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最新专利技术
  • 一种半导体器件电极及其保护层制备方法
    一种半导体器件电极及其保护层制备方法_江苏汉可智能装备有限公司_202511520770.3
    本发明公开了一种半导体器件电极及其保护层制备方法，包括：金属电极和HoFCVD设备，所述金属电极利用HoFCVD设备在其表面通过沉积的方式覆盖保护层。本发明利用氮化硅或氮氧化硅具有良好的耐候性和化学稳定性，覆盖在电极上方，可以起到隔绝外界环...
    2025-11-30
  • 一种热光伏选择性热辐射器及制备方法
    一种热光伏选择性热辐射器及制备方法_上海交通大学_202510877667.8
    本发明公开了一种热光伏选择性热辐射器，由层叠结构构成，层叠结构包括基底、中层和顶层；基底为钨；中层为二氧化硅；顶层为硅，还公开了选择性热辐射器的制备方法，包括基底预处理和薄膜气相沉积，基底预处理包括依次使用异丙醇、乙醇及去离子水完成超声清洗...
    2025-11-30
  • 一种高灵敏单光子探测器的封装结构
    一种高灵敏单光子探测器的封装结构_重庆理工大学_202511168790.9
    本发明属于光子探测器技术领域，具体的说是一种高灵敏单光子探测器的封装结构，包括封装壳，封装壳正面设置有探测头，封装壳内部设置有单光子探测器，封装壳内壁镶嵌有防护块，封装壳顶部设置有密封盖，封装壳顶部设置有用于对密封盖进行导向的导向机构，封装...
    2025-11-30
  • 一种太阳能电池和光伏组件
    一种太阳能电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511196991.X
    本发明公开一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于提高半导体基底正面的光学吸收性能，以及增强正面边缘区域的钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。太阳能电池包括半导体基底。该半导体基底的正面包括位于边缘的第一区域、以及位于第一区域内侧且...
    2025-11-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511509162.2
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少包括外延叠层；外延叠层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层包括至少一层第一类量子阱层和至少一层第二类量子阱层，第一类量子阱层的In浓度大于第二...
    2025-11-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511517993.4
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管的半导体外延叠层由隔离槽分隔为第一台面和第二台面，隔离槽处所暴露的第二半导体层形成为电极台面，发光二极管的第二焊盘电极形成在电极台面处，并且自电极台面延伸至少覆盖第二台面的上表面，进一步地，第二...
    2025-11-30
  • 一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法
    一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511525120.8
    本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的AlN成核层，该成核层中包含多个气孔以形成光散射结构；依次设置在AlN成核层上的N型GaN层、包含铟组分渐变量子阱的活性层、以及电子阻挡...
    2025-11-30
  • 一种改善光谱的红外LED外延片及其制备方法
    一种改善光谱的红外LED外延片及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202511520935.7
    本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种改善光谱的红外LED外延片及其制备方法。该红外LED外延片由下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型电流扩展层、N型限制层、分压式单峰发光层、P型限制层、P型电流扩展层、P面接触层；分压...
    2025-11-30
  • 一种高Al组分n型AlGaN欧姆接触的金属电极及其制备方法与应用
    一种高Al组分n型AlGaN欧姆接触的金属电极及其制备方法与应用_北京大学_202410609017.0
    本发明公开了一种高Al组分n型AlGaN欧姆接触的金属电极及其制备方法与应用。本发明提供的金属电极包括欧姆接触层、粘附层、阻挡层以及导电层；所述欧姆接触层的材质为钒；所述阻挡层的材质为铬。本发明不但改善了高温合金后的电极形貌，还能有效降低高...
    2025-11-30
  • Micro-LED显示芯片以及其制备方法
    Micro-LED显示芯片以及其制备方法_苏州秋水半导体科技有限公司_202410620846.9
    本申请公开了Micro‑LED显示芯片以及其制备方法，该Micro‑LED显示芯片包括显示基板和驱动基板，显示基板包括发光外延层、第一介质填充层和透明导电层，发光外延层内设置有第一介质填充区，第一介质填充区沿层叠方向贯穿发光外延层，以将发光...
