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背接触电池片、电池组件及光伏系统
本申请适用于光伏技术领域,提供了一种背接触电池片、电池组件及光伏系统,包括基底,所述基底具有相对设置的第一表面和第二表面;沿第一方向间隔设置于所述第一表面上的第一汇流结构和第二汇流结构;本申请中通过上述的结构设计,将第一表面的汇流结构设置为...
一种背接触电池组件及光伏系统
本发明适用于光伏技术领域,提供了一种背接触电池组件及光伏系统,该背接触电池组件包括第一电池串、焊带、汇流条;第一电池串包括沿第一方向交替排布的若干背接触太阳电池片,相邻的背接触太阳电池片通过焊带串联,背接触太阳电池片包括沿第一方向排布的第一...
一种硅基同质结红外探测器及其制备方法和应用
本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种硅基同质结红外探测器及其制备方法和应用。本发明提供的硅基同质结红外探测器包括高掺杂硅衬底和设置于高掺杂硅衬底中心位置的台面,台面包括依次层叠的阻挡层和吸收层,阻挡层直接与高掺杂硅衬底接触,吸收层的边...
一种二碲化钨/二硫化钨异质结的光电探测器及其制备方法
本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种二碲化钨(WTe2)/二硫化钨(WS2)异质结光电探测器及其制备方法,该光电探测器的结构为电极/WTe2/WS2异质结/电极,电极与WTe2/WS2异质结两端的WTe2和WS2非重叠部分与电极接触。本...
共同封装的光学器件和收发器
一种用于共同封装光子和电子集成电路的组件。在一些实施例中,该组件包括:光子集成电路(PIC,105);以及电子集成电路(IC,110)。光子集成电路的前表面在重叠区域(135)中紧靠电子集成电路的前表面。光子集成电路的第一部分(125)突出...
一种提高CMOS图像传感器性能的工艺方法
本发明公开了一种提高CMOS图像传感器性能的工艺方法,至少包含以下步骤:步骤S1,提供一衬底,第一温度下,在所述衬底上生长第一P型外延层;步骤S2,第二温度下,在所述第一P型外延层上生长N型外延层;步骤S3,第三温度下,在所述N型外延层上生...
多光谱芯片组件及其制备方法
本申请提供一种多光谱芯片组件及其制备方法。多光谱芯片组件制备方法包括:获取图像传感器,图像传感器用于获取不同波段的光线,以得到每一通道的光谱信息,其中,不同通道对应不同波段的光谱信息;在图像传感器的感光路径上形成滤光层,滤光层用于对进入图像...
红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法
本公开涉及红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法,属于红外探测领域。该红外高光谱成像探测器包括:读出电路、胶体量子点红外探测单元以及滤光片阵列;该读出电路具有阵列排布的像素电路;胶体量子点红外探测单元耦合在读出电路的一侧,胶体量子点红外...
单光子雪崩二极管器件及其制造方法
本发明提供一种单光子雪崩二极管器件及其制造方法。该器件包括:第一导电类型的衬底;形成于衬底内的单光子雪崩二极管单元;设置于衬底表面局部区域的埋层氧化物层;以及形成于埋层氧化物层之上的薄膜全耗尽型绝缘层上硅晶体管。单光子雪崩二极管单元与薄膜全...
固态图像感测器
一种固态图像感测器,包含绕射层及吸收层。绕射层包含多个绕射元件,绕射元件具有多个顶部中心间隙,而吸收层设置于绕射层的下方并包含多个吸收元件,吸收元件具有多个底部中心间隙。固态图像感测器的多个像素由绕射元件及吸收元件所定义。像素排列成一阵列。...
一种纳米颗粒优化界面的宽谱探测器及其制备方法与应用
本发明公开了一种纳米颗粒优化界面的宽谱探测器及其制备方法与应用,属于光电探测器技术领域,本发明通过垂直耦合结构将硅可见光探测器与HgTe量子点红外探测器进行耦合。借助溶液处理技术,HgTe胶体量子点能与以硅为基底的可见光探测器兼容,两种材料...
具抗眩光特性的球栅阵列封装影像传感器模块
本申请涉及电子设备技术领域,本申请提供一种具抗眩光特性的球栅阵列封装影像传感器模块,球栅阵列封装影像传感器模块包括基板、影像感测芯片、导线、盖板及阻胶体。其中,影像感测芯片的上表面边缘与盖板之间设置光学密度(OD)大于或等于2的阻胶体,且阻...
治疗感测装置
一种治疗感测装置包括衬底、二极管、第一晶体管及第二晶体管。二极管设置于衬底上且包括第一端;第一晶体管设置于衬底上且包括第一端及第二端,其中第一晶体管的第一端电连接二极管的第一端;第二晶体管设置于衬底上且包括第一端及第二端,其中第二晶体管的第...
塔基形貌关系模型建立方法、去绕镀方法及太阳能电池
本申请公开了一种塔基形貌关系模型建立方法、去绕镀方法及太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,该方法包括:选取去除电池表面绕镀膜层过程中的关键参数;对选取的关键参数进行变量调节,在调节后的当前变量情况下去除电池表面绕镀膜层,并检测每次变量调节对...
背接触太阳能电池及其制备方法
本发明公开一种背接触太阳能电池及其制备方法,背接触太阳能电池的制备方法包括:提供硅基底;硅基底具有相对的正面和背面;在硅基底的背面形成P型半导体结构和N型半导体结构;P型半导体结构包括P型掺杂的单晶硅层;在P型半导体结构表面形成第一电极,以...
一种降低中间层二次钝化的HBT材料的制备方法及HBT材料
本发明涉及异结双极晶体管材料技术领域,具体公开一种降低中间层二次钝化的HBT材料的制备方法及HBT材料。包括以下步骤:采用MOCVD方法,在n‑GaAs集电区层表面依次生长p‑GaAs:C中间基区层和n‑GaInP:Si发射区层;在所述n‑...
电池片二次激光烧结的方法
本申请公开了一种电池片二次激光烧结的方法,属于太阳能电池领域。本申请的电池片二次激光烧结的方法包括在第一工位对电池片实施第一次激光烧结,包括向位于第一工位的电池片施加第一反向电压以及施加第一激光扫掠处理;在第二工位对电池片实施第二次激光烧结...
一种基于双层印刷工艺的topcon电池及制备工艺
本发明公开了一种基于双层印刷工艺的topcon电池及制备工艺,涉及太阳能电池生产技术领域,包括清洗、制绒、隧穿氧化层制备、多晶硅层沉积、扩散与激活、高温扩散、丝网印刷工艺和烧结与光注入处理;且在丝网印刷工艺中设置推压结构和回推结构,该制备工...
太阳能电池组件及其制造方法
本申请涉及一种太阳能电池组件及其制造方法。该方法包括:匹配待焊接电池串,提供可旋转载具;待焊接电池串包括:在第一方向上依序排列的多个电池片,电池片上设有多条第一栅线,多条第一栅线沿第一方向延伸,且在第二方向上间隔排布,第二方向与第一方向正交...
导电背板制作方法、导电背板和光伏组件
本发明提供了一种导电背板制作方法,用于制作导电背板,导电背板包括玻璃、胶膜、金属箔和绝缘层,制作方法包括:将玻璃与胶膜相覆合;将经过图案镂空的金属箔覆合于胶膜上;将绝缘层覆合于金属箔上。本发明能够避免导电背板渗透水气,提高导电背板的可靠性。...
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