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最新专利技术
  • 太阳电池及光伏组件
    太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511013197.7
    本申请提供了一种太阳电池及光伏组件，其中太阳电池包括晶体硅衬底，晶体硅衬底的背面包括P型掺杂区、N型掺杂区以及位于P型掺杂区和N型掺杂区之间的沟道隔离区，沟道隔离区包括第一子区域、第二子区域和第三子区域，第一子区域与N型掺杂区相邻，第三子区...
    2026-02-10
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511157698.2
    本申请涉及太阳电池的技术领域，具体公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括：硅基底；叠层设置于硅基底表面的掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层的厚度为25nm～80nm，掺杂多晶硅层具有呈凸起状的第一塔基结构，第一塔基结构的塔基尺寸为...
    2026-02-10
  • 一种太阳电池及光伏组件
    一种太阳电池及光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511313060.3
    本申请实施例提供了一种太阳电池及光伏组件，其中太阳电池包括晶体硅衬底，晶体硅衬底包括有效发电区域以及围绕晶体硅衬底边缘设置的正面凹槽区域；有效发电区域中，晶体硅衬底的正面依次设置有硼发射极层、正面界面钝化层、正面表面钝化层和正面电极；正面凹...
    2026-02-10
  • 一种孔壁含氧化硅的硅片及加工方法与设备
    一种孔壁含氧化硅的硅片及加工方法与设备_苏州运达驭光激光科技有限公司_202511504695.1
    本发明公开了一种孔壁含氧化硅的硅片及加工方法与设备，孔壁含氧化硅的硅片包括硅材料基片、预制孔及氧化层，其中：硅材料基片为单晶硅；预制孔开设于硅材料基片上，孔径或边长20‑500μm；氧化层覆盖于预制孔的孔壁表面，主要成分包含氧化硅，10‑5...
    2026-02-10
  • 一种具备预制孔洞结构的基片及其加工方法与加工设备
    一种具备预制孔洞结构的基片及其加工方法与加工设备_苏州运达驭光激光科技有限公司_202511504808.8
    本发明公开了一种具备预制孔洞结构的基片及其加工方法与加工设备，包括半导体基片以及形成于半导体基片上的预制孔洞结构；预制孔洞结构的加工区域边缘定义为沿孔洞结构的加工边界向半导体基片内部延伸距离h，其中h=孔洞结构的平均半径/10；半导体基片无...
    2026-02-10
  • 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件
    一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202511871048.4
    本申请涉及光伏领域，公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，包括半导体基底，半导体基底包括相对设置的第一表面和第二表面，以及连接第一表面和第二表面的第一侧面和第二侧面；第一侧面和第二侧面为相邻的侧面；第二侧面为在封装形成光伏组件时与焊带...
    2026-02-10
  • 一种防漏蓝光量子点发光二极管及其制备方法
    一种防漏蓝光量子点发光二极管及其制备方法_重庆翰博显示科技研发中心有限公司_202410964080.6
    本发明涉及半导体及Mini LED显示技术领域，具体涉及一种防漏蓝光量子点发光二极管及其制备方法，具体步骤为：覆有热解膜的基板准备、DBR层制备、量子点层制备和沟道刻蚀、量子点层分隔挡墙制备、光扩散层制备、芯片排列、对位、键合、挡墙制备和平...
    2026-02-10
  • 发光单元及发光单元制备方法
    发光单元及发光单元制备方法_京东方华灿华汇智造(广东)有限公司_202511217572.X
    本公开提供了一种发光单元及发光单元制备方法。所述方法包括：采用环氧树脂、导电填料、导热增强剂、溶剂、分散剂和固化促进剂作为原料，制作固晶薄膜；将固晶薄膜贴附到晶圆表面；对贴附有固晶薄膜的晶圆进行划片，得到发光二极管芯片；将发光二极管芯片通过...
    2026-02-10
  • 倒装圆形光源的制作方法以及倒装圆形光源
    倒装圆形光源的制作方法以及倒装圆形光源_深圳市同一方光电技术有限公司_202511381858.1
    本申请涉及一种倒装圆形光源的制作方法及其倒装圆形光源，所述倒装圆形光源的制作方法包括：将待处理芯片与预设陶瓷基板进行共晶处理，得到目标芯片，利用荧光粉和耐高温硅胶制成荧光胶层；在所述荧光胶层表面涂布圆形围坝胶，得到包含圆形围坝胶的荧光胶层；...
