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  • 本申请提供了一种存储器、存储器形成方法及存储器系统, 涉及半导体芯片技术领域。该存储器包括第一半导体结构和第二半导体结构, 第一半导体结构与第二半导体结构耦合。第一半导体结构包括存储阵列、字线和位线;其中, 存储阵列包括多个存储体, 存储体...
  • 本发明公开了一种自旋逻辑器件及逻辑运算方法, 涉及自旋电子技术领域, 包括自旋轨道矩通道层、生长在所述自旋轨道矩通道层上的n个磁隧道结以及外围控制电路, 其中:外围控制电路向磁隧道结施加控制电流和控制电压, 用于对磁隧道结的磁化方向进行调控...
  • 本公开提供一种刷新控制电路及刷新控制方法, 包括:解码电路被配置为, 生成并输出定向刷新窗口信号;多个地址采样电路, 每个地址采样电路被配置为, 根据触发信号生成并输出对应的地址采样信号, 并根据地址采样信号对当前激活的行地址进行采样, 并...
  • 本发明提供了一种SRAM电路结构, 包括SRAM单元、加热元件和温度控制单元;温度控制单元包括温度传感器、模数转换器、处理器、开关和电源;温度传感器和SRAM单元或加热元件连接;处理器分别和SRAM单元、模数转换器、开关连接;开关、电源和加...
  • 本申请实施例提供芯片控制方法、芯片、显示屏和电子设备, 其中, 芯片控制方法包括:检测目标芯片的待处理视频, 获得所述待处理视频的帧频间隔数据;基于所述帧频间隔数据确定出时钟控制信号;其中, 所述时钟控制信号用于连接所述目标芯片的静态随机存...
  • 提供一种存储器装置和用于读取存储器单元的方法, 该装置包括一感测放大器和读取位元线预充电器电路和一局部控制电路。感测放大器和读取位元线预充电器电路接收并响应于一互补感测放大器预充电信号, 对一读取位元线和一互补读取位元线进行预充电。局部控制...
  • 本发明公开了一种结合极性加固和源隔离技术的抗辐照SPH‑14T SRAM电路及芯片, 其采用了相同同类型晶体管在空间重离子轰击下具有单一翻转特性的极性加固原理进行设计, 利用这一设计方法保证了冗余节点S0, S1的稳定性, 进而加强了电路内...
  • 本发明公开了用于将正确的电荷量精确快速地沉积在人工神经网络中的矢量‑矩阵乘法(VMM)阵列内的非易失性存储器单元的浮栅上的精确编程算法和装置的多个实施方案。因此, 可极精确地对所选单元进行编程, 以保持N个不同值中的一个值。
  • 本发明涉及一种相变存储器电路、结构及驱动方法, 其中, 相变存储电路包括:一条字线和n条位线;n个相变电阻, 与n条位线一一对应, 每个相变电阻的一端均与对应的位线相连;n个第一选通器件, 与n个相变电阻一一对应, 每个第一选通器件的栅端均...
  • 一种高精度动态忆阻器模型及其应用方法, 其特征在于:基于Ta2O5忆阻器建立忆阻器模型, 所述Ta2O5忆阻器包括从下至上依次贴合设置的底部电极、功能层和顶层电极;所述底部电极为铂, 功能层为五氧化二钽, 顶层电极包括下层的钽和上层的铂。效...
  • 本发明公开了一种适用于ReRAM存储器的最优概率分布约束码构造方法, 包括:利用最大化信息熵原理构建可逆的编码矩阵, 利用该编码矩阵调整原始输入阵列的0.1分布, 在保证不增加冗余的同时降低阵列中1的数量。之后逐行处理现在的存储数据, 进行...
  • 本申请公开了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置可以包括:存储体, 包括存储器单元;存储体缓冲器, 通过位线连接到存储体的存储器单元;以及操作控制器。操作控制器可以控制存储体缓冲器, 以存储响应于从外部控制器输入的第一读取命令而对与第一地...
  • 本实施方式涉及一种在半导体存储装置中进行写入的方法。实施方式的半导体存储装置具备存储晶体管、及连接到存储晶体管的栅极电极的字线。在写入序列的第n次写入循环的第k次验证动作结束后且第k+1次验证动作结束前, 写入序列被中断的情况下, 在重新开...
  • 本公开实施例提供一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统。所述存储器包括由多个存储块组成的存储单元阵列, 每个所述存储块至少包括多个存储串以及与所述存储串耦接的多条字线;该操作方法包括:在第一时段内, 对待擦除的存储块施加擦除电压;在所述第...
  • 本发明提供了一种eFuse存储器及其电路结构, 属于半导体领域。该eFuse存储器电路结构包括多个第一存储单元;一列第二储存单元, 连接至跟踪位线, 所述第二储存单元包括负载单元和至少一个跟踪单元, 所述跟踪单元包括第二晶体管和第二熔丝电阻...
  • 本发明提供一种电流寄存器及其控制方法、图像传感器, 包括:传输模块, 用于获取信号电流;运算寄存模块, 包括第一寄存晶体管、第二寄存晶体管和开关控制单元;通过控制所述开关控制单元的状态, 实现所述第一寄存晶体管和所述第二寄存晶体管对所述信号...
  • 本公开涉及操作非易失性存储器的方法、对应的设备和计算机程序产品。一种响应于非易失性存储器NVM设备的可寻址存储器区段中的存储器子区段中的故障而操作NVM设备的方法, 该NVM设备包括备用存储器区段, 该备用存储器区段包括备用存储器子区段, ...
  • 本申请提供了一种存储器的修复方法、存储器及显示装置, 存储器包括原始存储区与备用存储区;该方法包括:对原始存储区的每一原始存储单元所对应的写入值与读出值进行比较, 得到每一各原始存储单元的对比信息;其中, 对比信息包括正常状态信息与错误状态...
  • 本发明公开了闪存转换层的坏块处理能力测试方法、装置、设备及介质, 涉及硬盘测试技术领域, 包括解析用户提交的错误注入指令, 得到目标错误和错误注入的位置和错误触发条件, 在对当前数据块执行目标访问操作时, 确定满足触发条件, 将目标错误注入...
  • 本申请案涉及具有复制路径的穿硅通孔检查电路。本文中揭示一种设备, 其包含:第一半导体芯片;第一TSV及第二TSV, 其穿透所述第一半导体芯片;第一路径, 其包含所述第一TSV;第二路径, 其包含所述第二TSV;第一充电电路, 其经配置以对所...
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