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最新专利技术
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511945861.1
    本公开涉及一种太阳能电池及其制备方法，该制备方法先在电池前驱体上形成金属种子层和感光胶膜，然后对感光胶膜进行曝光、显影形成开口凹槽，并利用等离子体处理产生的高能离子和自由基来清除开口凹槽内未被显影液去除的感光胶膜残留物、杂质以及其他污染物，...
    2026-04-12
  • 一种硅片的绒面制备方法
    一种硅片的绒面制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511936561.7
    本申请涉及一种硅片的绒面制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括具有不同晶向的第一晶面和第二晶面；对去离子水进行解离，形成羟基自由基，并通过羟基自由基对硅片表面进行各向异性刻蚀，得到绒面结构；其中，羟基自由基对第一晶面和第二晶面的刻蚀速率...
    2026-04-12
  • 光伏电池正面无种子层电极的界面优化方法及光伏器件
    光伏电池正面无种子层电极的界面优化方法及光伏器件_泰州中来光电科技有限公司_202511932273.4
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种光伏电池正面无种子层电极的界面优化方法及光伏器件。该方法包括：将硅基底置于PECVD设备中，经等离子体原位沉积，在硅基底的正面透明导电层表面沉积1～10nm厚的SiOxNy复合钝化层；将烧结温度≤200℃的...
    2026-04-12
  • 背接触电池及其制备方法和光伏组件
    背接触电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511912351.4
    本发明提供了一种背接触电池及其制备方法和光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域，所述背接触电池的制备方法包括：对激光开膜后的硅基底进行电化学阳极氧化处理，之后制备金属电极，得到背接触电池。本发明采用电化学阳极氧化工艺，优先作用于激光造成的高活性...
    2026-04-12
  • 用于制造太阳能电池的链式水膜设备及降低HF耗量方法
    用于制造太阳能电池的链式水膜设备及降低HF耗量方法_和光同程光伏科技(宜宾)有限公司_202511838239.0
    本发明公开了用于制造太阳能电池的链式水膜设备及降低HF耗量方法，涉及太阳能电池制造技术领域，链式水膜设备包括喷淋室、输送辊组件、喷淋组件、水箱、控温件和采集组件，降低HF耗量方法，包括：利用上述的用于制造太阳能电池的链式水膜设备将预设温度范...
    2026-04-12
  • 一种切片电池边缘清洗钝化方法及装置
    一种切片电池边缘清洗钝化方法及装置_江苏中胜微科技有限公司_202511834952.8
    本发明公开了一种切片电池边缘清洗钝化方法及装置，属于电池技术领域，包括以下步骤：S1 : 热激光分离切割：采用热激光分离技术对电池片进行切割，并在切割过程中同步实施主动冷却，通过控制切割区域的温度场，使材料以脆性断裂机制分离，从而获得无熔融...
    2026-04-12
  • 一种用于异质结太能能电池的高效吸杂方法及硅片
    一种用于异质结太能能电池的高效吸杂方法及硅片_上虞半导体材料研究中心_202511643173.X
    本发明一种用于异质结太能能电池的高效吸杂方法及硅片，属于硅片制造技术领域，本发明方法包括以下步骤：S1 : 在多晶硅原料中加入碳掺杂剂，利用直拉法生长高碳浓度的单晶硅棒；S2 : 对步骤S1的单晶硅棒进行切割，得到硅片；S3 : 将步骤S2...
    2026-04-12
  • 太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    太阳能电池及其制备方法和光伏组件_天合光能股份有限公司_202411360281.1
    本申请实施例涉及一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体衬底；于半导体衬底表面形成隧穿层；于隧穿层表面依次形成未掺杂的初始本征材料层和含掺杂剂的掺杂层；掺杂剂包括N型掺杂剂和P型掺杂剂中的任一种；对初始本...
    2026-04-12
  • 一种高输入反向耐压四通道高速光电耦合器
    一种高输入反向耐压四通道高速光电耦合器_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511967319.6
    本发明涉及一种高输入反向耐压四通道高速光电耦合器，属于半导体器件及封装技术领域。其包括：陶瓷外壳，陶瓷外壳中设置有四个相互隔离的高速光敏集成电路芯片；陶瓷载体，陶瓷载体数量为四个，每个陶瓷载体上设置有发光二极管芯片和反向耐压的保护二极管芯片...
    2026-04-12
  • 一种光电耦合器及其制作方法
    一种光电耦合器及其制作方法_深圳市聚飞光电股份有限公司_202511920742.0
    本发明涉及光电耦合器技术领域，公开了一种光电耦合器及其制作方法。光电耦合器包括：发射端支架和接收端支架，发射端支架的第一功能区设置有发射晶片，发射端支架设置有第一凹槽，接收端支架的第二功能区设置有接收晶片，接收端支架设置有第二凹槽；第一胶体...
