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  • 一种基于光纤可饱和吸收放大的全光纤脉冲激光装置及产生方法, 装置:脉冲激光装置由泵浦模块、光纤环形器、掺杂可饱和吸收光纤放大器、主振荡器组成。方法:泵浦模块输出泵浦光至光纤环形器;光纤环形器将泵浦光传输至掺杂可饱和吸收光纤放大器中,同时,主...
  • 本发明公开了一种基于法拉第反常色散原子滤光的激光稳频系统,用于对相位调制多边带激光进行稳频,包括:倍频激光器单元:配置为包括基频种子光源、电光调制器、基频放大器和倍频晶体;分光模块单元:配置为将倍频光分为主输出光路和监测光路;原子旋光滤波器...
  • 本发明涉及光频率补偿技术领域,提供一种光频补偿方法、装置、设备、介质及计算机程序产品,该方法包括:提取同模式族相邻光学模式的共振频率;根据同模式族相邻光学模式的共振频率,确定自由光谱范围值;对自由光谱范围值的变化趋势进行分析,得到反向结构补...
  • 本发明公开一种子脉冲能量可编程的高功率皮秒脉冲串激光器及方法,涉及激光器相关技术领域,包括沿光传输路径依次设置的锁模光纤激光器、声光调制器和固体放大链;锁模光纤激光器产生锁模皮秒脉冲序列;声光调制器对锁模皮秒脉冲序列进行脉冲选择和脉冲串分组...
  • 本发明涉及一种用于原子磁强计的激光频率与功率控制系统,该系统通过饱和吸收实现激光频率稳定,并且通过控制声光调制器实现激光功率的稳定和幅值方波控制和激光频率控制,抑制了激光功率波动及低频噪声干扰,从而显著提高了原子磁强计的检测精度,而且通过D...
  • 本发明提供一种异质集成薄膜激光器,包括:硅衬底(5);所述硅衬底(5)上的氧化硅填埋层(4);所述氧化硅填埋层(4)上的硅波导(3);所述硅波导(3)上的粘附层(2);以及所述粘附层(2)上的外延层薄膜(1);绝缘层(6),所述绝缘层形成在...
  • 本申请涉及一种用于加热的激光器。该激光器包括:所述基座具有安装平面,所述基座的内部设有冷却液流道;多个所述激光芯片在所述安装平面上阵列设置,所述激光芯片的相背两侧中,其中一侧与所述安装平面导热接触,另一侧用于发射垂直所述安装平面的激光束;所...
  • 本申请涉及光电子器件技术领域,公开了一种紧凑型电泵浦相干宽带中红外硫系玻璃‑硅基混合集成光源系统。该系统包含硅基片上泵浦飞秒激光器模块和光纤扩谱压缩模块。片上模块在电泵浦下产生飞秒脉冲;光纤模块按序包括硫系光子晶体光纤和反常色散补偿器。片上...
  • 本发明公开一种DFB激光器中有源区的防氧化处理方法,包括:首先在暴露出AlInGaAs有源区侧壁的刻蚀面上,通过多硫化铵溶液处理形成硫化物钝化保护层;随后施加有机硅前驱体蒸汽与臭氧的混合气体进行气相处理,在保护层表面及边缘构建硅氧烷基交联网...
  • 本公开属于固态激光器技术领域,提供了一种紫外波段激光产生装置。该装置包括集成于同一衬底上的固态激光器、倍频模块、光电探测器,以及外接的PID控制模块;固态激光器为InxxGa1‑1‑xxN/MyyGa1‑y1‑yN结构,其中InxxGa1‑...
  • 本发明涉及一种VCSEL芯片发光角度的调控方法,包括:基于目标发散角,确定一个能通过热光效应实现该发散角的标准横向温度分布模板;于其发光单元周围的半导体层内,制备出一种通过其自身的图形与布局来主动调节发光单元周围的横向温度分布情况的集成式散...
  • 本发明提供一种高重频锁模外腔半导体激光器,包括可饱和吸收体区、增益区、相位调节区、分光区、微环谐振区。相位调节区、分光区和微环谐振区构成外腔,增益区提供光学增益,可饱和吸收区一侧镀有高反膜,与外腔结构共同构成光学谐振腔。当法布里玻罗谐振腔与...
  • 本申请公开了一种激光器电流检测与动态控制方法及系统,方法包括:步骤1:控制模块设定预设电流I0后,控制N组电流检测模块分别对N颗激光器的N个实际工作电流IN进行实时采样并处理,得到N个数字采样信号,将N个数字采样信号发送给控制模块;步骤2:...
  • 本申请公开了一种基于法布里‑珀罗腔多峰锁定的激光频率失谐与控制方法及实现该方法的系统,其中控制方法包括以下步骤:将已锁定腔长的法布里‑珀罗腔作为稳定的频率参考源;将待稳频激光器输出的激光入射至所述法布里‑珀罗腔,检测其透射光强信号;通过控制...
  • 一种功率平坦的多波长半导体激光器,包括有源增益区、相位调节区、滤波区、增益平坦区和反射区,有源区与无源区集成在同一基底上,有源区一侧镀高反膜;相区上制作热调电极;滤波区制作微环结构;增益平坦区制作级联非平衡马赫曾德尔干涉仪;反射区制作萨格纳...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为基于环状刻蚀金属光栅的二维全固态大角度蝶型激光器,包括:衬底;激光量子阱增益层,设置在所述衬底的上端面;环状刻蚀金属光栅,设置在所述激光量子阱增益层的上部波导层;上包层,通过半导体二次外延法构建在所述环...
  • 本发明公开一种基于模式结点选择性滤模的垂直腔面发射激光器,属于半导体激光器技术领域,包括衬底,衬底的顶面设有下层n型DBR,下层n型DBR的顶面由下至上依次设有有源区、氧化限制层、上层p型DBR,下层n型DBR的顶面还设有负电极,上层p型D...
  • 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域,特别是涉及一种基于多层光子过滤层的高功率单模激光器结构,包括衬底层,衬底层上设置有DBR,DBR内嵌设有有源区;DBR内嵌若干光子过滤层,光子过滤层的横向呈现中心低折射率区与外围高折射率区的一体化分布,...
  • 本申请公开了调制光栅Y分支宽带调谐外腔激光器、设备,该调制光栅Y分支宽带调谐外腔激光器包括:半导体光放大器SOA增益芯片区;外腔波导区;耦合模块,半导体光放大器SOA增益芯片区和外腔波导区通过耦合模块耦合连接,其中,外腔波导区包括:波导结构...
  • 本发明提供一种能够提高光输出的光子晶体面发射激光器及其制造方法。光子晶体面发射激光器具备:第一半导体层;有源层,层叠于所述第一半导体层之上;第二半导体层,相对于所述有源层而设置为与所述第一半导体层相反;光子晶体层,设置于所述第一半导体层与所...
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