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最新专利技术
  • 一种NOR存储器电荷状态检测电路
    一种NOR存储器电荷状态检测电路_恒烁半导体(合肥)股份有限公司_202511657478.6
    本发明公开了一种NOR存储器电荷状态检测电路，涉及NOR存储器技术领域，包括微控制模块，控制电源模块为存储器模块中连接的晶体管提供检测电能，并为晶体管提供一个缓慢升压的驱动电能，控制晶体管的导通状态，电流检测模块对存储器模块进行电流采样，由...
    2026-03-01
  • NORD闪存的版图结构
    NORD闪存的版图结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511393975.X
    本发明提供了一种NORD闪存的版图结构，包括：多行间隔设置的字线，字线通过接触孔连接第一金属层；多行间隔的第一控制线和多行间隔的第二控制线，每行字线对应一行第一控制线和一行第二控制线，每行字线的一侧为第一控制线，另一侧为第二控制线；每相邻两...
    2026-03-01
  • 铁电存储器及其读取方法和读取电路
    铁电存储器及其读取方法和读取电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511429888.5
    本发明提供铁电存储器及其读取方法和读取电路，在铁电存储器的读取方法中，对位线和感测放大器输出端充电至预充电电压；将与待读取铁电电容连接的板线的电压从预充电电压降至0V，待读取铁电电容极化改变并引起位线上的电流变化；感测放大器输出端的电容上的...
    2026-03-01
  • 存储器装置及其刷新方法
    存储器装置及其刷新方法_华邦电子股份有限公司_202511427525.8
    本发明提供一种存储器装置及其刷新方法。所述存储器装置包括存储器阵列以及存储器控制电路。存储器控制电路包括刷新地址缓冲器。刷新地址缓冲器计数存取指令的次数以产生第一计数值，计数刷新指令的次数以产生第二计数值，并在所述第一计数值等于所述第二计数...
    2026-03-01
  • 存储器装置和存储器装置的刷新方法
    存储器装置和存储器装置的刷新方法_三星电子株式会社_202510200991.6
    提供一种存储器装置和存储器装置的刷新方法。所述存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个子阵列块，其中，所述多个子阵列块包括多条字线和多条位线；命令解码器，被配置为对从存储器控制器接收的命令进行解码并且生成刷新命令以控制刷新操作；以及刷新控...
    2026-03-01
  • 半导体存储装置及其刷新控制方法
    半导体存储装置及其刷新控制方法_华邦电子股份有限公司_202510908194.3
    本发明提供一种半导体存储装置及其刷新控制方法，以抑制不必要电力消耗。半导体存储装置包括：具有多个区段的存储单元阵列，每个区段具有多条普通字线和多条冗余字线；以及，行冗余电路，被配置为在刷新操作期间活化这些普通字线中的不具缺陷者及这些冗余字线...
    2026-03-01
  • 一种交叉点阵存储阵列的操作方法
    一种交叉点阵存储阵列的操作方法_北京超弦存储器研究院_202511465369.4
    本发明提供一种交叉点阵存储阵列的操作方法，属于半导体存储器领域。本发明交叉点阵存储阵列中存储单元为金属‑铁电介质层‑金属的铁电电容，所述铁电电容的两端电极板分别与字线和位线相连，且为功函数不同的金属，该铁电电容具有较大正/负极化翻转矫顽电压...
    2026-03-01
  • 数据传输电路及存储器
    数据传输电路及存储器_长鑫闵科存储技术(上海)有限公司_202511404092.4
    本公开提供一种数据传输电路及存储器。数据传输电路包括第一驱动电路，第一驱动电路包括：上拉电路；控制电路，控制电路接收第一使能信号和第一数据信号，控制电路的输出端与上拉电路电连接，控制电路用于根据第一使能信号和第一数据信号，控制上拉电路以输出...
    2026-03-01
  • 一种基于DRAM的高带宽存储模块
    一种基于DRAM的高带宽存储模块_芯动微电子科技(武汉)有限公司_202511882416.5
    本发明公开了一种基于DRAM的高带宽存储模块。存储模块包括基板、转换模块和DRAM模块裸片；DRAM模块裸片与基板的第一面形成导电连接，基板的第一面再与转换模块形成导电连接；转换模块用于对DRAM模块裸片与外界的往来信号进行处理，以提高DR...
