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最新专利技术
  • 一种利用氧空位调控铁电氧化物薄膜极化取向的方法
    一种利用氧空位调控铁电氧化物薄膜极化取向的方法_南京大学_202511420005.4
    本发明公开了一种利用氧空位调控铁电氧化物薄膜极化取向的方法，所述方法包括在1×10‑9‑9‑1×10‑4‑4Torr范围下生长铁电氧化物薄膜，引入氧空位；将生长结束的铁电氧化物薄膜在1×10‑7‑7‑1×1055Torr氧压下进行退火处理，...
    2026-04-29
  • 深沟槽硅电容器及其制备方法
    深沟槽硅电容器及其制备方法_上海朗矽科技有限公司_202511463435.4
    本公开提供了一种深沟槽硅电容器及其制备方法。所述制备方法包括：在硅衬底上刻蚀形成若干个深沟槽，并交替沉积介质层和电极层，形成多层堆叠结构；在多层堆叠结构上位于深沟槽一侧的预设位置处进行刻蚀，形成第一接触孔；采用第一制备工艺对第一接触孔进行制...
    2026-04-29
  • 电容器结构及其制备方法
    电容器结构及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518423.7
    本申请公开了一种电容器结构及电容器结构的制备方法。该电容器结构包括：基底；第1至第m个导电层，沿着远离所述基底的方向堆叠设置，相邻的两个所述导电层之间设有介质层；m为大于或等于3的整数；其中，对于第n导电层和第(n+1)导电层，n≥1，(n...
    2026-04-29
  • 电容器结构及其制备方法
    电容器结构及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518451.9
    本申请公开了一种电容器结构及电容器结构的制备方法。该电容器结构包括：衬底；第1至第m个导电层，m为大于或等于3的整数；各导电层设有通孔组，通孔组包括多个通孔；其中，对于第n导电层、第(n+1)导电层以及第(n+2)导电层，n≥1，(n+2)...
    2026-04-29
  • 一种硅电容及其制备方法
    一种硅电容及其制备方法_安徽云晶集成电路有限公司_202511542950.1
    本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽；在导电衬底上形成介质层；在介质层上沉积上电极；在上电极与...
    2026-04-29
  • 一种硅电容及其制备方法
    一种硅电容及其制备方法_安徽云晶集成电路有限公司_202511543044.3
    本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽，采用博世工艺的深反应离子刻蚀使得立柱的侧壁沿竖直方向为波...
    2026-04-29
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511666548.4
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：在衬底上形成掩膜层；掩膜层包括刻蚀窗口；基于刻蚀窗口，对衬底进行刻蚀，在衬底内形成沟槽；其中，在沟槽的深度方向上，沟槽包括多级子沟槽，子沟槽的侧壁为曲面。本申请技术方...
    2026-04-29
  • 快恢复二极管及其制备方法
    快恢复二极管及其制备方法_青岛惠科微电子有限公司_202511331844.9
    本申请公开了一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括衬底、多晶硅层、第一外延层、钝化层、阴极和阳极，所述衬底为高浓度第一类型掺杂层，所述多晶硅为第一类型掺杂层，所述第一外延层为低浓度第一类型掺杂层，所述多晶硅层位于衬底和第一外延层...
    2026-04-29
  • 高压二极管及其制备方法
    高压二极管及其制备方法_青岛惠科微电子有限公司_202511333778.9
    本申请公开了一种高压二极管及其制备方法，所述高压二极管包括衬底、外延层、至少一个加强组件和钝化层，所述外延层上设有主结区和至少一个环绕所述主结区设置的分压环；所述加强组件包括浅沟槽、电荷吸附件和绝缘隔离件，所述浅沟槽与所述分压环相邻设置；所...
    2026-04-29
  • 高压二极管及其制备方法
    高压二极管及其制备方法_青岛惠科微电子有限公司_202511333786.3
    本申请公开了一种高压二极管及其制备方法，所述高压二极管包括衬底、外延层、主结沟槽、多晶硅场板、阳极层和侧阻隔部，所述外延层远离所述衬底的一侧设有主结区和至少一个环绕所述主结区设置的分压环区，所述主结沟槽设置在所述主结区，且所述主结沟槽的深度...
