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最新专利技术
  • 基于相变材料的存储器电路
    基于相变材料的存储器电路_意法半导体国际公司_202510802320.7
    本公开的各实施例涉及基于相变材料的存储器电路。本说明书涉及一种包括存储器电路的电子器件，该电路包括：衬底，该衬底的内部和顶部上被布置有选择晶体管；互连堆叠；多个存储器元件，该互连堆叠被布置在互连堆叠之上并且被组织成阵列，该阵列形成行和列，每...
    2026-01-02
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511181220.3
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先在衬底上形成第一导电层，然后在第一导电层上形成掩模层，掩模层的材料包括碳，以掩模层为掩模，对第一导电层进行刻蚀形成多条第一导电线。在对第一导电层进行刻蚀的工艺中，第一导电层相对于掩模层的刻...
    2026-01-02
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511230407.8
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，第二掩模层中具有第一开孔，第一掩模层中形成有与第一开孔连通的第二开孔，第一开孔的第一投影图形在第二开孔的第二投影图形的范围内。以第二掩模层为掩模对介质层进行刻蚀，在介质层中形成初始接触槽。以...
    2026-01-02
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411654503.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：对覆盖有掩模结构的初始衬底进行刻蚀，形成衬底结构。衬底结构包括位于第一区域的第一底部、第二区域的第一斜坡部和位于第三区域的基础部。第一斜坡部一端与第一底部齐平，沿...
    2026-01-02
  • 一种MIM电容器件及其制作方法
    一种MIM电容器件及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511331648.1
    本发明提供一种MIM电容器件及其制作方法，该MIM电容器件包括依次堆叠的第一极板金属层、第一阻挡层、第一缓冲介质层、主介质层、第二缓冲介质层、第二阻挡层及第二极板金属层，所述第一缓冲介质层包括氧化硅层或氮氧化硅层，所述第二缓冲介质层包括氧化...
    2026-01-02
  • 肖特基势垒二极管及其制备方法、斜场板终端的制备方法以及电子设备
    肖特基势垒二极管及其制备方法、斜场板终端的制备方法以及电子设备_中国科学院微电子研究所_202511335433.7
    本发明提供了一种肖特基势垒二极管及其制备方法、斜场板终端的制备方法以及电子设备。该肖特基势垒二极管包括：衬底；N型SiC外延层，其形成于衬底的上表面，外延层包括中心的有源区和环绕有源区的终端区；介质层，其形成于终端区的外延层的上表面；阳极电...
    2026-01-02
  • 肖特基二极管及其制备方法
    肖特基二极管及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511604624.9
    一种肖特基二极管及其制备方法，其中，肖特基二极管包括：衬底，具有第一N型漂移区、若干第二N型漂移区和若干P型阱区，第二N型漂移区和P型阱区均在第一方向上与第一N型漂移区邻接，若干第二N型漂移区与若干P型阱区在垂直于第一方向的第二方向上间隔分...
    2026-01-02
  • 采用辐照提升横向晶体管器件耐压的方法
    采用辐照提升横向晶体管器件耐压的方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511462677.1
    本发明公开了一种采用辐照提升横向晶体管器件耐压的方法，包括：提供一硅片作为衬底；在衬底上形成埋层、基极深阱区；在埋层的两侧分别形成PN结隔离结构，并形成与埋层一端连接的基极深结阱区；在发射区与两侧的集电区之间形成隔离沟槽；在隔离沟槽中填充隔...
    2026-01-02
  • 一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法
    一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法_珠海格力电器股份有限公司_202511199072.8
    本发明实施例提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法，该方法包括：衬底层、载流子存储层、超结P柱、P型基区、第一栅极、第二栅极、载流子阻挡层、N型发射极区、介质层、P型接触孔掺杂区、发射极、场截止层、P型集电极区、集电极。载流子存储层增...
    2026-01-02
  • 一种微沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法
    一种微沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202511391497.9
    本发明公开了一种微沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法，其中器件结构包括晶圆衬底、栅极氧化层、多晶硅层、介质层和金属层，晶圆衬底上形成沟槽，沟槽包括栅极沟槽和虚栅沟槽；栅极氧化层覆盖在晶圆衬底表面；多晶硅层填充在沟槽中；介质层覆盖在栅极氧化层...
