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最新专利技术
  • 半导体装置及其制造方法以及电子设备
    半导体装置及其制造方法以及电子设备_三垦电气株式会社_202510781371.6
    本发明提供半导体装置及其制造方法以及电子设备，抑制了导通电阻的上升，并抑制了雪崩击穿。实施方式的半导体装置(100)具有：N型漂移区域(10)；N型漂移区域(10)之上的P型基极区域(41)；P型基极区域(41)之上的N型源极区域(42)；...
    2026-01-20
  • 氮化物半导体装置及其制造方法
    氮化物半导体装置及其制造方法_丰田合成株式会社_202510908392.X
    提供一种氮化物半导体装置，其能够在不进行高温的热处理的情况下减少半导体基板与背面电极之间的接触电阻来应对大电流化的要求。氮化物半导体装置(1)中依次层叠有背面电极(10)、半导体基板(20)、半导体层(30)和表面元件(40)。而且，在半导...
    2026-01-20
  • 半导体器件以及半导体器件的制备方法
    半导体器件以及半导体器件的制备方法_广州增芯科技有限公司_202511604864.9
    本发明提供了一种半导体器件以及半导体器件的制备方法，通过衬底包括从下往上依次层叠的底硅层、埋氧层以及顶硅层，衬底具有源区，在有源区中的顶硅层内具有漏区、以及沿第一方向位于漏区两侧的两个源区，衬底具有位于顶硅层内的两个终端区，并且，两个终端区...
    2026-01-20
  • 一种高鲁棒性的超结SiC MOSFET器件及制备方法
    一种高鲁棒性的超结SiC MOSFET器件及制备方法_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511742837.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开一种高鲁棒性的超结SiC MOSFET器件及制备方法，器件包括：金属漏极；位于所述金属漏极之上的N型SiC衬底；位于N型SiC衬底之上的N型SiC缓冲层；位于所述N型SiC缓冲层之上且由交替排列的P柱和...
    2026-01-20
  • 一种无牺牲层转移硅衬底上铝膜及原位氧化制备二维栅介质的方法及用途
    一种无牺牲层转移硅衬底上铝膜及原位氧化制备二维栅介质的方法及用途_南开大学_202511173785.7
    本发明公开了一种无牺牲层转移硅衬底上铝膜及原位氧化制备二维栅介质的方法及用途。首先，在商用硅衬底上温和沉积金属铝膜，随后沉积超薄金膜并旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/聚苯乙烯(PS)复合高分子薄膜。借助此结构，可在水中直接将难转移的铝膜完...
    2026-01-20
  • 一种芯片封装结构及芯片模组
    一种芯片封装结构及芯片模组_锐石创芯(重庆)微电子有限公司_202511459466.2
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体提供一种芯片封装结构及芯片模组。本发明的芯片封装结构包括基板、第一芯片装置、第二芯片装置以及填充料，基板设有具有至少两个开窗的第一承载结构，第一芯片装置与第二芯片装置分别通过凸块倒装在开窗内，填充料覆盖第一芯...
    2026-01-20
  • 一种GaN器件及其制备方法
    一种GaN器件及其制备方法_润新微电子(大连)有限公司_202511362393.5
    本发明涉及半导体领域，公开了一种GaN器件及其制备方法，GaN器件包括由引线框架基岛、基板、1个MOS芯片和多个并联的GaN芯片组成的封装结构，MOS芯片设置在基板上，基板和多个GaN芯片均设置在引线框架基岛上；MOS芯片的漏极设置在其背面...
    2026-01-20
  • 封装组件和车辆
    封装组件和车辆_深蓝汽车科技有限公司_202511267735.5
    本发明涉及车辆技术领域，具体涉及一种封装组件和车辆，提高了功率芯片的散热能力和功率处理性能。封装组件包括功率芯片和印刷电路PCB板。PCB板包括堆叠的、层间绝缘隔离的多个金属层。功率器件包括上桥栅极驱动回路、下桥栅极驱动回路以及分别嵌入到多...
    2026-01-20
  • 硅基板芯片系统
    硅基板芯片系统_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511382296.2
    本申请涉及一种硅基板芯片系统。上述系统包括：主控电源层；主控电源层包括主控模块和电源模块；主控模块和电源模块并排设置；接口层，设置于主控电源层的一侧，接口层包括至少一组主机接口模块，每个主机接口模块包括多个主机接口板；多组主机接口模块在第一...
