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最新专利技术
  • 一种工字形离子热电水凝胶膜及其制备方法
    一种工字形离子热电水凝胶膜及其制备方法_郑州大学_202511040860.2
    本发明涉及离子热电材料领域，尤其涉及一种工字形离子热电水凝胶膜及其制备方法，一种工字形离子热电水凝胶膜，包括离子热电水凝胶膜，所述离子热电水凝胶膜呈工字形，即工字形离子热电水凝胶膜，通过优化设计“工”字形结构，提高了离子热电水凝胶膜两端的有...
    2026-01-18
  • 声学传感器的制备方法及声学传感器
    声学传感器的制备方法及声学传感器_瑞声科技(新加坡)有限公司_202511361871.0
    本发明实施例提供了一种声学传感器的制备方法，包括：提供基底单元包括第一硅层、第一氧化层以及第二硅层；于第二硅层顶部形成第二氧化层、压电复合层；图案化压电复合层及基底单元，形成暴露第一电极层部分顶面的第一开口、暴露第一氧化层部分顶面的第一狭缝...
    2026-01-18
  • 一种高温无铅压电陶瓷材料及其制备方法、压电陶瓷器件
    一种高温无铅压电陶瓷材料及其制备方法、压电陶瓷器件_西安电子科技大学_202511356137.5
    本发明公开了一种高温无铅压电陶瓷材料及其制备方法、压电陶瓷器件。该方法包括：S1、获取钙钛矿相结构的0.7BiFeO3‑0.3BaTiO3陶瓷粉体Ba(Zr0.2Ti0.8)O3陶瓷粉体；S2、按照结构通式(1‑x)(0.7BiFeO3‑0...
    2026-01-18
  • 一种仿生柔性压电复合薄膜及其制备方法和应用
    一种仿生柔性压电复合薄膜及其制备方法和应用_上海交通大学_202511410156.1
    本发明涉及一种仿生柔性压电复合薄膜及其制备方法和应用，所述仿生柔性压电复合薄膜具有类贝壳形的界面桥接相，由压电陶瓷颗粒、二维微米片和聚合物粘结剂组成。所述复合薄膜的制备方法包括：将压电陶瓷粉末和二维微米片分散在溶剂中，超声分散得到悬浊液；将...
    2026-01-18
  • 压电膜、及MEMS传感器
    压电膜、及MEMS传感器_株式会社电装_202511528163.1
    本发明提供一种压电膜，其具有氮化钪铝、碳和氧，所述氧的浓度为0.01at%以上且0.35at%以下。本发明还提供具备所述压电膜的MEMS传感器。
    2026-01-18
  • 一种基于预应力调控的磁电复合材料及制备方法
    一种基于预应力调控的磁电复合材料及制备方法_国网四川省电力公司营销服务中心_202511546673.1
    本发明公开了一种基于预应力调控的磁电复合材料及制备方法，涉及复合材料技术领域；本发明包括以下步骤：将压电材料薄片上下表面镀上电极；将镀了电极的压电材料薄片与磁致伸缩材料薄片粘接；将粘接后的压电材料薄片与磁致伸缩材料在直流偏置磁场作用下固化，...
    2026-01-18
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410980505.2
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法为，主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torqu...
    2026-01-18
  • 磁性隧道结结构、其制备方法、存储器及电子设备
    磁性隧道结结构、其制备方法、存储器及电子设备_北京超弦存储器研究院_202410883417.0
    本公开提供了一种磁性隧道结结构、其制备方法、存储器及电子设备。该磁性隧道结结构包括硬磁自由层、势垒层、参考层、耦合介质层和面内铁磁层；所述势垒层和所述耦合介质层分别层叠设置于所述硬磁自由层的相对两侧表面上，所述参考层设置于所述势垒层远离所述...
    2026-01-18
  • 隧道磁阻元件、磁传感器模块及电流传感器
    隧道磁阻元件、磁传感器模块及电流传感器_旭化成微电子株式会社_202510870074.9
    本发明提供一种隧道磁阻元件、磁传感器模块及电流传感器，在宽磁场范围内具有高灵敏度。TMR元件(51)具备在z轴方向上依次层叠的固定层(51o)、绝缘层(51p)及自由层(51q)，自由层具有在z轴方向上延伸且在水平方向上扩展的柱形状，作为自...
    2026-01-18
  • 生产具有磁通量集中器的半导体衬底、以及磁传感器设备的方法
    生产具有磁通量集中器的半导体衬底、以及磁传感器设备的方法_迈来芯电子科技有限公司_202510893625.3
    用于生产半导体晶片的方法(100；200；1100；1700)，该半导体晶片具有：前侧(01)，包括至少一个磁传感器元件(M1)；和后侧(03)；以及互连堆叠(10)，该互连堆叠(10)包括至少一个接触区域(12)；该方法包括以下步骤：m)...
