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最新专利技术
  • 通过对角碾磨进行晶片结构3D重建的方法和系统
    通过对角碾磨进行晶片结构3D重建的方法和系统_应用材料以色列公司_202510833323.7
    本公开的是一种系统和方法，用于对晶片的3D结构元素进行计量，通过在所述3D结构元素的子集上以预定对角角度投射聚焦离子束(FIB)，从而在每个子集区域中生成对角切割，使用扫描电子显微镜(SEM)扫描每个对角切割，基于所述SEM影像生成一或多个...
    2026-02-14
  • 一种硅片检测机
    一种硅片检测机_广东科隆威智能装备股份有限公司_202511114139.3
    本发明公开一种硅片检测机，包括上料部分、AOI检测部分和IV检测部分；上料部分包括上料顶升机构、上料输入导轨和上料横移行走臂，上料横移行走臂横向移动在上料顶升机构与上料输入导轨之间；AOI检测部分包括四工位转盘机构、背面检测机构和正面检测机...
    2026-02-14
  • 一种半导体分立器生产用检测装置
    一种半导体分立器生产用检测装置_无锡市空穴电子科技有限公司_202511242350.3
    本发明提供一种半导体分立器生产用检测装置，属于半导体检测装置技术领域，该半导体分立器生产用检测装置包括检测箱和箱盖，所述检测箱的内部通过轴承安装有转盘，所述转盘的上表面安装有支架，所述支架的顶部安装有储料组件，所述箱盖固定安装在支板的下表面...
    2026-02-14
  • 清洗机TDH检测系统及检测方法
    清洗机TDH检测系统及检测方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511342047.0
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种清洗机TDH检测系统及检测方法，所述清洗机TDH检测系统，包括：机台外壳、清洗槽以及进风单元；所述机台外壳具有内腔，所述清洗槽设置于所述机台外壳的内腔中用于清洗基片；所述机台外壳上设置有进风口和排风口；所...
    2026-02-14
  • 版图图形的刻蚀偏差确定方法、介质、产品及设备
    版图图形的刻蚀偏差确定方法、介质、产品及设备_深圳晶源信息技术有限公司_202511383947.X
    本发明提供了一种版图图形的刻蚀偏差确定方法、介质、产品及设备。其中上述方法包括：确定版图图形中待补偿刻蚀偏差的目标多边形，并获取刻蚀偏差表，刻蚀偏差表用于记录多组预先设定的设计参数节点对应的刻蚀偏差；对目标多边形进行测量，得到目标多边形的目...
    2026-02-14
  • 一种等离子体刻蚀终点检测系统及刻蚀终点检测方法
    一种等离子体刻蚀终点检测系统及刻蚀终点检测方法_深圳泰研半导体装备有限公司_202511390013.9
    本发明涉及集成电路制造技术领域，公开了一种等离子体刻蚀终点检测系统及刻蚀终点检测方法，其中，一种等离子体刻蚀终点检测系统，包括：遮覆机构，用于覆盖等离子体刻蚀机的观察窗口；移动式光源发射机构；数据获取机构，数据获取机构用于获取移动式光源发射...
    2026-02-14
  • 一种晶圆的检测治具及检测装置
    一种晶圆的检测治具及检测装置_滁州华瑞微电子科技有限公司_202511397162.8
    本发明公开了一种晶圆的检测治具及检测装置，涉及半导体制造技术领域，包括基座，还包括负压吸附腔，其设于基座内部，所述基座承载面上环形分布有若干个与负压吸附腔相连通的吸附孔，防偏保护机构，其弹性安装于基座边缘，用于在晶圆装卸时提供保护，限位检测...
    2026-02-14
  • 硅通孔测试结构和测试方法
    硅通孔测试结构和测试方法_上海联影微电子科技有限公司_202511403529.2
    本申请涉及一种硅通孔衬底噪声的测试结构，该测试结构中第一激励硅通孔和第二激励硅通孔均内嵌于测试晶圆衬底正面，第一激励硅通孔和第二激励硅通孔通过电学连接形成激励硅通孔对；各测试接触区制备在激励硅通孔周边；对激励硅通孔对施加脉冲信号，通过测量各...
    2026-02-14
  • 基于偏振光成像的半导体晶圆应力分布测量系统
    基于偏振光成像的半导体晶圆应力分布测量系统_拓亚半导体科技(云南)有限公司_202511512219.4
    本发明提供基于偏振光成像的半导体晶圆应力分布测量系统，应用于芯片设计和制程优化领域，系统包括偏振光源模块、晶圆处理模块、多通道光学系统、偏振相位处理模块、数据采集和处理模块及结果可视化模块，其核心创新在于将微分几何理论应用于偏振相位信息处理...
