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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410574985.2
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底上形成有第一介质层，第一介质层中形成有前层互连结构；第二介质层，位于第一介质层和前层互连结构的顶部，且第二介质层暴露前层互连结构的顶部；互连结构，位于第二介质层中，互连结构的底部与对应的...
    2025-12-03
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410585939.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在减小相邻的两个导电结构之间的寄生电容的电容值，并降低相邻的两个导电结构之间的电容耦合，避免由于相邻的两个导电结构之间的寄生电容导致的导电结构的信号延迟，提升...
    2025-12-03
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510478443.X
    提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基层；第一金属线和第二金属线，在基层上方的第一层中在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上布置；以及在第二层中的桥金属图案，在第二方向上延伸以连接第一金属线和第二金属线，第二层直接在...
    2025-12-03
  • 一种多芯片扇出封装结构及封装方法
    一种多芯片扇出封装结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202510860975.X
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种多芯片扇出封装结构及封装方法。包括第一重布线层，所述的第一重布线层一侧表面通过第一UBM层电连接芯片，第一重布线层另一侧表面分别设有垂直导电结构、硅桥芯片，硅桥芯片一侧通过BCB层连接PI层，PI层...
    2025-12-03
  • 易于串联的低电感功率模块结构及封装方法
    易于串联的低电感功率模块结构及封装方法_清华大学_202510983936.9
    本申请公开了一种易于串联的低电感功率模块结构及封装方法，功率模块结构包括封装模块单元，封装模块单元包括沿第一方向层叠设置的至少两个封装模块，封装模块包括连接组件，包括基板、主转接板和模块连接件，主转接板包括绝缘的第一导电层和第二导电层，主转...
    2025-12-03
  • 半导体结构、半导体装置及半导体结构的制备方法
    半导体结构、半导体装置及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410567812.8
    一种半导体结构、半导体装置及半导体的制备方法，该半导体结构包括晶圆，晶圆分为多个半导体芯片区、和位于相邻两个半导体芯片之间的切割道区；封闭环结构，封闭环结构设置于所述芯片区和所述切割道区之间；金属垫层，金属垫层铺满切割道区，金属垫层位于所述...
    2025-12-03
  • 射频测试焊盘及射频测试结构
    射频测试焊盘及射频测试结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410575147.7
    本申请涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种射频测试焊盘及射频测试结构。射频测试焊盘，包括：基底；连接支撑层位于所述基底上，所述连接支撑层包括金属层；连接端口位于所述连接支撑层上，所述连接端口包括接地端口和信号端口；所述接地端口通过所述金属层...
    2025-12-03
  • 显示装置、制造显示装置的方法和电子装置
    显示装置、制造显示装置的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510380579.7
    提供了一种显示装置、制造显示装置的方法和电子装置。所述显示装置包括：显示面板，包括第一区域、第二区域和第三区域，第二区域与第一区域相邻并且关于在一个方向上延伸的弯曲轴弯曲，第三区域与第二区域相邻并且包括对准标记；覆盖层，在显示面板的第三区域...
    2025-12-03
  • 半导体装置和用于监测半导体装置的方法
    半导体装置和用于监测半导体装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510581068.1
    本公开涉及半导体装置和用于监测半导体装置的方法。公开了一种半导体装置和一种用于操作半导体装置的方法。半导体装置包括：多个半导体主体(11，12，1n)；壳体(3)，所述多个半导体主体(11，12)被布置在所述壳体中；和传感器电路(2)，包括...
    2025-12-03
  • 半导体结构及半导体测试方法
    半导体结构及半导体测试方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511090725.9
    本申请提供了一种半导体结构及半导体测试方法，包括衬底，衬底具有测试区和正常单元区；被测试绝缘层及接触孔场板，分别位于测试区和正常单元区的衬底上；介质层，位于衬底上，并覆盖被测试绝缘层及接触孔场板；第一测试插塞及接触插塞，分别位于测试区和正常...
    2025-12-03
  • 半导体封装结构及其制备方法、电子设备
    半导体封装结构及其制备方法、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410571316.X
    本申请公开了一种半导体封装结构及其制备方法、电子设备。该半导体封装结构包括：导电层，包括第一部分以及与所述第一部分沿第一方向间隔分布的第二部分；电子元器件，沿第二方向位于所述第一部分的至少一侧并与所述第一部分连接；以及静电引出件，与所述第二...
