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最新专利技术
  • 一种芯片封装方法及封装结构
    一种芯片封装方法及封装结构_苏州通富超威半导体有限公司_202511285990.2
    本公开实施例提供一种芯片封装方法及封装结构，该方法包括：将有机散热胶预先制备形成有机散热胶带，在有机散热胶带形成多个贯穿其厚度的通孔；将芯片倒装贴装于基板并在芯片和基板之间形成底填胶层；将有机散热胶带粘贴于芯片背离基板的表面；将散热盖贴装于...
    2026-02-02
  • RF半导体装置及其制造方法
    RF半导体装置及其制造方法_QORVO美国公司_202511288525.4
    本公开涉及RF半导体装置及其制造方法。本公开涉及一种射频装置，所述射频装置包含传递装置管芯和位于所述传递装置管芯之下的多层重新分布结构。所述传递装置管芯包含装置区域和传递衬底，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部分之...
    2026-02-02
  • 一种用于半导体生产的封装模具
    一种用于半导体生产的封装模具_南通百润精密科技有限公司_202511320788.9
    本发明公开了一种用于半导体生产的封装模具，涉及封装模具技术领域，包括装置本体，所述装置本体上固定连接有侧板，所述侧板的表面固定连接有控制台，所述装置本体上设置有托板，所述托板的顶面位置固定连接有下模座，所述下模座的内部固定连接有隔档条；还包...
    2026-02-02
  • 芯片的封装方法及芯片封装结构
    芯片的封装方法及芯片封装结构_颀中科技(苏州)有限公司_202511331718.3
    本申请提供一种芯片的封装方法及芯片封装结构，封装方法包括如下步骤：提供一晶圆及具有胶膜层的载板，晶圆包括多个通过分割道分隔的芯片单元；在晶圆的第一表面上，依次形成重布线层、导电凸块，形成芯片结构；沿分割道进行切割，得到芯片结构；将多个独立的...
    2026-02-02
  • 一种二极管低电容封装结构及封装工艺
    一种二极管低电容封装结构及封装工艺_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511349438.5
    本发明公开了一种二极管低电容封装结构及封装工艺，该工艺包括以下步骤：芯片贴装：将芯片贴装在基板上，芯片引出端设置凸块，包封芯片和凸块并研磨暴露出凸块顶面；第一次电镀：在暴露的凸块顶面第一次电镀形成铜柱，铜柱与凸块同轴；第二次电镀：继续包封铜...
    2026-02-02
  • 一种散热增强型半导体封装方法
    一种散热增强型半导体封装方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511413408.6
    本发明公开了一种散热增强型半导体封装方法，包括以下步骤：深硅刻蚀，形成垂直通孔；绝缘与金属化；晶圆减薄；混合键合，堆叠多层芯片；散热设计，形成垂直散热路径；三维热过孔网络：在非功能区域增设纯铜热通孔；微流体冷却集成；模塑封装；热性能验证：通...
    2026-02-02
  • 电子装置以及制造电子装置的方法
    电子装置以及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510548343.X
    本发明公开了电子装置以及制造电子装置的方法。一种制造电子装置的方法可以包括：提供沿着第一载体的上侧的对准导电焊盘和内部互连件，以及将连接部件的对准互连件耦接到对准导电焊盘。该方法还包括：将连接部件和内部互连件包封在下包封体中，以及用上基板覆...
    2026-02-02
  • 多晶粒芯片封装方法、封装芯片及穿戴式设备
    多晶粒芯片封装方法、封装芯片及穿戴式设备_恒玄科技(上海)股份有限公司_202511161831.1
    本申请提供一种多晶粒芯片封装方法、封装芯片及穿戴式设备，涉及芯片封装领域。多晶粒芯片封装方法包括：获取第一晶圆、多个第二晶粒和多个基板；将各所述第二晶粒分别与所述第一晶圆上的不同所述目标区域焊接，得到第一连接结构；其中，在所述第一连接结构中...
    2026-02-02
  • 一种提高化镀层均匀度的晶圆凸块制备工艺
    一种提高化镀层均匀度的晶圆凸块制备工艺_江苏晶度半导体科技有限公司_202511281850.8
    一种提高化镀层均匀度的晶圆凸块制备工艺，包括以下步骤：S1、清洁晶圆表面，沉积导电层；S2、在导电层表面涂敷光刻胶，通过光蚀刻的方式在光刻胶上开口得到待电镀区域；S3、将晶圆浸入电镀液，在待电镀区域电镀沉积得到凸块；S4、去除晶圆表面残留镀...
    2026-02-02
  • 一种改善化镀电位差的晶圆凸块制备工艺
    一种改善化镀电位差的晶圆凸块制备工艺_江苏晶度半导体科技有限公司_202511281854.6
    一种改善化镀电位差的晶圆凸块制备工艺，包括以下步骤：S1、清洁晶圆表面，沉积导电层；S2、在导电层表面涂敷光刻胶，通过光蚀刻的方式在光刻胶上开口得到待电镀区域；S3、将晶圆浸入电镀液，在待电镀区域电镀沉积得到凸块；S4、去除晶圆表面残留镀液...
