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最新专利技术
  • 极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法
    极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法_安迈特科技(北京)有限公司_202311824173.0
    本公开提供一种极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法，极片极耳，包括：至少一个复合集流体，所述复合集流体表面设有胶黏层，所述胶黏层由胶黏材料组成；所述胶黏材料包括胶液和导电材料，所述导电材料占所述胶黏材料的质量百分比为5％～70％...
    2025-08-23
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_无锡华润安盛科技有限公司_202311833102.7
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括引线框、第一芯片、第二芯片及片状连接件。引线框包括依序间隔设置的第一键合部、第二键合部及第三键合部；第一芯片设于引线框之上，第一芯片的正面设有第一电极和第二电极，第一芯片的背面设有第三电极...
    2025-08-23
  • 一种封装结构及电子设备
    一种封装结构及电子设备_鼎道智芯(上海)半导体有限公司_202311832272.3
    本公开实施例提供一种封装结构及电子设备。所述封装结构包括：封装基板；芯片，位于所述封装基板表面，与所述封装基板电连接；所述封装基板内形成有供电布线，电连接至所述芯片内的负载模块的电源输入端，用于提供电源供电路径；其中，所述电源供电路径上形成...
    2025-08-23
  • 测试结构及测试方法
    测试结构及测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311830981.8
    一种测试结构及测试方法，测试结构包括：多个待测单元沿第一方向和第二方向呈矩阵间隔排布；其中，待测单元包括多个相间隔且依次串联的晶体管，多个晶体管均包括栅极结构和位于栅极结构两侧的源漏掺杂层、以及与源漏掺杂层电连接的源漏插塞；第一电信号加载端...
    2025-08-23
  • 芯片封装结构及其制作方法、电子设备
    芯片封装结构及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202311834089.7
    本申请提供一种芯片封装结构及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够解决在晶圆背面显露硅通孔(reveal TSV)过程中的金属污染问题。本申请提供的芯片封装结构中包括硅衬底、钝化层、硅通孔TSV、有源器件。其中，硅衬底的背面具有硅损...
    2025-08-23
  • 一种冷却液供应系统和一种等离子处理器
    一种冷却液供应系统和一种等离子处理器_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311829363.1
    本发明公开一种用于控制基座温度的冷却液供应系统，所述冷却液供应系统包括两个三通阀门，分别控制输出冷却液流量比例和回流冷却液流量比例，还包括两个旁路阀实现输出和回流的冷却液流量稳定。本发明通过三个控制回路分别独立控制输出到基座的冷却液温度、两...
    2025-08-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202311847335.2
    本公开实施例涉及一种半导体器件及其制备方法。该方法包括：提供基底，基底包括阵列区，阵列区中形成有沿第一方向间隔排布的第一沟槽，第一沟槽的侧壁形成有绝缘介质层，位于阵列区的中心区域的第一沟槽的底部形成有第一凹槽，相邻第一凹槽之间相互隔离；于第...
    2025-08-23
  • 半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法
    半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311826996.7
    一种半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成多元氧化物层；采用反应离子束刻蚀工艺刻蚀所述多元氧化物层，在所述多元氧化层内形成暴露出所述介质层的开口，所述反应...
    2025-08-23
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311840254.X
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成沟槽，所述沟槽的侧壁和底部构成的夹角为圆角；采用反应离子束刻蚀工艺对所述圆角处的基底进行改性处理，在所述圆角处的基底内形成改性层；采用离子束刻蚀工艺去除所述改性层。本发明实施例提供的...
    2025-08-23
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311834026.1
    本发明还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述基底，在所述基底内形成初始浅沟槽；采用至少一次第二刻蚀工艺刻蚀所述初始浅沟槽的表面，形成浅沟槽，所述浅沟槽的表面粗糙度小于所述初始浅沟槽的表面粗糙度；消除浅沟槽表...
    2025-08-23
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311831141.3
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成沟槽，所述沟槽底部表面具有晶格损伤层；采用离子束刻蚀工艺，以中性粒子束去除所述沟槽底部的晶格损伤层。本发明提供的半导体结构的形成方法，通过离子束刻蚀工艺去除沟槽底部表面的晶格损伤层，...
