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最新专利技术
  • 一种钙钛矿太阳能电池动态退火氛围控制装置及其方法
    一种钙钛矿太阳能电池动态退火氛围控制装置及其方法_昆山市鸿玛自动化科技有限公司_202511291240.6
    本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池动态退火氛围控制装置及其方法，涉及太阳能电池制备技术领域，包括退火组件，包括炉体，所述炉体两侧分别固定有传输室和风冷室，所述传输室与风冷室之间设置有退火室，所述炉体内开设有位移腔，所述位移腔内设置有三轴驱动件...
    2025-11-29
  • 一种钙钛矿前驱体组合物及其制备方法与电池
    一种钙钛矿前驱体组合物及其制备方法与电池_正泰新能科技股份有限公司_202410646511.4
    本发明提供了一种钙钛矿前驱体组合物及其制备方法与电池，所述的钙钛矿前驱体组合物包括钙钛矿前驱体原料与三维COFs原料。本发明中的三维COFs原料能够促进钙钛矿成核与晶体生长，改善钙钛矿吸收层的表面形貌，并提高其结晶度，还有利于降低钙钛矿吸收...
    2025-11-29
  • 一种钙钛矿电池辅助材料及包含其的钙钛矿太阳能电池
    一种钙钛矿电池辅助材料及包含其的钙钛矿太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202410646515.2
    本发明提供一种钙钛矿电池辅助材料及包含其的钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿电池辅助材料包括共价有机聚合物和还原剂的组合，所述共价有机聚合物包含式I所示的结构单元。本发明通过特定结构的共价有机聚合物的设计及其与还原剂的复配协同，使钙钛矿电池辅助材...
    2025-11-29
  • 钙钛矿层及其制备方法、太阳电池、光伏组件
    钙钛矿层及其制备方法、太阳电池、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410774077.8
    本发明公开了一种钙钛矿层及其制备方法、太阳电池、光伏组件，钙钛矿层由卤化铅骨架层和阳离子溶液反应而成，卤化铅骨架层包括卤化铅和5‑氨基乳清酸，5‑氨基乳清酸与卤化铅的质量比为1：10～20。5‑氨基乳清酸加入能够有效降低卤化铅骨架层底部的碘...
    2025-11-29
  • 钙钛矿层、其制备方法和光电器件
    钙钛矿层、其制备方法和光电器件_香港科技大学_202510657078.9
    本申请涉及钙钛矿层、其制备方法和光电器件。本申请的钙钛矿层包含钙钛矿化合物和表面活性剂，其中所述钙钛矿化合物由式1表示：(A+)1‑y(A’+)y(M2+)(X‑)3，其中y是0.01‑0.99；M2+是Pb2+、Sn2+或Ge2+；A+和...
    2025-11-29
  • 一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及其制备方法
    一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及其制备方法_苏州大学_202510923884.6
    本发明涉及一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及其制备方法，属于钙钛矿电池技术领域。本发明的钙钛矿前驱体溶液包括钙钛矿材料、含多磺酰氯基团的添加剂和有机溶剂；含多磺酰氯基团的添加剂的化学式为其中，R1和R2独立地选自C1‑6烷基、烯...
    2025-11-29
  • 一种SnSe/SWCNTs复合热电材料及其制备方法和应用
    一种SnSe/SWCNTs复合热电材料及其制备方法和应用_济南大学_202511249976.7
    本发明公开了一种SnSe/SWCNTs复合热电材料及其制备方法和应用，属于热电材料技术领域。本发明以无机热电基体材料硒化锡与有机导电材料单壁碳纳米管构建复合材料体系，通过原位复合的方式成功制备得到了SnSe/SWCNTs复合材料。采用本发明...
    2025-11-29
  • 一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门
    一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门_湘潭大学_202511527521.7
    本发明公开了一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门，包括衬底，所述衬底上左右两侧对称设置两个结构相同的器件，所述器件包括从上到下依次设置的顶电极、中间层和底电极，中间层采用铁电薄膜；外部偏置电压施加在两个器件的顶电极上，两个器件的...
    2025-11-29
  • 压电器件、装置及极化处理方法
    压电器件、装置及极化处理方法_斯坦雷电气株式会社_202510662973.X
    本发明提供压电器件、装置及极化处理方法，能够抑制在压电器件的极化时在压电体层产生温度不均。压电器件为依次层叠有第一电极层、压电体层和第二电极层的电容器构造的压电器件，该第一电极层具有两个第一电极端子，其中，所述第一电极层通过所述两个第一电极...
