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  • 本发明涉及芯片技术领域, 尤其涉及一种带测试电路的异步复位状态可控的低功耗触发器电路结构, 包括第一选择器、第二选择器、第一触发器、第二触发器、复位控制门、置位控制门和非门, 其中, 第一选择器的第一输入端口用于接收第一测试复位信号, 第一...
  • 本发明涉及芯片技术领域, 尤其涉及一种异步复位状态可控的低功耗触发器电路结构, 包括第一触发器、第二触发器、复位控制门、置位控制门和非门, 其中, 第一复位输入引脚和第一置位输入引脚均用于接收第一复位信号, 第二复位输入引脚和第二置位输入引...
  • 本发明涉及芯片技术领域, 尤其涉及一种带测试电路的异步复位状态可控的触发器电路结构, 包括第一复位控制电路、第二复位控制电路、M组异步复位状态可控的触发器电路{A1, A2, ..., Am, ..., AM}, Am为第m个异步复位状态可...
  • 提供能够利用微弱的电流高精度地驱动负载的半导体开关。半导体开关具备产生基于受光的电动势的电动势产生电路, 连接于第一输出端子与基准电压节点之间并在产生上述电动势时驱动负载的第一开关晶体管, 连接于第二输出端子与上述基准电压节点之间并在产生上...
  • 本发明提供了一种转移电流电路以及直流断路器, 属于电路保护技术领域, 转移电流电路包括:第一电路和第二电路, 包括串联的两个功率半导体器件, 且两个功率半导体器件之间引出两个端点;第三电路, 包括依次串联的第一电感、电阻和第五功率半导体器件...
  • 本发明公开了一种肖特基界面雪崩电离基负阻效应的开关式调控方法, 通过在半导体材料表面制备四个金属电极, 其中两端各一个, 中间中垂线两侧各一个。将电流源与电压表并联后, 正负极接两端电极时, 因边缘电极限制载流子运动路径, 肖特基界面发生雪...
  • 本公开实施例提供了一种理想二极管电路, 包括:功率管驱动模块、比较器模块以及背靠背串联的第一NMOS管和第二NMOS管;第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极连接功率管驱动模块的输出端, 第一NMOS管的源极连接理想二极管电路的输入...
  • 本发明实施例提供了一种触摸检测电路, 包括触摸传感器、开关组件、第二电容、第三电容和差分放大器, 触摸传感器包括第一电容, 开关组件用于依次导通电源与第二电容之间的通路、第一电容与第二电容之间的通路、第一电容与电源之间的通路, 第一电容与第...
  • 本发明属于电子产品技术领域, 具体涉及一种电容微动开关, 包括底座和盖板, 底座和盖板连接形成的中空腔体内设置有:发射极板, 上部为第一竖直部;接收极板, 上部为第二竖直部, 第二竖直部与第一竖直部相对设置形成电容结构;复位件, 底端与中空...
  • 本发明属于电子产品技术领域, 具体涉及一种电容微动开关, 包括底座和外壳, 底座和外壳连接形成的中空腔体内设置有:弹片, 一端为固定端且另一端为自由端, 固定端固定在中空腔体内;发射极板, 上部为竖直结构的第一竖直部;接收极板, 上部为竖直...
  • 本发明属于电子产品技术领域, 具体涉及一种电容微动开关, 包括底座和外壳, 底座和外壳连接形成的中空腔体内设置有:弹片, 一端为固定端且另一端为弯折板, 弹片具有施压端, 施压端位于固定端和弯折板之间;发射极板, 顶端与弹片连接, 令弹片作...
  • 本发明属于电子产品技术领域, 具体涉及一种电容微动开关, 包括底座和外壳, 底座和外壳连接形成的中空腔体内设置有:弹片, 一端为固定端且另一端为自由端, 弹片具有施压端, 施压端位于固定端和自由端之间;发射极板, 顶端与弹片连接, 令弹片作...
  • 本发明实施例提供了一种控制装置、控制方法与电子设备, 其中, 该装置包括:传动轴;遮光部件, 遮光部件包括多个遮光体, 其中, 多个遮光体绕着传动轴的轴线间隔设置;检测器, 检测器包括发光装置以及检测装置, 其中, 发光装置以及检测装置沿着...
  • 本发明公开了一种延时电路, 包括延时模块, 用于对输入逻辑数据进行传输延时, 所述延时模块包括串联连接的至少两个延时单元, 每个所述延时单元包括反相器和电容, 所述反相器的输入端接收所述延时单元的输入信号, 所述反相器的输出端提供所述延时单...
  • 本发明公开了一种应用于氮化镓全集成半桥功率芯片的高侧驱动电路, 属于功率集成电路领域。该电路包括输入级电路、抗VSW负压电平移位电路、低功耗输出级电路。其中, 抗VSW负压电平移位电路通过负压传输结构保障信号在VSW节点负压条件下的正确传输...
  • 本发明提供一种滤除高频毛刺的PG信号输出电路及其工作方法, 属于集成电路设计技术领域。包括信号输入端PG_PRE、动态控制模块、迟滞比较器CMP2、比较器CMP1和输出驱动模块, 通过动态控制模块中NMOS管M7、电阻R3、反相器INV1与...
  • 本申请涉及一种容忍三节点翻转的高性能低功耗抗辐射锁存器, 该锁存器保存了原有的容忍双节点翻转的高性能低功耗抗辐射锁存器结构, 继承了原电路容忍单节点和双节点翻转的能力。引入两个额外冗余节点, 与原有节点通过三输入C单元构成互锁监控网络;在原...
  • 本发明涉及一种隔离型开关量输入输出兼容电路, 属于工业控制技术领域, 其中, 该方法包括:微控单元用于采集第一输入信号或输出第一输出信号;隔离转换单元用于对输入的第二输入信号进行磁隔离得到第一输入信号、对第一输出信号进行磁隔离得到第二输出信...
  • 本发明提供了一种输出接口电路, 由于PMOS驱动管与NMOS驱动管分别与第一延时模块与第二延时模块耦接且输出第一信号与第二信号, PMOS驱动管和NMOS驱动管在第一信号和第二信号的控制下, 通过输出节点输出输出信号, 第一时延模块和第二时...
  • 本申请提出一种电平移位电路及电子设备, 应用于集成电路技术领域, 包括:第一晶体管模块、第二晶体管模块和波形整形模块, 第二晶体管模块与第一晶体管模块连接, 波形整形模块分别与第一晶体管模块和第二晶体管模块连接;其中, 第二晶体管模块包括第...
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