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最新专利技术
  • 显示面板及显示终端
    显示面板及显示终端_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511037548.8
    本申请涉及一种显示面板及显示终端。显示面板的显示区包括第一区域和第二区域；位于第一区域的封装层的厚度大于位于第二区域的封装层的厚度；触控层包括具有多个调光部的第一金属层和具有多个触控网格的第二金属层，调光部和触控网格对应设置于相邻的两个发光...
    2025-11-21
  • 一种OLED显示面板及显示设备
    一种OLED显示面板及显示设备_京东方科技集团股份有限公司_202511064830.5
    本发明公开了一种OLED显示面板及显示设备，包括：基板；像素层，位于所述基板之上；光学调节层，位于所述像素层背离所述基板的一侧；所述光学调节层包括：四分之一波片、以及位于所述四分之一波片背离所述基板一侧的线偏振片；所述光学调节层包括：透射区...
    2025-11-21
  • 一种热蒸发钙钛矿电致发光器件的像素化方法
    一种热蒸发钙钛矿电致发光器件的像素化方法_江汉大学_202511063804.0
    本发明属于热蒸发卤化物钙钛矿电致发光与显示领域，公开了一种热蒸发钙钛矿电致发光器件像素化的方法，首先在基底上(驱动电路或ITO玻璃基板等)制备亚微米厚度的掩膜层，具体为，转移具有微纳孔隙的双通氧化铝超薄膜层或者热蒸发沉积硒薄膜层、经由光照形...
    2025-11-21
  • 一种基于钙钛矿层掺杂的高稳定性太阳能电池及制备方法
    一种基于钙钛矿层掺杂的高稳定性太阳能电池及制备方法_安徽大学_202511117505.0
    本发明公开一种基于钙钛矿层掺杂的高稳定性太阳能电池及制备方法，包括步骤：1)衬底清洗；2)制备电子传输层；3)制备钙钛矿层：将PbI2加入到DMF和DMSO的混合液中，再加入全氟丁基磺酸钾，得PbI2混合溶液；将FAI和MACl加入到IPA...
    2025-11-21
  • 钙钛矿直接型X射线探测器的制备方法及钙钛矿墨水
    钙钛矿直接型X射线探测器的制备方法及钙钛矿墨水_南京邮电大学_202511034004.6
    本发明公开钙钛矿直接型X射线探测器的制备方法及钙钛矿墨水，属于直接型X射线探测器制备领域；制备方法包括：将钙钛矿前驱体粉末溶解在有机混合溶剂中，得到钙钛矿墨水；将基底清洗后，进行75℃预热；将钙钛矿墨水通过超声喷雾的方式沉积在基底上，形成钙...
    2025-11-21
  • 一种钙钛矿薄膜及其制备方法
    一种钙钛矿薄膜及其制备方法_无锡众能光储科技有限公司_202511417478.9
    本发明提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法，属于钙钛矿薄膜技术领域，包括以下步骤：步骤S1、制备改性八(氨基苯基三氧硅烷)；步骤S2、制备前驱体溶液；步骤S3、采用前驱体溶液对预处理基底进行旋涂，同时滴加乙酸乙酯，再采用紫外光下进行光照处理，之后...
    2025-11-21
  • 用于制造显示设备的装置
    用于制造显示设备的装置_三星显示有限公司_202510424706.9
    提供了将第一沉积材料和第二沉积材料沉积在布置在虚拟平面中的显示衬底上的用于制造显示设备的装置。该装置可以包括具有多个沉积部的沉积源，该沉积部包括在虚拟平面的不同区域或部分上不同的沉积材料。沉积源相对于显示衬底移动，使得在虚拟平面的不同区域中...
    2025-11-21
  • 一种基于功能化芳酰胺类小分子的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
    一种基于功能化芳酰胺类小分子的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用_苏州大学_202511029669.8
    本发明公开了一种基于功能化芳酰胺类小分子的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，包括，通过将此类小分子引入钙钛矿前驱体溶液，结合温和可控的气淬法替代传统反溶剂工艺，实现了卤素相初始分布高度均一的宽带隙钙钛矿薄膜制备。该技术通过选择性延缓溴元素析出速...
    2025-11-21
  • 硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法
    硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法_西安电子科技大学_202511314665.4
    本发明公开了一种硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法，涉及钙钛矿太阳能电池领域，该方法包括：制备钙钛矿前驱体溶液；将碘作为添加剂加入至钙钛矿前驱体溶液中得到混合溶液；将混合溶液通过旋涂工艺制备成薄膜，在旋涂过程中向薄膜表面滴加反...
    2025-11-21
  • 检查显示装置的方法和包括显示装置的电子装置
    检查显示装置的方法和包括显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202510551855.1
    本发明涉及检查显示装置的方法以及包括显示装置的电子装置。检查显示装置的方法包括设置检查目标显示装置，检查目标显示装置包括包含第一表面和第二表面的衬底以及形成在第一表面上的第一子像素和第二子像素。方法包括在从第二表面朝向第一表面的方向上执行蚀...