    2026-01-02
  • 一种耐空间电离辐射IGZO薄膜晶体管及其制备方法
    一种耐空间电离辐射IGZO薄膜晶体管及其制备方法_南京邮电大学_202511273441.3
    一种耐空间电离辐射IGZO薄膜晶体管及其制备方法，所述方法包括：获取基底；在基底上形成栅电极层；在栅电极层和基底上覆盖栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上表面两侧间隔形成源区电极层和漏区电极层，源区电极层和漏区电...
    2026-01-02
  • 一种低比导通电阻率GaN HEMT的外延结构及其制备方法
    一种低比导通电阻率GaN HEMT的外延结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511728549.7
    本发明涉及一种低比导通电阻率GaN HEMT的外延结构及其制备方法，制备方法包括：S1.在衬底上自下而上依次生长起始层、缓冲层、沟道层、第一插入层、第一势垒层、第二插入层和第二势垒层，得到厚势垒外延片；S2.制备硬掩模层，图案化刻蚀硬掩模层...
    2026-01-02
  • 一种晶体管、晶体管的制造方法以及电子设备
    一种晶体管、晶体管的制造方法以及电子设备_珠海格力电器股份有限公司_202511199071.3
    本申请提供了一种晶体管、晶体管的制造方法以及电子设备，涉及半导体技术领域，晶体管包括势垒层、隔离层、沟道层、漏极、源极和栅极，由于势垒层的厚度由势垒层的内部区域分别向第一方向和第二方向递增，则势垒层的厚度由栅极下方的区域分别向漏极下方的区域...
    2026-01-02
  • 一种增强型半导体器件及其制备方法
    一种增强型半导体器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511362787.0
    本发明公开了一种增强型半导体器件及其制备方法，其中，增强型半导体器件包括：衬底；沟道层和势垒层，沟道层位于衬底的一侧，势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；第一AlN层，第一AlN层位于势垒层远离衬底的一侧；P型GaN半导体层，P型GaN半导体层...
    2026-01-02
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511408373.7
    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：若干元胞单元，每个元胞单元包括：氮化镓层；位于氮化镓层内的第一势垒层和第二势垒层；调制氮化镓层，其内掺杂有P型离子；栅极电极，与调制氮化镓层电连接；位于栅极电极两侧的源极电极，分别与氮化镓层电连接；...
    2026-01-02
  • 半导体器件、芯片和电子设备
    半导体器件、芯片和电子设备_深圳平湖实验室_202511746502.3
    本公开提供了一种半导体器件、芯片和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件的动态导通电阻退化问题；所述半导体结构包括：依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层和沟道层；其中，缓冲层包括：第一缓冲层，第一缓冲层的材料包括：AlxGa1‑...
    2026-01-02
  • 一种非对称结构铁电场效应晶体管及其制备方法
    一种非对称结构铁电场效应晶体管及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410776481.9
    本发明涉及一种非对称结构铁电场效应晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，解决了现有现有铁电场效应晶体管不利于器件的尺寸微缩和三维集成的问题。所述非对称结构铁电场效应晶体管包括自下向上依次叠加的衬底、栅电极、铁电层、半导体沟道层，所述半导体...
    2026-01-02
  • 具有用于阈值电压控制的热电材料层的晶体管
    具有用于阈值电压控制的热电材料层的晶体管_英特尔公司_202510630391.3
    在沟道材料和栅电极之间包括热电电介质层的晶体管。热电层可以具有能够通过施加热脉冲改变的晶体配置。不同的晶体配置具有不同极化度，这导致不同的介电常数。可以在使用加热元件的操作期间改变晶体配置，从而在两个不同阈值电压之间转换单个器件。
    2026-01-02
  • 一种超结MOSFET结构及其制造方法
    一种超结MOSFET结构及其制造方法_上海先进半导体制造有限公司_202511332439.9
    本申请提供一种超结MOSFET结构及其制造方法，其中，超结MOSFET结构包括半导体衬底、外延层、栅氧层、栅电极、基体区、源区、源电极和漏极。半导体衬底包括正面和背面，以正面至背面直线方向为垂直方向。外延层设于半导体衬底正面，外延层中包括由...
    2026-01-02
  • SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法
    SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法_上海宏微爱赛半导体有限公司_202511366576.4
    本发明属于SiC沟槽栅MOSFET器件技术领域，具体涉及一种SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法。本发明的SiC沟槽栅MOSFET器件，结合了主流的双沟槽和半包沟槽结构的关键特征。P+ 屏蔽区采用了源极沟槽底部和侧壁注入的方式，与双沟槽结...
    2026-01-02
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