    2025-11-29
  • 压电材料、器件及制造所述器件的方法
    压电材料、器件及制造所述器件的方法_罗伯特·博世有限公司_202510672332.2
    本文公开了氮化铝(AlN)压电材料、压电器件以及制造所述器件的相关方法。这些压电材料包含一种增强材料压电性能的掺杂元素和一种增强压电材料机械性能的强化元素。将增强和强化元素并入AlN的二元合金中，形成四元AlN合金，从而减少压电张量分量(e...
    2025-11-29
  • 自旋轨道矩磁存储单元及其制备方法
    自旋轨道矩磁存储单元及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202410654873.8
    本发明提供一种自旋轨道矩磁存储器制备方法，所述方法包括：在具有底电极的衬底上由下向上依次形成磁隧道结叠层、自旋轨道矩层和缓冲层；对所述缓冲层、自旋轨道矩层和磁隧道结叠层进行刻蚀，使缓冲层、自旋轨道矩层和磁隧道结叠层形成目标形状，形成第一中间...
    2025-11-29
  • 磁性隧道结器件
    磁性隧道结器件_浙江驰拓科技有限公司_202410654874.2
    本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：从下至上依次层叠设置的参考层、势垒层、自由层、PMA增强层和氧化物盖层，参考层具有垂直于平面的固定磁化，自由层具有垂直于平面且方向可变的磁化，参考层和自由层具有垂直磁各向异性PMA；PMA增强层与自由层接...
    2025-11-29
  • 具有功能芯片并且具有在物理上分开的感测芯片的封装
    具有功能芯片并且具有在物理上分开的感测芯片的封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202510610093.8
    本公开涉及具有功能芯片并且具有在物理上分开的感测芯片的封装。一种封装(100)包括：功能芯片(102)，用于提供涉及电流的电功能；和感测芯片(104)，用于提供表征所述电流的电感测信号，其中功能芯片(102)和感测芯片(104)是在物理上分...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410659414.9
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有第一金属层，所述基底和第一金属层表面形成有第一介质阻挡层；在所述第一介质阻挡层中形成暴露所述第一金属层的开口；在所述开口的底部和侧壁形成填充层；在所述开口内形成填满所述开口...
    2025-11-29
  • 自选择存储材料、存储器件、以及包括存储器件的电子设备
    自选择存储材料、存储器件、以及包括存储器件的电子设备_三星电子株式会社_202510661723.4
    提供自选择存储(SSM)材料、存储器件、以及包括存储器件的电子设备。所述SSM材料可具有双向阈值开关(OTS)特性，可配置为根据所施加的电压的极性和强度改变阈值电压，并且可包括Ge、Sb、和S。
    2025-11-29
  • 一种全光控人工突触器件及其制备方法
    一种全光控人工突触器件及其制备方法_东北师范大学_202511065283.2
    本发明公开了一种全光控人工突触器件及其制备方法，它包括：衬底、半导体功能层和惰性金属电极，半导体功能层设在衬底，惰性金属电极设在半导体功能层两端；所述的半导体功能层为过渡金属硫化物二维层状材料；过渡金属硫化物二维层状材料上，设有银纳米颗粒；...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备
    半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410642811.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电容器尺寸缩小所造成的电容值降低的问题。所述半导体结构包括电容器。电容器包括第一电极、第二电极和电介质层。电介质层位于第一电极和第二电极之间；电介...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410642902.9
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一电极层、支撑部和第二电极层。支撑部位于第一电极层沿第一方向的第一侧。第二电极层包括第一部分和第二部分。第一部分位于支撑部沿第二方向的一侧。第二部分位于第一电极层沿第一方向...
    2025-11-29
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410659302.3
    本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：基底，基底中形成有若干电容接触结构；第一支撑层，设置在基底上；电容孔，贯穿第一支撑层，暴露出电容接触结构；其中，第一支撑层在远离基底的一侧具有沿第一方向延伸...
    2025-11-29
  • 赋予改善的ToBRFV抗性的遗传决定子
    赋予改善的ToBRFV抗性的遗传决定子_维尔莫林公司_202480028960.0
    赋予改善的ToBRFV抗性的遗传决定因子。本发明涉及一种对番茄褐色皱果病毒(ToBRFV)具有抗性的番茄植物，在所述番茄植物的基因组中包含以下组合：从多毛番茄基因渗入并且赋予对ToBRFV的抗性的、在8号染色体上的抗性数量性状基因座(QTL...
    2025-11-29
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