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最新专利技术
  • 获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法
    获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511293674.X
    本发明提供一种获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法。该方法中，多个衬底上均形成有薄膜和变质层；采用第一刻蚀液刻蚀去除第一衬底上的变质层；采用第二刻蚀液刻蚀以及T1刻蚀时间刻蚀去除第二衬底上的变质层和部分薄膜；采用第二刻蚀液刻蚀以及T2刻蚀时间...
    2026-02-02
  • 简易栅氧完整性测试装置及其测试方法
    简易栅氧完整性测试装置及其测试方法_上海集成电路材料研究院有限公司_202511335699.1
    本发明提供一种简易栅氧完整性测试装置，包括测试试样和测试结构：测试试样包括衬底、衬底上的介电层(栅氧层)，用于代替栅极层或者位于栅极层上方的代栅极层，使测试试样形成包括衬底‑介电层‑代栅极层三层结构，结合热脱附技术测试介电层的栅氧完整性，测...
    2026-02-02
  • 基于阵列传感器的裂纹检测仪
    基于阵列传感器的裂纹检测仪_杭州米拓林克科技有限公司_202511351707.1
    本发明属于晶圆检测设备技术领域，且公开了基于阵列传感器的裂纹检测仪，包括光学检测设备，所述光学检测设备的顶部固定连接有防护盖，所述防护盖右侧的前端开设有进料口，所述光学检测设备的右侧设置有晶圆盒，还包括：自动送料件，设置于光学检测设备的右侧...
    2026-02-02
  • 晶圆在线检测系统
    晶圆在线检测系统_上海集迦电子科技有限公司_202511667069.4
    本申请涉及在线检测技术领域，具体为晶圆在线检测系统，包括边缘标定模块、探针切换模块、温度传感模块、光学检测模块、动态补偿模块。本发明中，通过细致分析晶圆边缘区域的坐标误差，建立偏移率数据，与探针切换过程中的周期偏差量对比，显著提高探针切换的...
    2026-02-02
  • 一种基于超声冷压键合工艺的相邻键合点间距校对方法
    一种基于超声冷压键合工艺的相邻键合点间距校对方法_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202511681223.3
    本发明提供了一种基于超声冷压键合工艺的相邻键合点间距校对方法，包括以下步骤：S1、根据键合线的半径、线弧高度计算键合线轴线与基板的间距，根据键合线轴线与基板的间距计算得到第一最小间距；S2、采集设计键合线角度；如果设计键合线角度为0°则以步...
    2026-02-02
  • 键合设备和键合方法
    键合设备和键合方法_星科金朋私人有限公司_202410765500.8
    本申请提供了一种键合设备，其包括：夹具，其被配置成支撑基板的外围，其中所述基板具有安装于其上的半导体裸片；顶盖，其可操作地附接到所述夹具且被配置成覆盖所述基板和所述半导体裸片，其中所述顶盖包括：夹持元件，其可操作地附接到所述夹具且被配置成覆...
    2026-02-02
  • 真空系统及其操作方法
    真空系统及其操作方法_华为技术有限公司_202410773782.6
    本申请提供了一种真空系统和操作该真空系统的方法，该真空系统包括：外腔和多个内腔，所述多个内腔位于所述外腔的内部，所述多个内腔包括第一内腔和第二内腔，所述第一内腔和所述第二内腔通过第一孔洞连通，所述第二内腔设置有可开合的第二孔洞，所述第二内腔...
    2026-02-02
  • 基板清洁装置和包括该基板清洁装置的基板处理系统
    基板清洁装置和包括该基板清洁装置的基板处理系统_三星电子株式会社_202510588876.0
    可以提供一种基板清洁装置，该基板清洁装置包括：第一处理室，被配置为对第一基板和第二基板执行等离子处理；基板清洁装置，被配置为清洁第一基板和第二基板；以及第二处理室，被配置为将第一基板和第二基板彼此接合，其中，基板清洁装置还被配置为使用清洁液...
    2026-02-02
  • 接合装置
    接合装置_株式会社新川_202510781125.0
    本发明实现基于接合或共晶结合的安装的可靠性提高。接合装置包括：搬送机构，搬送基板；接合工具，对所述基板接合电子零件；抗氧化路，具有沿着所述搬送机构延伸且包围所述搬送机构的壁部，所述抗氧化路具有：导入口，导入所述基板；开口部，能够进行所述接合...
    2026-02-02
  • 半导体结构的制备装置和制备系统
    半导体结构的制备装置和制备系统_甬江实验室_202511087012.7
    本申请提供了一种半导体结构的制备装置和制备系统，涉及半导体工艺设备技术领域，该半导体结构的制备装置包括：主机台、第一导流管、第二导流管、第三导流管、检测结构和控制阀，其中，主机台用于实现半导体结构的制备，其包括控制组件。第一导流管与主机台导...
