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最新专利技术
  • 一种基于边缘计算的模拟集成电路测试方法
    一种基于边缘计算的模拟集成电路测试方法_深圳市华测半导体设备有限公司_202610418830.9
    本发明公开了一种基于边缘计算的模拟集成电路测试方法，方法由边缘节点执行，方法包括：获取模拟集成电路的阶跃响应波形；从阶跃响应波形中提取筛查特征；确定筛查特征的异常等级以及测试类型；基于筛查特征的异常等级以及测试类型来确定服务器对原始波形数据...
    2026-05-12
  • 一种半导体材料测试装置及测试方法
    一种半导体材料测试装置及测试方法_南京宏泰半导体科技股份有限公司_202610396349.4
    本发明涉及半导体技术领域, 公开了一种半导体材料测试装置及测试方法，包括参数分析仪，参数分析仪下部设有连接组件，参数分析仪右侧设有保护收纳组件。连接组件中集成插座两端的把手推入定位槽内部，使集成插座形成稳定锁定状态。测试方法利用稳定锁定状态...
    2026-05-12
  • 电生火加热炉电路板多电变量综合测试设备及测试方法
    电生火加热炉电路板多电变量综合测试设备及测试方法_深圳市华焰天下科技有限公司_202610393156.3
    本发明的实施例提供了一种电生火加热炉电路板多电变量综合测试设备及测试方法，包括测量组件、压紧组件和两个监测头；所述测量组件包括电路板、供电接头、电流测试点、电压测试点和供电头；所述压紧组件用于压紧所述电路板并保持两个所述监测头分别与所述电压...
    2026-05-12
  • 一种集成电路芯片运行参数在线监测系统及方法
    一种集成电路芯片运行参数在线监测系统及方法_深圳瀚博微科技有限公司_202610359779.9
    本申请提供一种集成电路芯片运行参数在线监测系统及方法，涉及芯片功能测试技术领域，在待测芯片运行时施加不影响待测芯片主功能的功能性测试激励，对热量分布信息进行失效识别，得到待测芯片在不均匀散热状态下的热疲劳特征，由热疲劳特征确定待测芯片在当前...
    2026-05-12
  • 一种小步距晶圆测试方法及系统
    一种小步距晶圆测试方法及系统_珠海市中芯集成电路有限公司_202610207093.8
    本申请公开了一种小步距晶圆测试方法及系统，涉及半导体测试技术领域。本申请方法包括：获取待测试晶圆芯片的原始步距尺寸；根据原始步距尺寸和测试设备预设的最小步距阈值，将相邻的至少两个芯片划分为虚拟测试单元，使虚拟测试单元的步距不小于最小步距阈值...
    2026-05-12
  • 一种基于上位机背板自动化测试系统
    一种基于上位机背板自动化测试系统_重庆云铭科技股份有限公司_202610152008.2
    本发明涉及背板自动化测试领域，具体的说是指一种基于上位机背板自动化测试系统，包括：上位机模块：用于自定义测试项目、编排测试序列、设置测试参数及判定规则，将配置信息依次下发给主MCU，并提供图形化测试配置界面；主MCU模块：用于核心调度器测试...
    2026-05-12
  • CSP封装芯片测试设备
    CSP封装芯片测试设备_苏州光寰智封半导体设备有限公司_202610146704.2
    本发明涉及芯片测试技术领域，且公开了CSP封装芯片测试设备，包括加工仓，所述加工仓的内部安装有运输机，且运输机的尾端设置有操作台，所述操作台的顶端安装有升降台。该CSP封装芯片测试设备，依托锡球表面螺旋移动轨迹检测，大幅提升检测准确性，通过...
    2026-05-12
  • 真空高低温半自动探针台
    真空高低温半自动探针台_芯铂微半导体设备(上海)有限公司_202610111996.6
    本发明提供真空高低温半自动探针台，包括：真空系统，包括真空腔体和与所述真空腔体连接的真空泵组，以在所述真空腔体内建立并维持真空环境，所述真空腔体的顶部设有操作口，操作口处安装有透明密封板封闭；制冷系统，包括至少两个安装于真空腔体底部的制冷机...
    2026-05-12
  • 时间间隔测量方法、装置、半导体测试设备及存储介质
    时间间隔测量方法、装置、半导体测试设备及存储介质_深圳市辰卓科技股份有限公司_202512016942.X
    本申请适用于半导体芯片测试技术领域，提供了一种时间间隔测量方法、装置、半导体测试设备及存储介质，该方法包括：获取被测量的起始信号和停止信号；通过系统时钟对起始信号与停止信号之间跨越的时钟周期数进行计数，得到整数时间；控制起始信号经由进位延时...
    2026-05-12
  • 芯片及其测试方法、计算机设备及存储介质
    芯片及其测试方法、计算机设备及存储介质_珠海妙存科技有限公司_202511801682.0
    本申请实施例提出了一种芯片及其测试方法、计算机设备及存储介质，所述芯片包括模式切换模块、输入解压缩模块和输出压缩模块，包括：所述输出压缩模块配置有三倍频时钟，用于在最终扫描链测试模式下，将所述芯片内部的扫描链输出的响应信号通过时分复用方式，...
