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最新专利技术
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202411777373.X
    本公开提供一种半导体元件。此半导体元件包括：一基板；一下部支撑框架；一上部支撑框架；以及一电容构件。该下部支撑框架设置在该基板之上。该上部支撑框架设置在该下部支撑框架之上并与该下部支撑框架分隔。该电容构件设置在该基板之上。该电容构件包括一下...
    2025-12-30
  • 凹槽栅极和互连结构及其制备方法
    凹槽栅极和互连结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411780161.7
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板，具有一主动区域；一凹槽栅极结构，设置于该基板中并与该主动区域相交；一导电柱，设置于该基板之上并电性连接至该主动区域；一着陆垫，设置于该导电柱上并电性连接至该导电柱；以及一介电层堆...
    2025-12-30
  • 具有绝缘图案的半导体装置
    具有绝缘图案的半导体装置_三星电子株式会社_202510758813.5
    提供了具有绝缘图案的半导体装置。所述半导体装置包括：位线结构；背栅极结构，设置在位线结构上，并且包括背栅电极和覆盖背栅电极的侧表面和下表面的背栅极介电层；字线结构，设置在位线结构上，并且包括字线和覆盖字线的侧表面和下表面的栅极介电层；有源图...
    2025-12-30
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_福建省晋华集成电路有限公司_202511132857.3
    本发明公开了一种半导体存储装置，其包括衬底；衬底内包括多个有源区与浅沟槽隔离；多个埋藏字线，埋设在衬底内，穿过浅沟槽隔离与有源区；多个第一绝缘侧壁与多个存储节点插塞交替排列，设置在衬底上，其中，第一绝缘侧壁位于埋藏字线的正上方，存储节点插塞...
    2025-12-30
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511284548.8
    本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，同一通道结构两侧壁上的第一栅极和第二栅极通过一接触插塞连接导出，且设置在不同栅极结构上的接触插塞的截面形状可不同。
    2025-12-30
  • 存储器件ONO膜层的制备方法
    存储器件ONO膜层的制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511134703.8
    本申请提供了一种存储器件ONO膜层的制备方法，在掺氯热氧化形成第一氧化硅层之后，对半导体结构进行高温退火工艺，将制备第一氧化硅层过程中产生的副产物分解为挥发性气体，随后往工艺腔室通入工作气体，利用工作气体吹扫半导体结构以及工艺腔室，并将挥发...
    2025-12-30
  • 改善半导体器件中薄膜稳定性的方法
    改善半导体器件中薄膜稳定性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511101987.0
    本发明公开了一种改善半导体器件中薄膜稳定性的方法。为解决现有技术第一氧化物层质量欠佳及氮化硅层厚度不稳定的问题，本发明提出：在衬底上形成第一氧化物层时，包括沉积至少部分第一氧化物层，随后对其执行基于含N2O气体的退火处理；接着，在退火后的第...
    2025-12-30
  • NORD闪存结构及其制造方法、测试方法
    NORD闪存结构及其制造方法、测试方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511223894.5
    本发明提供一种NORD闪存结构及其制造方法、测试方法。NORD闪存结构包括存储单元阵列和一浮栅引出区。在浮栅引出区内，一浮栅接触插头直接电性连接至一浮栅多晶硅层，且该浮栅多晶硅层的上方不设置控制栅多晶硅层。通过该结构，可将先前电学悬浮的浮栅...
    2025-12-30
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511165848.4
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法。本申请通过引入中性元素的离子对闪存器件区域的衬底以及部分MOS器件区域的衬底进行非晶化处理，并对上述衬底进一步进行均匀性处理加强非晶化效果，简化了工艺流程，显著提高了器件的擦写稳定性，非晶层的形成有效抑...
    2025-12-30
  • 三维存储装置及其形成方法
    三维存储装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410763970.0
    在某些方面中，三维(3D)存储装置包括：第一堆叠结构，其包括交错的导电层和电介质层；第二堆叠结构，其在第一方向上在第一堆叠结构上方并且包括交错的导电层和电介质层；以及接触结构，其在第一方向上延伸穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构并且与第一堆叠结...