    2026-02-02
  • 监控湿法刻蚀清洗机台微环境的方法
    监控湿法刻蚀清洗机台微环境的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511105757.1
    本发明公开了一种监控湿法刻蚀清洗机台微环境的方法。该方法包括：提供一具有特定孔阵结构的监控晶圆；将该监控晶圆置于目标机台内进行清洗处理；之后对清洗后的监控晶圆进行增强处理，并对其进行缺陷扫描。该孔阵结构包括设置在衬底上的停止层和待刻蚀层，并...
    2026-02-02
  • 一种晶圆保护膜贴附的激光自适应裁边系统及方法
    一种晶圆保护膜贴附的激光自适应裁边系统及方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511234307.2
    本发明公开了一种晶圆保护膜贴附的激光自适应裁边系统及方法，所述系统包括晶圆承载台；膜材识别单元，包括光源、红外光谱仪和探测器，基于近红外特征吸收峰识别保护膜类型；激光发射单元，设置在所述晶圆承载台上方，根据所述晶圆保护膜类型自动调整激光裁切...
    2026-02-02
  • 一种快锁式键合机
    一种快锁式键合机_苏州铼铂机电科技有限公司_202511258729.3
    本发明公开了一种快锁式键合机，包括基座、下腔体和盖板，所述盖板上连接有下压臂，所述下压臂的第一端与基座的支撑臂铰接，所述下压臂的第二端设置锁紧凹槽，所述基座上设有锁紧机构，所述锁紧机构包括锁紧支座，所述锁紧支座上设有门扣式快速夹具，所述门扣...
    2026-02-02
  • 一种晶圆生产加工的槽式清洗机
    一种晶圆生产加工的槽式清洗机_江苏宿芯半导体有限公司_202511262769.5
    本发明公开了一种晶圆生产加工的槽式清洗机，本发明涉及清洗机技术领域，包括清洗组件，该清洗组件用于晶圆清洗时清洗液喷淋导流，所述清洗组件的底部固定安装有箱体，所述箱体的表面转动安装有防护门。该晶圆生产加工的槽式清洗机，通过工作人员将放置板与限...
    2026-02-02
  • 离子注入方法、制造设备、设备、介质及程序产品
    离子注入方法、制造设备、设备、介质及程序产品_浙江创芯集成电路有限公司_202511270690.7
    本公开实施例提供一种离子注入方法、制造设备、设备、介质及程序产品，方法包括：获取离子注入机台执行晶圆的多次离子注入处理后，所述晶圆对应的多组电阻信息；其中，一组电阻信息对应晶圆的一次离子注入处理，且每次离子注入处理所对应的工艺参数一致，而晶...
    2026-02-02
  • 一种半导体器件封装系统及其方法
    一种半导体器件封装系统及其方法_苏州中瑞宏芯半导体有限公司_202511278128.9
    本发明公开了一种半导体器件封装系统及其方法，包括工作台，和固定于工作台上的第一固定架，以及工作台上的送料组件，所述第一固定架内设置有封装组件，所述送料组件包括设置于工作台上直线电机模组，所述直线电机模组用于驱动治具板水平往复移动，所述封装组...
    2026-02-02
  • 一种基于HF与乙醇混合气体的气相刻蚀系统及其工艺
    一种基于HF与乙醇混合气体的气相刻蚀系统及其工艺_江苏鹏举半导体设备技术有限公司_202511287244.7
    本发明公开了一种基于HF与乙醇混合气体的气相刻蚀系统及其工艺，气相刻蚀系统包括气相刻蚀设备、乙醇气柜、HF气柜与真空传输模块，乙醇气柜、HF气柜分别通过管道与气相刻蚀设备的进气口连通，气相刻蚀设备的出气口还连通设置有第一干式真空泵，气相刻蚀...
    2026-02-02
  • 湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法
    湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202511290075.2
    本申请公开一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，包括摆臂；加热夹具、控制装置；加热夹具带动硅片旋转；控制装置执行以下步骤，包括：将硅片刻蚀区域划分为多个同心环形区域；根据硅片膜厚分布数据，确定硅片膜厚均值、环形区域膜厚差异和硅片局部区域膜厚差异；...
    2026-02-02
  • 一种提升晶片背面清洗品质的单片清洗机及清洗方法
    一种提升晶片背面清洗品质的单片清洗机及清洗方法_上海晶盟硅材料有限公司_202511293536.1
    本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种提升晶片背面清洗品质的单片清洗机及清洗方法，包括：底座，所述底座上固定有箱体；支撑组件，设置于箱体内部，所述支撑组件包括支撑盘，所述支撑盘上的边缘位置对称设置有多组限位支撑机构，通过所述限位支撑机...
    2026-02-02
  • 硅片边缘刻蚀装置和硅片边缘刻蚀方法
    硅片边缘刻蚀装置和硅片边缘刻蚀方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511297217.8
    本发明涉及一种硅片边缘刻蚀装置和硅片边缘刻蚀方法，硅片边缘刻蚀装置包括用于对硅片的边缘进行刻蚀的工艺腔室，工艺腔室包括相对盒设置的第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体之间设置有隔离挡墙，使得工艺腔室划分为非刻蚀腔室以及位于非刻蚀腔室外围的...
    2026-02-02
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