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最新专利技术
  • 一种半导体支撑底座及其制备方法
    一种半导体支撑底座及其制备方法_合肥玖福半导体技术有限公司_202511954408.7
    本发明公开了一种半导体支撑底座及其制备方法, 属于半导体生产技术领域。一种半导体支撑底座，包括底座，所述底座包括上安装座、下支撑座、散热单元，所述上安装座处设置有用于存储电路板的安装槽，半导体安装在电路板上。本发明提供的一种半导体支撑底座及...
    2026-04-13
  • 一种功率模块
    一种功率模块_赵振涛_202211459107.3
    一种功率模块，包括电路板框、陶瓷基电路板和下层电路板，各板层通过焊盘焊接成一体；还包括两个或多于两个的一组晶圆，两个或多于两个的一组晶圆的底面焊盘焊接于下层电路板顶层线路层上，与下层电路板顶层线路层上的一组焊盘对应连接，居于电路板框、陶瓷基...
    2026-04-13
  • 内嵌桥接的封装基板及其制造方法
    内嵌桥接的封装基板及其制造方法_爱玻索立克公司_202511400248.1
    实现例涉及一种内嵌桥接的封装基板，其包括：玻璃芯，具有腔体及贯穿电极；桥接，设置在所述腔体；集成电极，设置在所述桥接的一表面及所述玻璃芯的一表面上；以及绝缘材料，设置在所述玻璃芯与所述桥接之间及所述集成电极之间。所述桥接包括：作为支撑体的桥...
    2026-04-13
  • 封装基板及其制备方法、半导体封装件
    封装基板及其制备方法、半导体封装件_华为技术有限公司_202411338228.1
    本申请公开了封装基板及其制备方法、半导体封装件，属于半导体技术领域。封装基板包括依次层叠布置的线路基层、多个线路增层和阻焊层，每一线路增层包括：绝缘介质、图案化金属层和孔互连，图案化金属层设置于绝缘介质的远离线路基层的一侧，孔互连至少部分地...
    2026-04-13
  • 封装基板及其制备方法、半导体堆叠结构、电子设备
    封装基板及其制备方法、半导体堆叠结构、电子设备_华为技术有限公司_202411334014.7
    本申请实施例属于半导体技术领域，尤其涉及封装基板及其制备方法、半导体堆叠结构、电子设备，用于改善相关技术中的封装基板的翘曲现象。封装基板包括基板、连接部、重布线层。基板包括基板本体和多个导电柱，导电柱沿第一方向贯穿至少部分基板本体，任意相邻...
    2026-04-13
  • 衬底面板结构及制造工艺
    衬底面板结构及制造工艺_日月光半导体制造股份有限公司_202610000707.5
    本申请涉及衬底面板结构及制造工艺。本发明揭示一种衬底面板结构，其包含多个子面板及介电部分。所述子面板中的每一者包含多个衬底单元。所述介电部分位在所述子面板之间。
    2026-04-13
  • 一种封装结构、封装方法及电子设备
    一种封装结构、封装方法及电子设备_湖北江城实验室_202610234142.7
    本申请提供了一种封装结构、封装方法及电子设备，封装结构包括：中介层、专用集成电路和多个存储芯片。专用集成电路和多个存储芯片均键合在中介层的上表面；其中，多个存储芯片位于专用集成电路沿第一方向的两侧。中介层包括：嵌入中介层的多个互连桥和连接结...
    2026-04-13
  • 芯片封装结构及芯片封装结构的制备方法
    芯片封装结构及芯片封装结构的制备方法_成都奕成集成电路有限公司_202511878392.6
    本申请提供一种芯片封装结构及芯片封装结构的制备方法。芯片封装结构包括基板、第一加固部、至少一个芯片及第二加固部，基板包括走线区以及非走线区，基板包括相对的第一侧和第二侧，在第一侧，非走线区开设有环绕走线区的凹槽。第一加固部包括第一加固环，第...