    2025-12-30
  • 铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
    铁电场效应晶体管存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410722765.X
    本申请涉及微电子技术领域的一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法，所述铁电场效应晶体管存储器包括依次层叠设置的衬底层、栅电极、铁电层、半导体沟道层和源漏电极层，所述栅电极的材料的功函数WF＜4.5eV。本申请的铁电场效应晶体管存储器可以降低...
    2025-12-30
  • 氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器及其制备方法
    氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器及其制备方法_西安电子科技大学_202511277995.0
    本发明公开了一种氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器，包括漏端电极、氧化物半导体沟道层、氧化物介质层、源端电极、浮栅金属层、铁电介质层和控制端电极；所述浮栅金属层位于衬底上，所述氧化物介质层和铁电介质层位于浮栅金属层上且相互隔离，所述铁电介...
    2025-12-30
  • 制造半导体装置的方法
    制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510790178.9
    一种用于制造半导体装置的方法包括：在基底上顺序地形成下电极层、磁性隧道结结构层、第一上电极层和第一蚀刻停止层。去除第一蚀刻停止层的一部分，并且形成第二上电极层。在第二上电极层上顺序地形成第二蚀刻停止层和牺牲电极层。将下电极层、磁性隧道结结构...
    2025-12-30
  • 非挥发性存储器元件及其制造方法
    非挥发性存储器元件及其制造方法_联华电子股份有限公司_202511335856.9
    本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法。所述非挥发性存储器元件包括基底、内连线结构、多个存储器单元、多个导电通孔以及多个虚设通孔。基底具有存储器区域以及虚设区域，其中虚设区域围绕存储器区域。内连线结构设置于基底上，且位于存储器区域中。...
    2025-12-30
  • 一种1S1R存储单元及其制备方法
    一种1S1R存储单元及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511303928.1
    本发明提供了一种1S1R存储单元及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明方法制备过程中间，对包括第一电极层、选通层和缓冲层的制备器件进行退火工艺处理，使选通层和缓冲层结晶，选通层结晶后可以降低Forming电压，提高器...
    2025-12-30
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511152201.8
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先在第一存储叠层上形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖阵列区和部分触点区的第一存储叠层，以第一掩膜层为掩膜对第一存储叠层进行刻蚀，形成位于阵列区的阵列叠层以及位于触点区的冗余叠层和第一凹槽。然后在...
    2025-12-30
  • 层叠结构体、半导体装置及半导体装置的制造方法
    层叠结构体、半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510158107.7
    本公开提供一种能够抑制翘曲的层叠结构体、半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的层叠结构体具备：包括第1半导体器件层和设置有所述第1半导体器件层的第1基板的第1晶片；直接接合于所述第1晶片的一方表面侧的第2半导体器件层；以及直接接合于...
    2025-12-30
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510673101.3
    本发明的目的在于，提供一种能够在具有杂质浓度的半导体区域的厚度较薄的情况下改善折衷关系的技术。半导体装置具备第一半导体区域、第二半导体区域、绝缘膜、以及隔着绝缘膜而设置在第二半导体区域之上的导电膜，第二半导体区域包括：上区域；中区域，设置为...
    2025-12-30
  • 金属-绝缘体-金属电容器的制作方法
    金属-绝缘体-金属电容器的制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511105750.X
    本发明公开了一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的制作方法，包括以下步骤：提供具有第一导电层和介质层的基板；在介质层上形成图案化光刻胶层；采用干法刻蚀工艺，以光刻胶层为掩模刻蚀介质层，形成具有尖锐内底角的凹槽；关键地，在干法刻蚀之后，增加...
    2025-12-30
  • 电容结构及其制备方法
    电容结构及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511134698.0
    本申请提供一种电容结构及其制备方法，其中在制备方法中，先在沟槽侧壁和底壁表面的阱区上形成绝缘介质层，然后在沟槽中填充沟槽多晶硅层，接着在沟槽多晶硅层上形成栅氧化层，随后在栅氧化层上形成栅极多晶硅层，最后通过第一至第三导电插塞以及第一至第二图...
    2025-12-30
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