    2026-03-01
  • 一种基于SRAM的双行读取电路及方法
    一种基于SRAM的双行读取电路及方法_安徽大学_202511742271.9
    本发明公开了一种基于SRAM的双行读取电路及方法。该电路包括位于阵列奇数行的多个第一单元、位于阵列偶数行的多个第二单元以及外围检测电路。每个第一单元包括交叉耦合连接的第一反相器、第二反相器以及NMOS管N1、N2、N5、N6，每个第二单元包...
    2026-03-01
  • 一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统
    一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统_北京宽温微电子科技有限公司_202511882191.3
    本申请提供一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统，涉及寄存器技术领域，该SRAM读写辅助电路包括写辅助电路、读辅助电路以及控制模块，当处于读数据阶段时，控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路下发送第一控制信号，关闭写辅助电路，驱动读辅助电...
    2026-03-01
  • 电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法
    电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法_三星电子株式会社_202510135815.9
    提供了一种电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法。所述电阻式存储装置包括存储单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括电阻式存储器单元和复位晶体管，复位晶体管中的每个结合到源极线中的相应一条，并且源极线中的每条在相应一对相...
    2026-03-01
  • 一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法
    一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法_南方科技大学_202511334292.7
    本发明公开了一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法，RRAM电荷域非线性抵消电路包括：模拟存储模块、电压生成模块、存内计算模块；其中，所述电压生成模块用于输出斜坡电压信号；存内计算模块用于根据所述源线电压信号和字线打开时间进行...
    2026-03-01
  • 面向工业实时控制的ReRAM存算一体芯片及数据处理方法
    面向工业实时控制的ReRAM存算一体芯片及数据处理方法_四川华承亿科技有限公司_202511661818.2
    本发明公开面向工业实时控制的ReRAM存算一体芯片及数据处理方法，涉及电子信息技术领域，芯片包括主存算阵列、微调阵列、状态监测单元、最优结果选择器及交织式参考列，主存算阵列划分为多个独立子阵列执行主要控制模型计算；微调阵列预置多种权值增量模...
    2026-03-01
  • efuse读写电路及其读写方法
    efuse读写电路及其读写方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511529894.8
    本发明提供一种efuse读写电路及其读写方法，efuse读写电路包括至少一个efuse读写区块。efuse读写区块包括：efuse存储阵列，包括若干个存储单元；编程控制模块，包括n个编程控制单元，分别连接各位线的第一端，通过与字线配合选中任...
    2026-03-01
  • 存储器装置及其操作
    存储器装置及其操作_长江存储科技有限责任公司_202410939662.9
    在某些方面中，一种存储器装置包括存储器单元块以及耦合到所述存储器单元块的外围电路。所述外围电路被配置为：在擦除操作中，预擦除所述存储器单元块；在预擦除所述存储器单元块之后，对所述存储器单元块进行编程；以及在对所述存储器单元块进行编程之后，擦...
    2026-03-01
  • 存储装置的编程方法、存储装置及存储系统
    存储装置的编程方法、存储装置及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202511427457.5
    本申请实施例公开了一种存储装置的编程方法、存储装置及存储系统，所述存储装置包括多个平面；所述方法包括：使用以第一步增量增加的编程电压，对所述多个平面中的至少两个平面进行编程；对所述至少两个平面进行验证，确定所述至少两个平面中存在验证异常的平...
    2026-03-01
  • 基于均衡策略的数据写入方法
    基于均衡策略的数据写入方法_深圳市振邦智能科技股份有限公司_202511558196.0
    本发明公开了一种基于均衡策略的数据写入方法，所述方法包括：获取目标存储器的所有活跃区块，并将所述活跃区块分为高磨损区块以及低磨损区块；将所述高磨损区块中的冷数据迁移至所述低磨损区块。本发明可以动态迁移冷数据，提高存储器的使用寿命。
    2026-03-01
  • 非易失性存储器及其数据擦除方法
    非易失性存储器及其数据擦除方法_长江存储科技有限责任公司_202511460864.6
    本申请实施例公开了一种非易失性存储器及数据擦除方法。存储器包括多个存储单元串，每个存储单元串包括串接的选择栅晶体管和存储单元。方法包括：向待进行擦除操作的存储单元串施加具有台阶状上升的电压波形的台阶擦除电压；在台阶擦除电压从其中间电平升高至...
    2026-03-01
  • 用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法
    用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202510625938.0
    本发明提供了一种用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法。该存储器件包括：单元串，包括存储单元；以及页缓冲器，被配置为通过位线连接到单元串，并且被配置为通过感测锁存器电路感测存储单元中的所选择的存储单元的数据，其中，感测锁存器电路包括：感测锁...
    2026-03-01
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