    2025-11-30
  • Micro-LED显示芯片以及其制备方法
    Micro-LED显示芯片以及其制备方法_苏州秋水半导体科技有限公司_202410620347.X
    本申请公开了Micro‑LED显示芯片以及其制备方法，该Micro‑LED显示芯片包括以层叠方式彼此键合的显示基板以及驱动基板，显示基板包括发光外延层、第一介质填充层及第一介质填充层：发光外延层内设置有第一介质填充区，第一介质填充区沿层叠方...
    2025-11-30
  • 光电子半导体芯片
    光电子半导体芯片_欧司朗OLED股份有限公司_202511031594.7
    在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区(23)。镜(3)包括覆盖层(31)。覆盖层(31)由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光学厚...
    2025-11-30
  • 发光单元
    发光单元_隆达电子股份有限公司_202510421847.5
    本发明公开一种发光单元。发光单元包括基板、发光元件、导光元件及调光层。发光元件设置于基板上。导光元件设置在发光元件上，且包括中心部分、第一部分及第二部分。第一部分具有第一粗糙度，且第二部分具有第二粗糙度。调光层设置在导光元件的顶表面上，且设...
    2025-11-30
  • 一种双色温COB用高亮度五面发光CSP及其制备方法
    一种双色温COB用高亮度五面发光CSP及其制备方法_天津德高化成科技有限公司_202511521840.7
    本发明涉及LED封装技术领域，具体为一种双色温COB用高亮度五面发光CSP及其制备方法，至少包括倒装LED芯片和荧光胶膜，所述倒装LED芯片的五个发光面覆盖所述荧光胶膜；所述荧光胶膜的制备原料至少包括硅胶和KSF，所述荧光胶膜中KSF的质量...
    2025-11-30
  • LED封装结构、背光模组和显示设备
    LED封装结构、背光模组和显示设备_深圳创维显示科技有限公司_202511144124.1
    本申请公开了一种LED封装结构、背光模组和显示设备，涉及显示技术领域，公开了LED封装结构，包括：蓝光晶片，设置于蓝光晶片出光侧的第一荧光层以及设置于第一荧光层出光侧的第二荧光层；在蓝光晶片的激发下，第一荧光层的发射波长为520～575nm...
    2025-11-30
  • 一种键合线和发光器件
    一种键合线和发光器件_深圳循光科技有限公司_202511527258.1
    本发明涉及发光器件技术领域，公开了一种键合线和发光器件，键合线包括导电的第一分部和导电的第二分部；第二分部具有容纳腔，第二分部远离第一分部的一端与基板上的电路电连接；第一分部的第一端被限位于容纳腔内，且与第二分部的内侧壁电连接，第二端与发光...
    2025-11-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511516239.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少包括外延叠层和过渡层，外延叠层包括N型半导体层、P型半导体层以及位于N型半导体层和P型半导体层之间的有源层；有源层包括第一类量子阱层和第二类量子阱层，第一类量子阱...
    2025-11-30
  • 一种显示芯片的制作方法、显示芯片和显示装置
    一种显示芯片的制作方法、显示芯片和显示装置_重庆康佳光电科技有限公司_202410551165.1
    本申请涉及一种显示芯片的制作方法、显示芯片和显示装置。显示芯片的制作方法包括在驱动基板上设置第一外延层；将第一外延层制作为第一发光层，第一发光层包括第一发光单元以及第一公共导电层；第一发光单元与驱动线路电连接，用于在通电时发出第一波长的光线...
    2025-11-30
  • 一种Micro-LED微显示器件及其制备方法
    一种Micro-LED微显示器件及其制备方法_南昌大学_202510999100.8
    本发明公开了一种Micro‑LED微显示器件及其制备方法，涉及半导体显示技术领域，通过简单的技术方案即可解决现有技术中存在的光学串扰、电流分布不均的问题。制备方法包括以下步骤：在衬底上生长GaN基外延层；对GaN基外延层进行台面刻蚀，在中心...
    2025-11-30
  • 一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法
    一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511476491.1
    本申请公开了一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法，包括以下步骤：S1，外延清洗；S2，图形化光刻；S3，ICP干法刻蚀；S4，S4，湿法修复药液配置；S5，侧壁损伤湿法处理；S6，后处理；S7，效果表征；本申请针对...
    2025-11-30
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