    2025-12-03
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_湖北星辰技术有限公司_202511468706.5
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：沿第一方向堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：第一键合层，以及位于第一键合层中的第一导电结构；第二半导体结构包括：第二键合层，以及位于第二键合层中...
    2025-12-03
  • 一种发光基板
    一种发光基板_合肥京东方瑞晟科技有限公司_202410563798.4
    本公开提供一种发光基板，属于显示技术领域。该发光基板包括依次层叠设置的衬底基板、驱动层、封装层和元件层；驱动层上具有至少一个焊盘组，焊盘组包括至少相邻设置的焊盘；封装层具有各个焊盘组一一对应的绑定开口，以及具有与焊盘组一一对应的垫高结构；绑...
    2025-12-03
  • 极组、电芯及电池包
    极组、电芯及电池包_蜂巢能源科技股份有限公司_202511111707.4
    本申请涉及电池技术领域，公开了一种极组、电芯及电池包，包括沿第一方向依次堆叠设置的第一极片和第二极片，第一方向为极组的厚度方向。第一极片和第二极片之间设置有隔膜，第一极片和第二极片中的一者为正极极片，另一者为负极极片。第一极片在第二方向上的...
    2025-12-03
  • 一种锂离子电池石墨负极材料及其制备方法
    一种锂离子电池石墨负极材料及其制备方法_青岛泰达华云新能源科技有限公司_202511448083.5
    本发明属于二次电池材料领域，公开了一种锂离子电池石墨负极材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、将天然石墨进行热处理；S2通过惰性气体携带石墨烯量子点前驱体，在石墨颗粒表面发生碳热还原反应形成厚石墨烯量子点包覆层；S3、将石墨烯量子点...
    2025-12-03
  • 一种基于DNA复合材料包覆的集流体及其制备方法与应用
    一种基于DNA复合材料包覆的集流体及其制备方法与应用_成都工业学院_202511460987.X
    本发明涉及一种基于DNA复合材料包覆的集流体及其制备方法与应用，属于电化学储能技术领域。本发明提供的集流体的制备方法包括以下步骤：(1)将秋葵裁切去籽后加入水中，0‑10℃放置24‑36 h后，加入酶解液反应，固液分离得到提取液；(2)向提...
    2025-12-03
  • 一种电池石墨负极材料的制备方法
    一种电池石墨负极材料的制备方法_青岛泰达华云新能源科技有限公司_202511480978.7
    本发明属于二次电池材料领域，公开了一种电池石墨负极材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将天然石墨通过两段式升温热处理后冷却破碎，得到球形石墨颗粒；S2、将处理后的球形石墨颗粒通入含氟、含氮和含硫的前驱体，形成F、N、S原子梯度掺杂石墨颗粒；...
    2025-12-03
  • 一种碱性电池负极材料及其制备方法
    一种碱性电池负极材料及其制备方法_郁南虎头电源科技有限公司_202511091981.X
    本发明公开了一种碱性电池负极材料及其制备方法，包括以下步骤：S1锌粉预处理：锌粉经超临界二氧化碳清洗后，通入含硼气体进行气相包覆钝化；S2制备复合表面活性剂母液：制备聚醚改性硅氧烷等组成的复合表面活性剂母液；S3真空湿拌锌膏：锌粉与表面活性...
    2025-12-03
  • 一种干法极片及其制备方法、电池
    一种干法极片及其制备方法、电池_南通市懋略科技有限公司_202410570560.4
    为解决现有电池极片在干法工艺下不能兼容较小粒径(D50≤5μm)活性材料的问题，本发明提供了一种干法极片及其制备方法、电池，干法极片包括集流体和复合在所述集流体上的活性物质层，所述活性物质层包括活性物质、导电剂和粘接剂，所述导电剂包括一维导...
    2025-12-03
  • 负极极片及其制备方法、二次电池和用电装置
    负极极片及其制备方法、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410571332.9
    本申请涉及一种负极极片及其制备方法、二次电池和用电装置，负极极片包括负极活性物质层，负极活性物质层包含添加剂，添加剂包括含有碳碳双键以及磺酸锂基团或磺酸钠基团的化合物。在电池负极浆料的制备过程中，加入含有碳碳双键以及硅酸锂或硅酸钠的添加剂，...
    2025-12-03
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