    2026-02-10
  • 一种倒装贴膜光源制作方法以及倒装贴膜光源
    一种倒装贴膜光源制作方法以及倒装贴膜光源_深圳市同一方光电技术有限公司_202511392091.2
    本申请涉及一种倒装贴膜光源制作方法以及倒装贴膜光源。包括：将目标芯片设置于基板上；采用透明胶在目标芯片的侧表面进行点胶，形成透明胶层，在第一温度条件下对透明胶层进行固化；在目标芯片的上表面贴设荧光膜，使得荧光膜覆盖目标芯片的上表面及透明胶层...
    2026-02-10
  • 一种改善GaN基LED底层出光效率的方法
    一种改善GaN基LED底层出光效率的方法_山东晶镓半导体有限公司_202511435313.4
    本发明属于光电技术领域，具体涉及一种改善GaN基LED底层出光效率的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上采用PVD法磁控溅射AlN薄膜；在AlN薄膜表面采用MOCVD法外延一层AlGaN层，作为增反射层；继续沉积3D层，3D层采用MOCVD...
    2026-02-10
  • 高反射率AlGaN基分布式布拉格反射镜的制备方法
    高反射率AlGaN基分布式布拉格反射镜的制备方法_中国科学院半导体研究所_202511467031.2
    本公开实施例提供一种高反射率AlGaN基分布式布拉格反射镜的制备方法，包括：在衬底上依次沉积堆叠的AlN层、n‑AlxxGa1‑x1‑xN电流扩展层；在n‑AlxxGa1‑x1‑xN电流扩展层上交替生长堆叠的多层n‑AlyyGa1‑y1‑y...
    2026-02-10
  • 减少波长红移的全光谱LED外延生长方法
    减少波长红移的全光谱LED外延生长方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511540610.5
    本发明适用于半导体技术领域，提供了减少波长红移的全光谱LED外延生长方法，采用金属有机化学气相沉积反应腔进行外延材料生长，通过在发光层中形成多个V型坑，并在V型坑中引入Fe掺杂GaN层、Fe和C共掺杂GaN层、BGaN层，促使室温下更多的空...
    2026-02-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511261025.1
    本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括至少包括一外延结构：外延结构至少包含依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中：有源层包括M个周期重复堆叠的阱层和垒层，阱层为含In的氮化物材料层；在M个阱层中至少包括N个第一阱...
    2026-02-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511264544.3
    本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括一外延结构，该外延结构至少包含依次堆叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层。其中，有源层包括多个周期重复堆叠的阱层和垒层，阱层为含In的氮化物材料层，其中，阱层中铟的摩尔含量为25％...
    2026-02-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_安徽三安光电有限公司_202511543760.1
    本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括一外延结构，该外延结构至少包括第一半导体层、过渡层、有源层及第二半导体层。其中，第一半导体层包括第一掺杂层，过渡层形成于第一半导体层上，且与第一掺杂层相接触。过渡层的N型掺杂浓度小于...
    2026-02-10
  • 具有短响应时间的发光二极管及其制备方法
    具有短响应时间的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511836429.9
    本公开提供了一种具有短响应时间的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：依次叠设的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和P型电流扩展层；多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层的厚度为3~5nm，量...
    2026-02-10
  • 多波段LED外延片及其制备方法
    多波段LED外延片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511984713.0
    本发明公开了一种多波段LED外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述多波段LED外延片的多量子阱发光层为交替层叠的周期性结构，每个周期均包括依次层叠的阱前保护层、第一蓝光量子阱层、青光量子阱层、第二蓝光量子阱层、阱后保护层和量子垒层；所...
    2026-02-10
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_深圳市晶相技术有限公司_202510937482.1
    本发明提出一种半导体器件，包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底上，所述缓冲层的厚度为20～300nm；第一半导体层，设置在所述缓冲层上，连接第一电极；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上，连接第二电极；以及空穴注...
    2026-02-10
  • 一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置
    一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置_安徽三安光电有限公司_202511241525.9
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置，包括衬底及位于衬底上的外延层，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第一电子阻挡层和第二半导体层，第一电子阻挡层包括依次层叠的第一子阻挡层和插入层，第一子阻挡层...
    2026-02-10
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