    2026-01-18
  • 一种基于液态金属的超导隧道结及其制备方法与应用
    一种基于液态金属的超导隧道结及其制备方法与应用_中国科学院理化技术研究所_202511398177.6
    本发明涉及超导电子器件领域，尤其涉及一种基于液态金属的超导隧道结及其制备方法与应用。所述超导隧道结包括第一镓电极，形成于所述第一镓电极上的隧穿势垒层，以及形成于所述隧穿势垒层上的第二镓电极；所述隧穿势垒层为含镓化合物的隧穿势垒层。本发明提供...
    2026-01-18
  • 一种基于石墨烯的液氦温度工作的量子电压芯片
    一种基于石墨烯的液氦温度工作的量子电压芯片_中国科学技术大学_202511843372.5
    本发明公开了一种基于石墨烯的液氦温度工作的量子电压芯片，属于电学量子精密测量技术领域。包括Si/SiO2衬底、制备于衬底上的约瑟夫森结单元以及微波天线。约瑟夫森结单元包括左、右Ti/Nb超导电极以及位于其间的石墨烯单元，石墨烯单元为由下六方...
    2026-01-18
  • 可重构晶体管器件
    可重构晶体管器件_QORVO美国公司_202511387079.2
    本发明公开了一种可重构晶体管器件，包括一个基板、多个第一晶体管叉指(设置在基板上方的第一区域中)以及一个变相开关(PCS)，所述变相开关包括一个变相材料(PCM)块(设置在基板上方的第二区域中)，用于将所述多个第一晶体管叉指第一组与总线选择...
    2026-01-18
  • 用于电火花加工后硅部件的刻蚀装置及清理修复方法
    用于电火花加工后硅部件的刻蚀装置及清理修复方法_宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司_202511380766.1
    本发明提供一种用于电火花加工后硅部件的刻蚀装置及清理修复方法，属于半导体部件制造技术领域。包括包括刻蚀槽、刻蚀花篮及低频振动器；所述刻蚀花篮包括花篮旋转机构及花篮本体，所述花篮旋转机构设置在刻蚀槽槽外，所述花篮本体设置在刻蚀槽槽内，所述花篮...
    2026-01-18
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_重庆奕能科技有限公司_202511383142.5
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，方法包括：在芯片表面依次形成顶层金属层和钝化层；在所述钝化层上形成焊接金属层；在所述焊接金属层上形成掩膜层；经由所述掩膜层对所述焊接金属层进行图案化，其中，所述焊接金属层为叠层结构，所述焊接金属层中至...
    2026-01-18
  • 一种晶圆切割装置以及晶圆切割方法
    一种晶圆切割装置以及晶圆切割方法_广东长华科技有限公司_202511497755.1
    本发明涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆切割装置以及晶圆切割方法，包括加工台，所述加工台的顶端固接有吸附台，所述吸附台的内部固接有传输管一，所述加工台的外侧安装有用于通过传输管一抽取吸附台内部空气的抽气泵，所述加工台外侧安装有直线控制模...
    2026-01-18
  • 全自动解片系统
    全自动解片系统_昆山倬跃蓝天电子科技有限公司_202511443710.6
    本发明公开了一种全自动解片系统，包括：上料设备；拆分设备；储料设备，包括用于提供空置的载盘的上料线和用于接收满载的载盘的下料线；摆盘设备，包括流转线装置、搬运装置和摆盘机，流转线装置包括并排布置的第一流转线、第二流转线和第三流转线，第一流转...
    2026-01-18
  • 片材拆分设备
    片材拆分设备_昆山倬跃蓝天电子科技有限公司_202511444250.9
    本发明公开了一种片材拆分设备，属于片材拆分技术领域，其包括：传输线，用于输送片材；第一贴膜装置，用于提供下膜片；移载装置，适于拾取片材并将其覆盖在下膜片上，使下膜片贴附于片材下表面，并将贴附有下膜片的片材搬运至传输线的输入端；滚压装置，位于...
    2026-01-18
  • 晶圆的制备方法
    晶圆的制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511139748.4
    本申请公开了一种晶圆的制备方法，包括在刻蚀工艺腔中对晶圆进行刻蚀，向刻蚀工艺腔输送预设流体，将晶圆从刻蚀工艺腔中输出。本申请的技术方案通过在对晶圆进行刻蚀工艺之后，向刻蚀工艺腔输送预设流体，从而可以抑制刻蚀工艺的残留气体对晶圆表面的污染，同...
    2026-01-18
  • 硅片的清洗方法和硅片
    硅片的清洗方法和硅片_中环领先(徐州)半导体材料有限公司_202511261895.9
    本申请公开了硅片的清洗方法和硅片，硅片的清洗方法包括：采用混合清洗液对待清洗的硅片进行清洗，所述混合清洗液包括氟化氢、臭氧和水。本申请的清洗方法有效降低了硅片表面的金属杂质浓度，有效提升了去除金属杂质的制程能力。另外，该方法仅采用HF+O3...
    2026-01-18
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