    2025-08-23
  • 一种半导体栅极刻蚀方法
    一种半导体栅极刻蚀方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311830664.6
    本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体栅极刻蚀方法，通过在栅极表面及衬底表面形成介质薄膜层；利用刻蚀机台对所述介质薄膜层进行等离子体刻蚀以形成栅极侧墙；所述等离子体刻蚀包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤；在所述等离子体刻蚀中，对所述刻蚀机台...
    2025-08-23
  • 一种降低晶片表面金属含量清洗方法
    一种降低晶片表面金属含量清洗方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202311823823.X
    本发明提供了一种降低晶片表面金属含量清洗方法，包括如下步骤：A)碳化硅晶片依次经过SC1溶液双面刷洗、纯水双面刷洗、稀盐酸双面刷洗和纯水双面刷洗；B)将上述刷洗完毕的碳化硅晶片依次采用臭氧水、稀氢氟酸、SC1溶液进行单片清洗，即得。本发明通...
    2025-08-23
  • 一种晶圆表面贵金属提取工艺
    一种晶圆表面贵金属提取工艺_无锡华瑛微电子技术有限公司_202311822456.1
    本发明公开了一种晶圆表面贵金属提取工艺，其步骤为：①将半导体晶圆放入到提取腔室内；所述半导体晶圆的待处理面与所述提取腔室内的介质通道贴合；②将扫描液从介质通道的进口推入并沿着所述介质通道流动并与所述半导体晶圆的待处理面接触和/或反应，再从所...
    2025-08-23
  • 等离子体处理设备、上电极组件及其装配方法
    等离子体处理设备、上电极组件及其装配方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311830307.X
    本发明提出了一种上电极组件，设置在等离子体处理设备的反应腔的顶部，包括：安装基板和气体喷淋头，所述安装基板和气体喷淋头通过紧固装置连接固定；设置在所述安装基板和气体喷淋头之间的热电连接组件，所述热电连接组件包括凸起环和覆盖膜，所述覆盖膜设在...
    2025-08-23
  • 一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置
    一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311829355.7
    本发明提供了一种下电极组件，用于承载待处理基片，包括一承载基座，及环绕所述承载基座的边缘环组件，所述边缘环组件包括：聚焦环，环绕所述基片和承载基座设置；插入环，位于所述聚焦环下方，环绕所述承载基座设置；所述边缘环组件与所述承载基座之间设置第...
    2025-08-23
  • 一种X射线管及其使用方法
    一种X射线管及其使用方法_武汉联影医疗科技有限公司_202311844002.4
    本说明书实施例提供一种X射线管及其使用方法。该X射线管包括管套、轴承和调温机构；管套内形成腔体，腔体内容纳有调温介质；轴承包括静止组件和旋转组件；静止组件和旋转组件之间填充有液态金属；静止组件包括轴向通道，轴向通道与腔体连通；调温机构设置在...
    2025-08-23
  • 一种模块化塑壳断路器及拼接方法
    一种模块化塑壳断路器及拼接方法_上海良信电器股份有限公司_202311836562.5
    本发明涉及塑壳断路器的技术领域，尤其是涉及一种模块化塑壳断路器及拼接方法。本发明提供的模块化塑壳断路器，包括相互拼接的操作模块和脱扣器模块，且脱扣器模块位于操作模块的下侧，脱扣器模块具有多种类型选择；操作模块与脱扣器模块之间设置有第一导向限...
    2025-08-23
  • 一种可拆卸超导线圈浸渍模具及浸渍装置
    一种可拆卸超导线圈浸渍模具及浸渍装置_中国航天科工飞航技术研究院(中国航天海鹰机电技术研究院)_202311823672.8
    本申请实施例提供一种可拆卸超导线圈浸渍模具及浸渍装置，其中浸渍模具包括：底板组件，包括底板和超导线圈绕制环，所述底板套设于所述超导线圈绕制环的下部外壁上；盖板组件，包括盖板和连接环，所述盖板套设于所述连接环的外壁上，所述连接环可拆卸连接于所...
    2025-08-23
  • 一体成型电感的制作方法及一体成型电感
    一体成型电感的制作方法及一体成型电感_横店集团东磁股份有限公司_202311822987.0
    本发明公开了一种一体成型电感的制作方法及一体成型电感，其属于电感制作技术领域，一体成型电感的制作方法包括如下步骤：将漆包线折弯形成预制线圈，预制线圈包括线圈主体及两根引线，两根引线位于线圈主体轴向上的一侧；制作平板型磁芯；将预制线圈套在平板...
    2025-08-23
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