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  • 本申请涉及材料表面处理技术领域,公开了一种金属表面处理方法及金属工件。本申请金属表面处理方法包括以下步骤:S1、基底预处理:在真空环境中对金属基底进行烘烤、清洗;S2、离子注入:利用离子源向基底表面注入金属离子,在基底内部形成离子注入层;S...
  • 本发明高硬度高耐磨表面精密涂层制备法,流程:对应设置快捷展开式挂具承载结构、上部挂设模组;产品挂设时,呈12‑18°的倾斜状;推入涂层制备设备进行高速涂层制备;涂层制备设备内进行加热至150°;炉体内填充氩气0.5Pa,离子源模组进行离子刻...
  • 本申请涉及一种夹持组件、真空蒸镀装置及传感器探测工件表面镀膜方法,所述夹持组件包括承载件和盖件,所述承载件上设置有贯穿所述承载件的通孔;所述通孔用于承放待镀工件,并使所述待镀工件的表面从所述承载件沿所述通孔轴向的两侧露出;所述盖件盖设于所述...
  • 本申请涉及一种真空镀膜用托盘传动系统及连续真空镀膜设备,涉及真空镀膜托盘传动领域,包括:托盘主体和驱动装置,托盘主体一侧设置有导向配合件,驱动装置包括动力输入设备和导向驱动件,导向驱动件被设计为可驱动导向配合件移动,动力输入设备设置于真空镀...
  • 本申请公开了一种基片台结构、TGV基板的种子层沉积设备及方法,基片台结构包括:基片台本体;绝缘支撑部,绝缘支撑部设置于基片台本体的上表面,绝缘支撑部被配置为适于贴合支撑TGV基板;第一顶升部,第一顶升部被配置为能够向上穿过绝缘支撑部,以顶升...
  • 本发明公开了一种真空镀膜工艺参数自适应调节方法及系统,包括数据采集层、DRL智能体和执行层,其中所述DRL智能体包含策略网络和评价网络,所述DRL智能体采用双循环学习机制,包括离线模仿学习模块和在线强化学习模块。本技术方案通过DRL解耦多辊...
  • 本发明提供一种脉冲激光沉积过程在线监测装置及方法,涉及材料制备与过程监测技术领域,包括:生长腔、设置于所述生长腔内的衬底支撑机构和靶材支撑机构、以及对靶材进行烧蚀的脉冲激光器,还包括:光谱采集单元,用于采集由所述脉冲激光器烧蚀靶材产生的等离...
  • 本发明公开了一种用于塑料制品的真空镀膜装置,属于镀膜设备技术领域,本发明包括固定腔和转动连接于固定腔上的两组活动腔,所述活动腔的上下两端均转动连接有两组转盘,两组转盘之间设有若干沿圆周阵列的转杆,两组所述转盘之间还设有位于轴线上的驱动轴,所...
  • 本发明涉及滤光片镀膜技术领域,特别是涉及一种光通信滤光片镀膜系统及镀膜方法。通过布置双光路监测组件和监控系统,能够在镀膜过程中针对两种材料的喷镀区域分别进行膜厚动态监测,并根据膜厚监测结果实时调控两修正挡板的姿态,实现滤光片镀膜厚度的实时修...
  • 本发明涉及镀膜设备领域,公开了一种高效热交换卷绕镀膜冷辊,其包括外套和芯轴。其中,外套套于芯轴上,并密封固定连接。外套的端面上设置有若干直线冷却水道;每条冷却水道的两端密封堵住。芯轴的外壁上设置有若干个汇水槽,汇水槽与外套的内壁形成一个集水...
  • 本发明公开了一种用于物理气相沉积过程中贵金属回收的涂层及方法,该涂层主要由位于下层的镀银层和位于镀银层表面的有机硅改性层组成。回收贵金属前,首先在物理气相沉积过程中需要进行贵金属回收的位置表面制备该涂层,物理气相沉积完成后,采用粘胶带粘贴在...
  • 本申请涉及一种抽气结构及薄膜沉积设备、方法,该抽气结构包括:第一层抽气环和第二层抽气环;第一层抽气环包括第一内环和第一外环,所述第一内环被设置为多个分块;所述第一外环和第一内环上均沿周向开设有多个抽气小孔,所述第一内环的多个分块拼接形成与所...
  • 本发明公开了一种反应腔的密封装置和半导体器件的加工设备。该密封装置包括:磁场发生器,用于提供外加磁场;以及主密封件,位于所述反应腔与所述管路之间的密封槽内,所述主密封件包括具有磁性颗粒的液态金属,所述磁性颗粒沿所述外加磁场的磁力线方向链状排...
  • 本发明公开了一种真空镀膜干法蚀刻方法,包括如下步骤:1)根据薄膜的功能属性,确定待进行蚀刻的膜层材料;2)根据待蚀刻的膜层材料,选择用于进行蚀刻工艺的蚀刻气体;3)根据选定的蚀刻气体,对待蚀刻的膜层材料进行正交试验,确定蚀刻速率;4)根据待...
  • 本发明提出了一种低热预算的氧化铪基铁电薄膜退火工艺及氧化铪基铁电薄膜,涉及铁电薄膜领域,对所述氧化铪基铁电薄膜采用多次低温快速退火循环,包括以下步骤:以10‑80K/s的升温速率,升温至退火温度400℃,保温15‑120s,以不小于10K/...
  • 一种薄膜的制备方法及半导体制造设备,方法包括:在反应腔室内,提供处理件,处理件具有开口;对处理件进行一次或多次工艺周期,在开口中以及处理件的表面形成薄膜,工艺周期包括:对处理件进行一次或多次沉积处理,使用卤族前驱体在开口的内壁以及处理件的表...
  • 本发明提供掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法。所述掺杂微晶硅层的制作方法首先提供PECVD设备,所述PECVD设备包括反应腔以及位于所述反应腔内相对平行设置的上极板以及下极板,所述上极板与射频电源连接;然后将硅片置于所述下...
  • 本发明提供掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法。所述掺杂微晶硅层的制作方法首先提供PECVD设备,将硅片置于PECVD设备的反应腔中;然后将所述反应腔的压力调整为第一沉积压力,在其中进行掺杂PECVD工艺以在所述硅片上沉积微...
  • 本发明提供一种非晶碳/铜复合导线及其制备方法,从石墨烯非晶化的角度出发,通过对卷对卷化学气相沉积制备的石墨烯/铜复合材料进行激光辐照,激光诱导石墨烯中碳原子形成丰富的五边形和七边形碳环,在环境条件下构建非晶态结构,得到非晶碳/铜复合导线,制...
  • 本申请公开了一种有机废油水蒸气重整耦合化学气相沉积金刚石镀膜系统及方法,系统包括杂质预处理模块、水蒸气重整模块、补充气源模块、气体预混模块、在线气相色谱分析模块和化学气相沉积金刚石镀膜模块;杂质预处理模块用于去除有机废油中的固体颗粒、水分、...
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