    2026-05-12
  • SiC MOSFET结温的机械应力波监测方法及系统
    SiC MOSFET结温的机械应力波监测方法及系统_湖南大学_202610451746.7
    本发明公开了一种SiC MOSFET结温的机械应力波监测方法及系统，涉及半导体器件检测技术领域。所述方法包括通过加热装置使器件达到多个预设结温，并在每一预设结温下通过调节电路获得多个关断电流值；采集每次开关瞬态激发的机械应力波信号并同步采集...
    2026-05-12
  • 探针过驱量的确定方法及半导体设备
    探针过驱量的确定方法及半导体设备_上海伟测半导体科技股份有限公司_202610443296.7
    本公开提供探针过驱量的确定方法及半导体设备，涉及半导体测试领域，其中方法包括：获取待测晶圆表面的芯片布局信息、以及探针组件相对晶圆的测试位置信息，据以确定所述探针组件于当前测试位置在所述晶圆上的接触区域，以得到所述接触区域所覆盖的一组芯片的...
    2026-05-12
  • 一种器件有效沟道长度确定方法
    一种器件有效沟道长度确定方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202610418680.1
    本申请提供一种器件有效沟道长度确定方法，基于多个栅极长度()分别对应的电容电压对应关系，通过积分得到多个栅极长度分别对应的反型层电荷浓度()。通过对反型层电荷浓度和栅极沟道电容的比值()，以及反型层电荷浓度()进行线性拟合(vs)，基于拟合...
    2026-05-12
  • 一种IGBT模块的结温检测方法及装置
    一种IGBT模块的结温检测方法及装置_深圳市国王科技有限公司_202610411891.2
    本发明涉及IGBT模块技术领域，公开了一种IGBT模块的结温检测方法及装置。该方法：S1：通过单片机向IGBT晶圆的栅极输出PWM驱动信号使所述IGBT晶圆导通工作；S2：对NTC晶圆进行热传导感知，通过NTC晶圆连接至T极引脚并与下拉电阻...
    2026-05-12
  • 一种场效应晶体管的栅极氧化层状态监测方法及电路
    一种场效应晶体管的栅极氧化层状态监测方法及电路_华北电力大学_202610202667.2
    本申请涉及一种场效应晶体管的栅极氧化层状态监测方法及电路，属于电力电子技术领域，该方法包括：获取待监测场效应晶体管在开通瞬态过程中的漏极电流信号；基于所述漏极电流信号，确定场效应晶体管的电流上升时间；其中，所述电流上升时间为漏极电流从开始流...
    2026-05-12
  • 碳化硅多层外延掺杂浓度纵向分布的CV数据处理方法
    碳化硅多层外延掺杂浓度纵向分布的CV数据处理方法_常山森思功率半导体有限公司_202610155575.3
    本发明涉及半导体技术领域，提供碳化硅多层外延掺杂浓度纵向分布的CV数据处理方法，包括以下步骤：步骤一、对碳化硅多层外延片进行电容‑电压测试，获取原始的电容‑电压数据；步骤二、基于肖特基接触模型，通过计算或拟合确定测试系统与外延片接触时的内建...
    2026-05-12
  • 一种金属氧化物半导体场效应晶体管栅极抗静电冲击能力测试方法
    一种金属氧化物半导体场效应晶体管栅极抗静电冲击能力测试方法_济南大学_202610097903.9
    本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管栅极抗静电冲击能力测试方法，首先，利用传输线脉冲测试仪测试器件栅极与其他电极之间在瞬态脉冲下所能承受的最大电压值，然后，将器件栅极所能承受最大电压值和器件栅极电容代入相应公式，分别计算出器件在人体...
    2026-05-12
  • 源测量电路和电子芯片
    源测量电路和电子芯片_杭州飞仕得科技股份有限公司_202610075813.X
    本公开的实施例提供的源测量电路和电子芯片，主控模块根据待测器件的工作电压或工作电流，生成第一电压信号，并根据电流量程生成第一控制信号至第一开关模块，根据电压量程生成第一增益调节信号至电压生成模块，以及根据第三电压信号和第四电压信号对输出的第...
    2026-05-12
  • 多路复用Cascode二极管实现IGBT续流与通态压降提取的电路结构
    多路复用Cascode二极管实现IGBT续流与通态压降提取的电路结构_重庆大学_202610060703.6
    本发明公开了一种多路复用Cascode二极管实现IGBT续流与通态压降提取的电路结构，属于功率半导体器件技术领域，电路结构包括并联于待测IGBT集电极与发射极之间的共栅共源二极管结构，以及并联于该结构中低压硅肖特基势垒二极管两端的低电压钳位...
    2026-05-12
  • 基于体二极管的SiC MOSFET器件的陷阱表征方法及装置
    基于体二极管的SiC MOSFET器件的陷阱表征方法及装置_中国科学院微电子研究所_202511969146.1
    本说明书实施例提供了一种基于体二极管的SiC MOSFET器件的陷阱表征方法及装置，其中，方法包括：步骤1，通过测试设备连接置于恒温环境中的SiC MOSFET器件；步骤2，通过测试设备对所述SiC MOSFET器件施加栅极填充电压和漏极电...
    2026-05-12
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