    2026-01-20
  • 沟槽MOSFET器件及其制造方法
    沟槽MOSFET器件及其制造方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511708565.X
    本发明涉及一种沟槽MOSFET器件及其制造方法，所述沟槽MOSFET器件还包括由外延或掺杂工艺形成的夹断二极管。所述断二极管代替了现有技术中的肖特基二极管来解决器件开启电压高，反向恢复电荷(Qrr)大的问题。同时，还能在此基础上进一步降低工...
    2026-01-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511340659.6
    本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，为解决相关技术在制造CFET时刻蚀深度增加的问题而设计。包括形成第一环栅晶体管；形成与第一源/漏极相连的第一源/漏极接触部件，形成与第一栅极相连的第一栅极接触部件；形成第二环栅晶体...
    2026-01-20
  • LDMOS器件及形成方法
    LDMOS器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394188.7
    本发明提供了一种LDMOS器件及形成方法，包括：在flash HV器件区内形成HVPW和HVNW；在所有区表面均形成一层第一氧化层；在5V器件区内形成间隔设置的PW和NW，在LDMOS区形成第一N型漂移区、第二N型漂移区、NW和PW，第一N...
    2026-01-20
  • 半导体器件及形成半导体器件的方法
    半导体器件及形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511306190.4
    在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件；图案化多层堆叠件和半导体衬底以形成鳍结构，鳍结构包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构，其中伪纳米结构的最底部的伪纳米结构具有第一厚度，其中伪纳米结构的第一伪纳米结构设置在最底部的伪纳米结...
    2026-01-20
  • 一种在双多晶多晶硅发射极双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构
    一种在双多晶多晶硅发射极双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构_重庆中科渝芯电子有限公司_202511345990.7
    本发明公开一种在双多晶多晶硅发射极双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构，结构主要包括侧壁氮化硅、栅氧层、多晶硅栅极、多晶硅发射极、N型重掺杂发射区、P阱重掺杂接触、N阱重掺杂接触、N型源漏区、P型源漏区、ILD介质层、集电极金属...
    2026-01-20
  • 一种高压JFET集成器件和应用电路
    一种高压JFET集成器件和应用电路_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511373176.6
    本申请提供一种高压JFET集成器件和应用电路，涉及半导体技术领域，包括高压JFET器件以及电阻器件，高压JFET器件包括衬底，衬底内设置有源极区和漏极漂移区，漏极漂移区内设置有漏极有源区，衬底、源极区、漏极漂移区和漏极有源区具有共面的顶面，...
    2026-01-20
  • 一种新型功率器件及其应用该器件的电力电子系统
    一种新型功率器件及其应用该器件的电力电子系统_浙江摩珂达半导体有限公司_202510017486.8
    一种新型功率器件，将一个MOSFET通过有源区共用与一个JFET相结合，并且二者通过一个P阱分隔开来从而确保各自能够正常工作，当栅极控制电平先加在MOSFET的栅上，通过在外围电路对JFET的栅极产生一个控制电平以确保MOSFET先导通，J...
    2026-01-20
  • 半导体器件及芯片
    半导体器件及芯片_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511441129.0
    本申请提供一种半导体器件及芯片，涉及集成电路技术领域。该半导体器件包括集成在同一衬底上的采样管、主功率管、第一启动管以及第二启动管；其中，采样管的漏极、主功率管的漏极、第一启动管的漏极、第二启动管的漏极连接；采样管的栅极和主功率管的栅极连接...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510178293.0
    一种半导体装置可包括：第一基底；第一有源图案，在第一基底上，并且在第一方向上延伸；第一栅电极，在第一有源图案上，并且在不同于第一方向的第二方向上延伸；栅极盖图案，在第一栅电极上；栅极接触件，延伸到栅极盖图案中，并且电连接到第一栅电极；接合层...
    2026-01-20
  • 半导体器件和形成半导体器件的方法
    半导体器件和形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511498987.9
    本发明描述了半导体器件，包括衬底和位于衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，并且第一栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第一功函层。第一栅极结构还包括位于第一功函层上的覆盖层。半导体器件还包括位于衬底上的第二晶体管，其中第二...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510257178.2
    公开了半导体装置。所述半导体装置包括：第一有源图案，包括在第一方向上间隔开的第一片，第一方向与基底的表面垂直；第二有源图案，在第一有源图案上并且包括在第一方向上间隔开的第二片；第一源极/漏极图案，在第二方向上连接到第一有源图案；第二源极/漏...
    2026-01-20
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