    2026-04-29
  • n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法
    n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202410939429.0
    本发明公开了一种n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法。n型氮化镓肖特基界面处理方法包括：以第一氨水稀释溶液对n型氮化镓的肖特基界面进行清洁处理；在真空环境中，以氮等离子体对n型氮化镓的肖特基界面进行反应修复处理；以...
    2026-04-29
  • 一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法
    一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法_芯派科技股份有限公司_202511410545.4
    本发明涉及脉冲功率技术半导体换路开关技术领域，公开了一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法，制造方法包括以下步骤：以P或N型硅为衬底，在衬底两侧均进行扩散处理形成第一中间件，第一中间件的两侧可分为打标侧和非打标侧；在非打标侧对第...
    2026-04-29
  • 基于基底温度精密调控微波整流用氮化镓肖特基二极管势垒高度的方法
    基于基底温度精密调控微波整流用氮化镓肖特基二极管势垒高度的方法_江南大学_202511558356.1
    本发明公开了一种基于基底温度精密调控微波整流用氮化镓肖特基二极管势垒高度的方法，所述方法为利用磁控溅射法制备氮化镓肖特基二极管的肖特基阳极，通过连续调控磁控溅射时的基底温度来调控氮化镓肖特基二极管的势垒高度，基底温度调整的温度间隔为25~1...
    2026-04-29
  • 导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法
    导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法_重庆万国半导体科技有限公司_202511574002.6
    本发明公开了一种导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法，制作方法包括：在所述N型衬底上外延生长第一N型外延层；在所述第一N型外延层的表面注入形成间隔分布的多个P型逆转区；在所述第一N型外延层上外延生长第二N型外延层；完成器件的后续制作工...
    2026-04-29
  • 半导体结构和半导体结构的形成方法
    半导体结构和半导体结构的形成方法_广州增芯科技有限公司_202511609148.X
    一种半导体结构和半导体结构的形成方法，结构包括：基底，基底包括第一有源区、第二有源区和齐纳二极管掺杂区，第一有源区包括有效区、以及环绕有效区的边缘区，齐纳二极管掺杂区位于有效区下方，第二有源区位于第一有源区的两侧；浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离...
    2026-04-29
  • 一种集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管及其制备方法
    一种集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管及其制备方法_复旦大学_202511391454.0
    本发明公开一种集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中，该集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管包括：碳化硅衬底，其为第一掺杂类型；碳化硅漂移层，形成在碳化硅衬底上，其为第一掺杂类型；多个结终端结构，其为第二掺杂类型，间隔分布于碳化...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511572915.4
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层具有第一掺杂类型；多个第一掺杂区，间隔的位于外延层中，第一掺杂区具有背离衬底的第一表面和靠近衬底的第二表面，第一表面包括第一曲面，且...
    2026-04-29
  • 一种肖特基二极管及其制备方法
    一种肖特基二极管及其制备方法_广微集成技术(深圳)有限公司_202511627721.X
    本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括重掺杂N型衬底层及形成于其上表面的轻掺杂N型外延层，轻掺杂N型外延层的上部设有沟槽结构，沟槽结构内填充有掺杂多晶硅，掺杂多晶硅为掺杂P型杂质的多晶硅，掺杂多晶硅作为固相扩散源，通过对掺...
    2026-04-29
  • 一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法
    一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法_广微集成技术(深圳)有限公司_202511637323.6
    本发明公开一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法，涉及功率半导体器件领域，包括：N‑‑漂移层；阳极金属，形成于N‑‑漂移层之上并与N‑‑漂移层形成肖特基接触；第一沟槽，设置于阳极金属下方的N‑‑漂移层中；第二沟槽，设置于阳极金属下方的N...
    2026-04-29
  • 竖直异质结双极晶体管
    竖直异质结双极晶体管_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510632609.9
    本公开涉及半导体结构，更具体地涉及竖直异质结双极晶体管及制造方法。该结构包括：集电极区，其位于半导体衬底上方；基极区，其位于集电极区上方；发射极区，其邻近基极区；以及底切结构，其位于半导体衬底上方并邻近集电极区。
    2026-04-29
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