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最新专利技术
  • 半导体晶体管、半导体晶体管的制作方法和芯片
    半导体晶体管、半导体晶体管的制作方法和芯片_珠海零边界集成电路有限公司_202511533426.8
    本发明实施例提供了一种半导体晶体管、半导体晶体管的制作方法和芯片，通过在晶体管中引入分裂栅结构，并在相邻的栅极中间将源极金属与N型漂移区形成N型肖特基接触，并在P型体区引入P型肖特基接触，当源极和栅极短接并接高压，漏极接低压时，P型肖特基接...
    2026-02-06
  • 一种降低开关损耗的SGT MOSFET器件及其制备方法
    一种降低开关损耗的SGT MOSFET器件及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202511561312.4
    本发明公开了一种降低开关损耗的SGT MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：N型衬底，以及位于衬底一侧表面的N型外延层；形成于N型外延层中的沟槽结构；沟槽结构包括：覆盖其下部侧壁内表面的场氧化层、覆盖其上部侧壁内表面的栅氧化层、位于沟槽...
    2026-02-06
  • 半导体器件及其制备方法、垂直栅平面场效应管及芯片
    半导体器件及其制备方法、垂直栅平面场效应管及芯片_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511580192.2
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、垂直栅平面场效应管及芯片，涉及半导体技术领域。半导体器件，包括：基底，形成在基底中的源极，漏极、沟槽栅以及沟道区；沿垂直于基底的厚度的方向，沟槽栅形成在源极和漏极之间；沟道区至少覆盖沟槽栅的底部，且与...
    2026-02-06
  • 半导体装置
    半导体装置_鸿扬半导体股份有限公司_202410987588.8
    一种半导体装置包含基板与在基板上的磊晶层。磊晶层分为沿着第一方向排列的元件区、过渡区与边缘终端区。磊晶层包含漂移区、过渡掺杂区与终端掺杂区。漂移区在元件区、过渡区与边缘终端区中并具有第一导体型。过渡掺杂区在过渡区中并具有第二导体型。终端掺杂...
    2026-02-06
  • 一种异质结稳压的碳化硅MOSFET及其制作方法
    一种异质结稳压的碳化硅MOSFET及其制作方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511682039.0
    本发明提供了一种异质结稳压的碳化硅MOSFET及其制作方法，涉及功率半导体器件技术领域。该在栅极与源极之间集成有静电防护单元，其包括由N型多晶硅栅极与特定重掺杂P+区直接接触构成的异质结二极管、以及由N+源区与P型体区构成的同质结二极管，二...
    2026-02-06
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511830265.9
    本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一掺杂区，位于外延层中，第一掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型不同；第二掺杂区，位于第一掺杂区中，第二掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型不同，第...
    2026-02-06
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410990954.5
    本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及电子技术领域，用于降低半导体器件中容易出现栅极结构和源极、漏极出现短接的问题。半导体器件包括基底，以及设置于基底同一侧的源极、漏极、多个沟道层、栅极结构和内侧墙。多个沟道层位于源极和...
    2026-02-06
  • 薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置
    薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202510563937.8
    本发明的一个实施方式寻求提供一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管包括：有源层；在有源层上的耗尽控制层；以及与有源层间隔开并且至少部分地与有源层交叠的栅电极；其中，有源层包括：沟道部，该沟道部至少部分地与栅电极交叠；第一连...
    2026-02-06
  • 晶体管和电子装置
    晶体管和电子装置_三星显示有限公司_202510763570.4
    本公开涉及晶体管和电子装置。晶体管包括：栅极电极；半导体层，与栅极电极重叠；源极电极和漏极电极，各自与半导体层的一部分重叠，其中，半导体层的沟道区包括：第一区和第三区；以及第二区，设置在第一区和第三区之间，并且第一区中的M‑O键的数量与第二...
    2026-02-06
  • 薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备
    薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备_乐金显示有限公司_202510889583.6
    本公开涉及薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备。本公开的实施方式提供了薄膜晶体管与该薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括籽晶层、与籽晶层交叠并且包括沟道部的有源层、以及与有源层的至少一部分交叠的栅极电极，其中，沟道部与籽晶层...
    2026-02-06
  • 半导体装置结构与其形成方法
    半导体装置结构与其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511290214.1
    本公开涉及半导体装置结构与其形成方法。此处公开具有底部绝缘的多栅极装置与其制作方法。例示性的底部通道绝缘结构包括第一绝缘层位于基板(如其延伸物)上，以及第二绝缘层位于第一绝缘层上。第一绝缘层具有第一组成与第一长度。第二绝缘层具有第二组成与第...
