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最新专利技术
  • 微电子装置、存储器装置及电子系统
    微电子装置、存储器装置及电子系统_美光科技公司_202510980009.1
    本申请涉及微电子装置、存储器装置及电子系统。一种微电子装置可包含平面，该平面包括在第一方向上平行地水平延伸且在正交于第一方向的第二方向上与狭槽结构水平交替的块。该块可包含个别地包含导电材料及与导电材料竖直相邻的绝缘材料的层面。装置还可包含额...
    2026-01-28
  • 包括字线接触部的存储器装置
    包括字线接触部的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510115476.8
    本公开提供一种包括字线接触部的存储器装置。根据本公开的实施例，一种存储器装置可以包括：第一衬底，包括单元区域和扩展区域，扩展区域在第一方向上从单元区域延伸；堆叠结构，包括多个层间绝缘层和多个电极层，多个层间绝缘层和多个电极层在第一衬底上交替...
    2026-01-28
  • 用于形成半导体设备的方法
    用于形成半导体设备的方法_长江存储科技有限责任公司_202511511465.8
    本公开内容的各方面提供了一种用于半导体设备制造的方法。该方法包括：通过对第一管芯的第一侧进行处理来在层叠置体中形成端部在第一层中的垂直结构。与第二层相比，第一层对于层叠置体具有更好的蚀刻选择性。该方法还包括：通过对第一管芯的与第一侧相对的第...
    2026-01-28
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410924121.9
    本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统，其中半导体器件包括连接层、叠层结构和第一接触结构。叠层结构沿第一方向位于连接层的一侧。第一接触结构包括第一介质填充部以及围绕第一介质填充部的第一导电层，其中第一介质填充部和第一导...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410935095.X
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。半导体结构包括连接结构、第一沟道结构和连接部。第一沟道结构包括沿第一方向延伸的第一沟道层和环绕第一沟道层的第一功能层。第一功能层包括在第一方向上间隔排布的第一子部分和第二子部分。第一子部分位...
    2026-01-28
  • 三维铁电存储器件
    三维铁电存储器件_三星电子株式会社_202510996072.4
    本公开提供了一种三维铁电存储器件。所述三维铁电存储器件包括：衬底；多条位线，其在所述衬底上在第一方向上延伸，并且彼此间隔开；第一块选择线和第二块选择线，其在所述多条位线上方在所述第二方向上延伸；第一字线，其与所述第一块选择线的至少一部分交叠...
    2026-01-28
  • 存储阵列及其制作方法、存储器及电子设备
    存储阵列及其制作方法、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410980935.4
    本申请实施例提供一种存储阵列及其制作方法、存储器及电子设备，旨在增加了存储阵列中存储单元的数量，进而提高存储器的存储容量。本申请实施例提供的存储阵列包括多个阵列设置的导电柱，多个导电板沿导电柱长度方向间隔设置，第一列的多个导电柱和第二列的多...
    2026-01-28
  • 基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用
    基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511636762.5
    本发明公开了一种基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用。基于MFM的存储与显示一体化器件包括依次层叠设置的半导体基片、底电极、铁电功能层以及顶电极，所述底电极、所述铁电功能层和所述顶电极配置形成金属‑铁电‑金属结构，所述底电极与...
    2026-01-28
  • 存储芯片结构及其制备方法
    存储芯片结构及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202410976188.7
    本申请公开了一种存储芯片结构及其制备方法。该存储芯片结构包括基底，基底具有第一表面；阵列区，阵列区包括第一连接线，磁性隧道结、顶部电极、第一连接部和位线，其中，第一连接线设置在第一表面上，磁性隧道结设置在第一连接线背离基底一侧，位线设置在第...
    2026-01-28
  • 磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法
    磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法_北京超弦存储器研究院_202410977019.5
    本公开提供了一种磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法，该磁性存储结构包括自旋轨道矩耦合层和多个磁存储元件。其中，各磁存储元件均包括磁性隧道结以及单向导通件，多个磁存储元件中的磁性隧道结并列设置于自旋轨道矩耦合层上，单向导通件连接于磁性...
    2026-01-28
  • 磁阻式随机存取存储器布局结构
    磁阻式随机存取存储器布局结构_联华电子股份有限公司_202411083304.9
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器布局结构，其中每个存储单元包含一第一字线、一第三字线以及一第二字线依序间隔排列在基底上且往一第一方向延伸越过主动区域、一第一磁隧穿结位于半导体后段金属层中，且一端连接到第二主动区域而另一端连接到一第一位线、...