    2025-11-21
  • 一种通过液晶材料稳定的ABX3型钙钛矿材料及其制备方法
    一种通过液晶材料稳定的ABX3型钙钛矿材料及其制备方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511252267.4
    本发明公开了一种通过液晶材料稳定的ABX3型钙钛矿材料及其制备方法，属于半导体光电材料以及能源材料领域。所述制备方法包括：(1)将碘化铅与十二烷基二甲基苄基溴化铵混合均匀，热处理反应后获得液晶材料固体；(2)将获得的液晶材料固体溶解于有机溶...
    2025-11-21
  • 钙钛矿薄膜的制备方法、钙钛矿/硅叠层电池及制备方法
    钙钛矿薄膜的制备方法、钙钛矿/硅叠层电池及制备方法_港华能源创科(深圳)有限公司_202511300870.5
    本申请提供一种钙钛矿薄膜的制备方法、钙钛矿/硅叠层电池及制备方法。通过热蒸发在晶硅底电池上沉积碘化铅和溴化铯得到无机复合薄膜，再用稠合双杂环化合物溶液处理无机复合薄膜获得介孔结构复合薄膜，并于其上制备铵盐层并退火形成钙钛矿薄膜。该溶液可促进...
    2025-11-21
  • 一种近红外小分子改性的钙钛矿光伏器件及其制备方法
    一种近红外小分子改性的钙钛矿光伏器件及其制备方法_昆明理工大学_202511052260.8
    本发明公开了一种近红外小分子改性的钙钛矿光伏器件及其制备方法，属于太阳能电池技术领域技术领域。本发明所述近红外小分子改性的钙钛矿光伏器件从下到上依次包括ITO导电玻璃层、空穴传输层、近红外分子改性的Cs0.05(FA0.85MA0.05)0...
    2025-11-21
  • 半导体热电模块生产装置
    半导体热电模块生产装置_广东富信科技股份有限公司_202510973885.1
    本申请涉及半导体热电模块的技术领域，并具体提出了一种半导体热电模块生产装置，其包括支撑件和压合机构；支撑件用于支撑半导体热电模块；压合机构包括驱动件和抵压组件，抵压组件具有抵压面，驱动件可驱动抵压组件靠近支撑件，以使抵压面抵压半导体热电模块...
    2025-11-21
  • 一种SWCNT与芳纶纤维复合的热电材料制备方法
    一种SWCNT与芳纶纤维复合的热电材料制备方法_深圳大学_202511070790.5
    本发明公开了一种SWCNT与芳纶纤维复合的热电材料制备方法，包括：a、将芳纶纤维固体和二甲基亚砜溶剂混合后加入氢氧化钾溶液，得到芳纶纤维溶液；b、将芳纶纤维溶液和单壁碳纳米管加入乙醇或二甲基亚砜溶液中混合，得到SWCNT和芳纶纤维的混合分散...
    2025-11-21
  • 热电器件及制备方法
    热电器件及制备方法_中国船舶集团有限公司第七一九研究所_202511030997.X
    本发明公开了一种热电器件及制备方法，包括热端基板、冷端基板和热电臂，热端基板包括热端电极，冷端基板包括冷端电极，冷端基板与热端基板相对且间隔设置，热电臂为多个且设置于热端基板与冷端基板之间，热电臂与热端电极以及冷端电极均连接；其中，热端基板...
    2025-11-21
  • 一种双向梯度热电转换系统及其设计方法
    一种双向梯度热电转换系统及其设计方法_北京理工大学_202510980538.1
    本公开提供了一种双向梯度热电转换系统和设计方法。在热电转换系统中，在集热器的沿程方向划分了温度梯度降低的M个温区，每个温区布置至少1个热电模块；M为大于或等于3的整数；前M‑1个温区中，热电模块采用沿粒子方向温度梯度变化的至少2种热电材料组...
    2025-11-21
  • 基于激光挖孔与金属灌孔的超声波指纹芯片超薄封装方法
    基于激光挖孔与金属灌孔的超声波指纹芯片超薄封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511071329.1
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及基于激光挖孔与金属灌孔的超声波指纹芯片超薄封装方法，包括如下步骤：S1：在玻璃基板上形成底部电极；S2：在玻璃基板上均匀铺设PVDF薄膜；S3：顶部电极沉积与图案化处理；S4：钝化打印；S5：将芯片安装在...
    2025-11-21
  • 一种复合压电衬底及其制备方法和应用
    一种复合压电衬底及其制备方法和应用_青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司_202511009970.2
    本发明提供一种复合压电衬底及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：提供压电供体，压电供体包括层叠设置的虚拟支撑层和压电层；其中，压电层的厚度记为h1，单位为μm；在压电供体中的压电层一侧表面沉积氧化硅层，然后在氧化硅层一侧进行离子注入，...
    2025-11-21
  • 用于片上超声模组的封装结构及方法
    用于片上超声模组的封装结构及方法_杭州荷声科技有限公司_202510954683.2
    本发明提供了一种用于片上超声模组的封装结构及方法，包括POC裸片，所述POC裸片包括CMOS裸片和所述CMOS裸片上集成的PMUT换能器阵列；塑封结构，用于塑封所述POC裸片；所述塑封结构上贯穿设置有用于对所述POC裸片进行扇出的所述金属柱...
    2025-11-21
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