半导体材料层内部的第一沟槽和第二沟槽,第一沟槽和第二沟槽在同一工序中采用相同的掩膜版图形和...
  • 本申请提供了一种半导体用光导管的故障诊断方法、系统、检测装置、计算机设备及介质,本申请联合解析第一检测数据和第二检测数据;根据解析结果生成相应的故障诊断结果及维护策略,使工程师能够区分不同故障的紧急状态,不仅可以提前发现光导管污染、机械松动...
  • 本申请涉及一种工艺终点的检测方法及半导体设备,检测方法包括,向吸收池内吹扫惰性气体,采集惰性气体的惰性气体干涉图得到初始背景光谱,将初始背景光谱作为基准背景光谱;停止惰性气体的吹扫,将半导体设备的尾气排放管路中的待检测气体通入吸收池,采集待...
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