    2026-02-02
  • 一种芯片封装键合设备
    一种芯片封装键合设备_贵州中芯微电子科技有限公司_202511034985.4
    本申请涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种芯片封装键合设备，包括有供料组件、键合头组件、键合平台；所述供料组件包括有芯片吸附头、XYZ三轴滑台；所述键合头组件包括6‑DoF压电平台、微孔阵列吸盘和机器视觉定位模块；所述键合平台为伸缩结构的可...
    2026-02-02
  • 横向刻蚀深度的量测方法和工艺评估方法及其装置
    横向刻蚀深度的量测方法和工艺评估方法及其装置_北京超弦存储器研究院_202410772621.5
    本申请公开了一种横向刻蚀深度的量测方法和工艺评估方法及其装置，涉及半导体技术领域。量测方法包括：建立对准标记的几何模型，对准标记包括纵向刻蚀标记和横向刻蚀标记，纵向刻蚀标记沿垂直于衬底的方向延伸，横向刻蚀标记自纵向刻蚀标记沿远离纵向刻蚀标记...
    2026-02-02
  • 优化太阳能电池片光电转换效率的方法
    优化太阳能电池片光电转换效率的方法_正泰新能科技股份有限公司_202510563025.0
    公开了优化太阳能电池片光电转换效率的方法，该方法的包括：固定第一电池片正面副栅线的印刷参数，调整印刷第一电池片背面副栅线的第一印刷参数，获取二道浆料湿重和光电转换效率的第一对应关系；固定第二电池片背面副栅线的印刷参数，调整印刷第二电池片正面...
    2026-02-02
  • 空洞检测方法和空洞检测装置
    空洞检测方法和空洞检测装置_中环领先(徐州)半导体材料有限公司_202511044833.2
    本发明公开了一种空洞检测方法和空洞检测装置，空洞检测方法包括：步骤S1、将待测晶圆的厚度方向上的第一侧面涂覆可流动的标记物，将待测晶圆置于容纳腔中，且待测晶圆与容纳腔的内壁密封配合，以使待测晶圆将容纳腔分隔为不连通的第一腔室和第二腔室，第一...
    2026-02-02
  • 一种BGA器件的检测方法及系统
    一种BGA器件的检测方法及系统_深圳市华汉伟业科技有限公司_202511090633.0
    一种BGA器件的检测方法及系统，用于对BGA器件的三维缺陷进行检测；获取待测BGA器件的灰度图像以及深度图像；根据所述灰度图像得到实际检测范围；根据所述实际检测范围对待测BGA器件进行三维缺陷检测，所述三维缺陷检测包括球高检测、共面性检测以...
    2026-02-02
  • 快速检测氮化硅钝化膜的致密性的方法
    快速检测氮化硅钝化膜的致密性的方法_润马光能科技(金华)有限公司_202511148000.0
    本发明属于光伏电池的镀膜工艺控制的技术领域，具体涉及一种快速检测氮化硅钝化膜的致密性的方法。本发明所述的快速检测氮化硅钝化膜的致密性的方法，包括以下步骤：配制氢氟酸药液；在相同条件下，制备不同SiH4摩尔分数百分比的电池片氮化硅钝化膜系列样...
    2026-02-02
  • 补正关键层次关键尺寸均匀性的方法
    补正关键层次关键尺寸均匀性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511159040.5
    本发明提供一种补正关键层次关键尺寸均匀性的方法，该方法包括：获取光刻掩模版的关键尺寸数据、晶圆显影后刻蚀前的第一关键尺寸数据及刻蚀后的第二关键尺寸数据；基于掩模版的关键尺寸数据计算用于补偿掩模版效应的第一补偿值；基于第一和第二关键尺寸数据计...
    2026-02-02
  • 半导体器件特征尺寸的评估方法
    半导体器件特征尺寸的评估方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511164950.2
    本发明涉及自对准图形化工艺技术领域，具体而言，涉及半导体器件特征尺寸的评估方法。该方法包括：将晶圆置于分区卡盘，通过自对准图形化工艺对晶圆进行处理得到多个空槽；在氧化物刻蚀步中，分区卡盘的任意两个分区的温度差大于零，最高温度高于或等于基准温...
    2026-02-02
  • 一种自动检测浮晶的方法、系统及计算机可读存储介质
    一种自动检测浮晶的方法、系统及计算机可读存储介质_江西兆驰半导体有限公司_202511266379.5
    本发明涉及一种自动检测浮晶的方法、系统及计算机可读存储介质，该方法包括：在固晶端获取一样本晶粒以进行影像教导，将当前晶粒的图像与所述样本晶粒的图像进行比较，基于比较结果判断所述当前晶粒是否固晶成功；当所述当前晶粒固晶成功时，对所述当前晶粒进...
    2026-02-02
  • 获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法
    获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511293674.X
    本发明提供一种获得表层易变质薄膜的刻蚀速率的方法。该方法中，多个衬底上均形成有薄膜和变质层；采用第一刻蚀液刻蚀去除第一衬底上的变质层；采用第二刻蚀液刻蚀以及T1刻蚀时间刻蚀去除第二衬底上的变质层和部分薄膜；采用第二刻蚀液刻蚀以及T2刻蚀时间...
    2026-02-02
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