    2026-01-28
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_杭州富芯半导体有限公司_202511554309.X
    本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，通过提供基底，基底包括衬底、位于衬底内的源极区和漏极区、位于源极区、漏极区之间的衬底上的栅极结构；于基底上形成介质层，于介质层上形成第一金属互连层，其中，第一金属互连层包括第一绝缘层和贯穿第一...
    2026-01-28
  • 半导体结构、存储芯片和电子设备
    半导体结构、存储芯片和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511633133.7
    本公开涉及一种半导体结构、存储芯片和电子设备，该半导体结构包括中介连接层、逻辑芯片和多个存储芯片。其中，逻辑芯片和多个存储芯片连接于中介连接层的一侧，且多个存储芯片在第一方向上位于逻辑芯片的侧向；存储芯片在第二方向的总长度大体等于逻辑芯片在...
    2026-01-28
  • 一种UFS芯片的封装方法
    一种UFS芯片的封装方法_华天科技(南京)有限公司_202511434560.2
    本发明提供了一种UFS芯片的封装方法，其使得整体封装的塑封体的内部连接线路简单，使得塑封体的厚度相对较薄，且封装后的散热性能好。其包括有至少一元器件、多块层叠的Nand Flash芯片、一FC芯片，将FC芯片反贴, 同时层叠的Nand Fl...
    2026-01-28
  • 超深沟槽氧化铝的填充方法
    超深沟槽氧化铝的填充方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511430706.6
    本发明公开了一种超深沟槽氧化铝的填充方法，提供一晶圆，所述晶圆上具有需要填充氧化铝的超深沟槽；将所述晶圆送入反应腔室，通入TMA/N22原料气体，在反应腔室内反应一段时间；进行留置步骤，原料气体在反应腔室内滞留；对反应腔室内进行清洗，去除反...
    2026-01-28
  • 电容结构、集成电路板及电容结构的制造方法
    电容结构、集成电路板及电容结构的制造方法_深圳大学_202511271400.0
    本发明涉及电容技术领域，公开了一种电容结构、集成电路板及电容结构的制造方法，电容结构，包括衬底、第一导电层、第二导电层、绝缘层、第一引脚和第二引脚，衬底上开设有通孔，第一导电层贴设在通孔的侧壁，绝缘层贴设在第一导电层上，第二导电层贴设在绝缘...
    2026-01-28
  • 一种具有共接阴极low K介质层和分立场板结构的准垂直肖特基势垒二极管
    一种具有共接阴极low K介质层和分立场板结构的准垂直肖特基势垒二极管_河北工业大学_202511544524.1
    本发明为一种具有共接阴极low K介质层和分立场板结构的准垂直肖特基势垒二极管。该二极管的组成包括：衬底上覆盖有N++电流扩展层，N++电流扩展层上的一侧覆盖有N‑‑漂移层，N‑‑漂移层为朝向内侧的台阶状，其上表面矩阵分布有分立场板介质层，...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996407.2
    方法包括在第一半导体区域和第二半导体区域上方分别形成第一栅极电介质和第二栅极电介质，在第一栅极电介质和第二栅极介电质上方分别形成包括第一部分和第二部分的第一功函层，图案化第一功函数以去除第一功函层的第二部分，以及在第一栅极电介质和第二栅电介...
    2026-01-28
  • 半导体装置以及其制造方法
    半导体装置以及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511366123.1
    提供一种半导体装置以及其制造方法。制造方法包含以下步骤：将一半导体层图案化为一通道层，其中该半导体层位于一基板上的一介电层上方；移除该通道层下方的该介电层的一第一部分以转动通道层，使得该通道层的一第一端高于该通道层的一第二端；及在该通道层上...
    2026-01-28
  • SiC MOSFET器件及其制备方法
    SiC MOSFET器件及其制备方法_江苏宏微科技股份有限公司_202511435164.1
    本发明属于SiC MOSFET器件技术领域，具体涉及一种SiC MOSFET器件及其制备方法。本发明的SiC MOSFET制备方法通过将现有的常规Pwell版、N+版和P+版三次光刻工艺简化为只有一次Pwell版工艺，其中关键的N+版改为由...
    2026-01-28
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