    2026-02-14
  • 退火机台健康度的监控方法
    退火机台健康度的监控方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511716083.9
    本发明提供一种退火机台健康度的监控方法，该退火机台健康度的监控方法包括以下步骤：提供一待退火的衬底晶圆，并于衬底晶圆的上表层形成非晶层；形成覆盖非晶层的显露上表面的阻挡层，并量测非晶层与阻挡层的初厚度；将衬底晶圆置于退火系统的退火机台中进行...
    2026-02-14
  • 用于半导体热处理工艺的温度测量与控制方法及设备
    用于半导体热处理工艺的温度测量与控制方法及设备_新上联半导体设备(上海)有限公司_202511746666.6
    本申请提供一种用于半导体热处理工艺的温度测量与控制方法及设备，包括：通过多个高温计同步测量晶圆背面相应位置的热辐射强度与发射率；计算高温计测量得到的发射率的第一波动值；若波动值小于或等于预设阈值，则指定单一高温计测得的发射率用于所有高温计的...
    2026-02-14
  • 芯片筛选的方法及装置、电子设备和存储介质
    芯片筛选的方法及装置、电子设备和存储介质_上海理想汽车科技有限公司_202410834305.6
    本公开提供的芯片筛选的方法及装置、电子设备和存储介质，获取晶圆中至少一个缺陷在缺陷芯片中的缺陷标记；根据所述缺陷标记确定所述缺陷芯片上的缺陷对应的缺陷位置，并根据所述缺陷位置确定与所述缺陷芯片相邻的风险芯片；将所述缺陷芯片以及所述风险芯片从...
    2026-02-14
  • 温度控制设备
    温度控制设备_南亚科技股份有限公司_202411261284.X
    一种温度控制设备包含温度调节板、盖体、至少一热能感测器以及分析装置。盖体覆盖温度调节板，并与温度调节板共同定义作业空间于其中，作业空间配置以容置晶圆，温度调节板配置以承托晶圆并调节晶圆的第一温度。热能感测器设置于盖体，并配置以感测第一温度。...
    2026-02-14
  • 用于处理衬底的设备
    用于处理衬底的设备_细美事有限公司_202411821558.6
    公开了一种用于处理衬底的设备，所述设备包括：壳体，所述壳体具有内部空间；处理容器，所述处理容器设置在所述内部空间中并且具有在其中处理所述衬底的处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述内部空间中支撑所述衬底；喷嘴单元，所述喷嘴单元具有用于向...
    2026-02-14
  • 加压系统
    加压系统_日机装株式会社_202510123862.1
    本发明提供一种能够选择多个不同加压方式的加压系统。本发明的加压系统(S)具有：多个加压单元(1～4)；1个加压区域(A1)，在该加压区域执行加压处理；多个待机区域(A2～A5)，其从上下方向观察时配置于加压区域的侧方；以及单元支承部件(R1...
    2026-02-14
  • 衬底处理方法
    衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202510786611.1
    本发明提供一种衬底处理方法，其能够降低衬底被有机物污染的可能性。本发明的衬底处理方法包括保持工序、去除工序、去除冲洗工序及疏水化工序。在保持工序中，保持具有第1主面及第2主面的衬底。在去除工序中，使衬底旋转，且将含有氢氟酸的含氢氟酸液体供给...
    2026-02-14
  • 用于高深宽比结构的原子层刻蚀的动态参数调整
    用于高深宽比结构的原子层刻蚀的动态参数调整_上海原子启智半导体设备有限公司_202510802022.8
    本发明涉及一种用于高深宽比结构的原子层刻蚀的动态参数调整的方法，其用于在半导体制造中采用原子层刻蚀(Atomic Layer Etching；ALE)形成高深宽比(High Aspect Ratio；HAR)结构。该方法涉及根据ALE循环次...
    2026-02-14
  • 处理装置
    处理装置_株式会社荏原制作所_202510852650.7
    提供能够在短时间内处理基板的技术。处理装置(1)具备：台(10)，构成为以使基板(Wf)的被处理面朝向上方的方式保持基板；台旋转装置(20)，构成为使台旋转；多个头(30a、40a)，多个头分别安装有面积比基板的被处理面的面积小的处理垫(P...
    2026-02-14
  • 备用端口和包括备用端口的衬底处理设备
    备用端口和包括备用端口的衬底处理设备_细美事有限公司_202510859010.9
    公开了一种用于处理衬底的设备，该设备包括：备用端口，该备用端口位于杯单元的一侧上；以及喷嘴单元，该喷嘴单元用于将处理液体供应到由支撑单元支撑的衬底。该备用端口包括：主体，该主体具有内部空间；排放管道，该排放管道连接到主体并从内部空间排放处理...
    2026-02-14
  • 一种硅片打标监控方法
    一种硅片打标监控方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511214175.7
    本发明提供一种硅片打标监控方法，包括以下步骤：建立打标监控数据库，记录历史打标参数；推算激光功率衰减周期T，设定监控周期；按照所述监控周期，在监控片上进行打标监控，若所述打标参数符合要求则持续按照所述监控周期进行监控，若所述打标参数不符合要...
    2026-02-14
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