    2026-02-06
  • 一种半导体器件及其制备方法以及一种电子设备
    一种半导体器件及其制备方法以及一种电子设备_北京大学深圳研究生院_202512016950.4
    本申请涉及半导体领域中一种半导体器件，包括衬底；位于衬底上方的源漏区，以及位于源漏区之间的第一氧化物半导体，源漏区只与第一氧化物半导体侧面的一部分接触，其中第一氧化物半导体厚度大于源漏区的厚度，其中源漏区之间的沟道长度小于5μm；位于第一氧...
    2026-02-06
  • 一种结型场效应管及其制造方法
    一种结型场效应管及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511502435.0
    本申请公开了一种结型场效应管，包括：半导体层，包括外延层；沟槽，自半导体层的第一表面向内部延伸，所述沟槽的底部位于所述外延层中；阱区，位于沟槽的侧壁的外延层区域，所述阱区的底部高于所述沟槽的底部，所述阱区的其中一个侧壁暴露于所述沟槽中；栅掺...
    2026-02-06
  • 一种改善反向恢复性能的中高压沟槽型场效应管
    一种改善反向恢复性能的中高压沟槽型场效应管_安建科技有限公司_202410990554.4
    一种改善反向恢复性能的中高压沟槽型场效应管，涉及功率半导体技术领域，反向恢复过程中反向恢复电流产生拖尾增加反向恢复时间以及该过程产生较大横向电流，在器件终端区域处容易产生电流聚集从而损害器件的问题，本发明通过在元胞区域内的第一导电型重掺杂衬...
    2026-02-06
  • 一种集成温度传感器的沟槽MOSFET及测试方法
    一种集成温度传感器的沟槽MOSFET及测试方法_贵州辰矽电子科技有限公司_202511609213.9
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种集成温度传感器的沟槽MOSFET及测试方法，主要包括了从下至上依次设置的金属层、掺杂衬底层和掺杂外延层，掺杂外延层的上部左侧设置有掺杂埋层、多晶硅栅层和第一二氧化硅层，掺杂外延层的上部中间设置有掺...
    2026-02-06
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410988595.X
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：伪鳍部，凸立于第二区的衬底上；底部隔离层，位于第一区的衬底上；鳍部，凸立于第一区的底部隔离层上；栅极结构，栅极结构横跨鳍部和伪鳍部，栅极结构覆盖鳍部和伪鳍部的部分顶部和部分侧壁。本发明实施例中，栅...
    2026-02-06
  • 钾插层金属性过渡金属硫族化物纳米阵列及其制备方法和应用
    钾插层金属性过渡金属硫族化物纳米阵列及其制备方法和应用_香港城市大学_202510410414.X
    本发明公开一种钾插层金属性过渡金属硫族化物纳米阵列及其制备方法和应用。制备该钾插层金属性过渡金属硫族化物纳米阵列的方法包括：以过渡金属二硫化物与钾源化合物为原料，通过化学气相沉积在基底上形成一维钾插层金属性过渡金属硫族化物纳米阵列；其中所述...
    2026-02-06
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件结构
    半导体器件的制造方法及半导体器件结构_华虹半导体(无锡)有限公司_202511386506.5
    本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件结构，旨在解决现有技术中因湿法蚀刻导致填充空洞的问题。该方法包括：在形成有绝缘层的沟槽内，图形化多晶硅材料以形成凹陷的多晶硅层；在多晶硅层及绝缘层上沉积衬垫层；采用湿法工艺蚀刻衬垫层以拓宽沟槽...
    2026-02-06
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512005112.7
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底、第一介质层、第一栅极结构和第二介质层，其中，衬底内开设有栅极沟槽；第一介质层覆盖所述栅极沟槽的底部和侧壁中靠近栅极沟槽底部的一侧；第一栅极结构位于所述栅极沟槽的底部，且所述第一栅极结构与所述...
    2026-02-06
  • 一种FOW工艺防冲丝多层堆叠芯片及堆叠方法
    一种FOW工艺防冲丝多层堆叠芯片及堆叠方法_郑州兴航科技有限公司_202511552547.7
    本发明属于半导体集成电路封装技术领域，具体涉及一种FOW工艺防冲丝多层堆叠芯片及堆叠方法，包括基板、多个层叠设置的芯片和假片；所述假片覆盖在顶层芯片的上部，所述假片与顶层芯片之间设置有第二FOW胶膜，顶层芯片的二焊点与连接的键合丝包覆于第二...
    2026-02-06
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