    2026-04-12
  • 一种高能光子射线探测器件及其制备方法
    一种高能光子射线探测器件及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202512037281.9
    本申请公开了一种本申请实施例提供了一种高能光子射线探测器件及其制备方法，可用于半导体器件领域，该器件包括探测器芯片、处理器芯片以及防护层；所述探测器芯片与所述处理器芯片三维堆叠；所述防护层围绕于所述处理器芯片周围，用于隔离高能光子射线。由此...
    2026-04-12
  • 用于图像传感器的有源像素区及黑色像素区的多层金属堆叠及其方法
    用于图像传感器的有源像素区及黑色像素区的多层金属堆叠及其方法_豪威科技股份有限公司_202512002610.6
    本申请案涉及用于图像传感器的有源像素区及黑色像素区的多层金属堆叠及其方法。一种图像传感器包含有源像素光电二极管、黑色像素光电二极管、金属网格结构及遮光罩。所述有源像素光电二极管及所述黑色像素光电二极管中的每一者安置于具有第一侧及与所述第一侧...
    2026-04-12
  • 图像传感器、摄像模组及电子设备
    图像传感器、摄像模组及电子设备_维沃移动通信有限公司_202511991586.7
    本申请提供了一种图像传感器、摄像模组及电子设备，涉及摄像、电子产品领域。一种图像传感器，包括：微透镜阵列、滤光阵列、超表面层和多个光电二极管；所述滤光阵列与所述微透镜阵列相对设置，所述滤光阵列包括多个滤光片；所述超表面层包括多个微纳结构，所...
    2026-04-12
  • CMOS影像传感器及其制造方法
    CMOS影像传感器及其制造方法_原相科技股份有限公司_202510253920.2
    本发明提供了一种CMOS影像传感器及其制造方法。所述CMOS影像传感器包含：多个光电二极管，配置为将入射光转换为电信号；一金属栅格，设置于所述多个光电二极管上方，其中所述金属栅格被配置为阻挡相应多个光电二极管之间的寄生光串扰效应；以及多个透...
    2026-04-12
  • 一种图像传感器结构及其制作方法
    一种图像传感器结构及其制作方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411308819.4
    本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，包括：感光单元，设于衬底的第一表面，并位于所述衬底中；金属隔离结构，设于所述衬底相对所述第一表面的第二表面，并位于所述感光单元两侧，所述金属隔离结构的底部位于所述衬底中，所述金属隔离结构的顶部突出...
    2026-04-12
  • 光谱芯片
    光谱芯片_北京与光科技有限公司_202311567770.X
    本申请涉及一种光谱芯片。所述光谱芯片包括：图像传感器；以及，位于所述图像传感器上方的光调制层，其中，所述光调制层包括由不同种类的染料形成的多个滤光单元，所述不同种类的染料具有不同的透射谱。这样，通过具有不同透射率的不同颜色的染料对应的滤光单...
    2026-04-12
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_北京与光科技有限公司_202311412223.4
    本申请涉及一种图像传感器及其制造方法，其中，图像传感器，包括：衬底层；光敏像素，其阵列设置在所述衬底层上；遮光件，其设置在部分所述光敏像素的感光路径上，以限定相应所述光敏像素的受光面积小于其感光面积。本申请提供的上述图像传感器，仅通过在现有...
    2026-04-12
  • 用于激光探测的芯片、激光雷达、载具以及光电二极管
    用于激光探测的芯片、激光雷达、载具以及光电二极管_上海禾赛科技有限公司_202411387038.9
    本公开提供一用于激光探测的芯片，激光雷达，载具以及光电二极管，涉及光电技术领域。用于激光探测的芯片，包括衬底，外延层，工作电路以及保护电路。外延层形成于衬底上方。工作电路形成于外延层。工作电路包括第一光电二极管并且被配置为在工作电压下探测入...
    2026-04-12
  • 用于电子轰击成像的背照式CMOS芯片处理方法
    用于电子轰击成像的背照式CMOS芯片处理方法_北方夜视技术股份有限公司_202512046611.0
    本申请公开了一种用于电子轰击成像的背照式CMOS芯片处理方法，包括以下步骤：步骤S1：使用精雕机去除商用CMOS芯片的玻璃盖板，露出CMOS芯片表面，清洗CMOS芯片表面并烘干；步骤S 2：对处于CMOS内部电路布线层和MOS管结构外侧的C...
    2026-04-12
  • 一种基于Te半导体的仿昆虫光谱自适应视觉传感器及制备方法
    一种基于Te半导体的仿昆虫光谱自适应视觉传感器及制备方法_华南师范大学_202511941483.X
    本发明光电探测技术领域，具体公开了一种基于Te半导体的仿昆虫光谱自适应视觉传感器及其制备方法，包括：使用水热法制备二维单晶Te纳米片；将二维单晶Te纳米片转移到衬底的上端面上形成Te半导体光感应沟道层；在Te半导体光感应沟道层两侧的衬底的上...
    2026-04-12
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