    2026-04-13
  • 一种基于多层有机复合晶圆的晶上系统结构及其组装方法
    一种基于多层有机复合晶圆的晶上系统结构及其组装方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511766325.5
    本发明属于集成电路封装技术领域，特别涉及一种基于多层有机复合晶圆的晶上系统结构及其组装方法。包括：多层有机复合晶圆，包括由上至下依次组成的焊料层一、正面聚酰亚胺布线层、正面ABF布线层、core层、背面ABF布线层、背面聚酰亚胺布线层和UB...
    2026-04-13
  • 复合基板、应用其的半导体装置及其制造方法
    复合基板、应用其的半导体装置及其制造方法_铨心半导体异质整合股份有限公司_202511338656.9
    本发明提供一种复合基板、应用其的半导体装置及其制造方法。其中，复合基板包括一玻璃基材、一第一重布层、一第二重布层及一散热层。玻璃基材具有一第一表面、一与第一表面相对的第二表面以及一从第一表面延伸至第二表面的贯穿玻璃孔。第一重布层邻近玻璃基材...
    2026-04-13
  • 在没有贯穿衬底过孔的中介层上的分离的半导体芯片
    在没有贯穿衬底过孔的中介层上的分离的半导体芯片_英特尔公司_202510971690.3
    本文公开了具有中介层的器件和系统及其形成方法，所述中介层不包括贯穿衬底过孔。在一个示例中，微电子组件包括中介层以及耦合到所述中介层的一个或多个集成电路(IC)管芯。所述中介层包括一个或多个导电迹线以及一个或多个过孔，但是所述中介层不包括贯穿...
    2026-04-13
  • 低应力TVS分立器件的封装结构
    低应力TVS分立器件的封装结构_力特半导体(无锡)有限公司_202411357947.8
    本发明公开了低应力TVS分立器件的封装结构。一种表面安装装置、结构及其相关联的方法。该装置包括壳体、至少部分地被壳体包封的引线框架，其中引线框架包括具有芯片安装焊盘和设置在芯片安装焊盘上的芯片安装平台的芯片安装表面。该装置包括至少部分地被壳...
    2026-04-13
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202411298621.2
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括载板、至少一裸晶、第一介电层、至少一导电柱、第二介电层、多条第一导接线路、第一外护层、第三介电层、多条第二导接线路及第二外护层；其中该裸晶能由该裸晶的第二面上的芯片区域的周围的至少一第一焊垫以对外电性...
    2026-04-13
  • 载板结构的制备方法、载板结构及移动终端
    载板结构的制备方法、载板结构及移动终端_苏州国显创新科技有限公司_202511923504.5
    本申请实施例提供一种载板结构的制备方法、载板结构及移动终端。所述载板结构用于连接集成电路和印刷电路板，所述方法包括：对基板进行图案化处理形成贯穿所述基板的厚度方向的通孔，并在通孔内制备导电柱；在临时载台上制备增层组件，增层组件包括导电部；将...
    2026-04-13
  • 一种常压等离子电极陶瓷片的制备方法
    一种常压等离子电极陶瓷片的制备方法_苏州高芯众科半导体有限公司_202511925149.5
    本申请涉及一种常压等离子电极陶瓷片的制备方法，包括如下步骤：原料检查；生瓷片高温老化；将生瓷片与贴片框固定；生瓷片表面进行打孔，形成过孔，然后将导电浆料填入过孔中，并使得陶瓷坯体表面平整光滑；通过丝网印刷，将导电浆料传输至陶瓷坯体上；使用激...
    2026-04-13
  • 一种改善AMB基板翘曲及真空吸附适配性的方法
    一种改善AMB基板翘曲及真空吸附适配性的方法_南通威斯派尔半导体技术有限公司_202511883940.4
    本发明公开了一种改善AMB基板翘曲及真空吸附适配性的方法，包括：步骤S1，AMB基板基础层厚设定及减铜工艺，其中，AMB基板自上而下为正面铜箔层、陶瓷基板、背面铜箔层；步骤S2，根据正面铜箔层电路导条沟槽的密度差异，将正面划分为高密度区与低...
    2026-04-13
  • 基于协同化上料结构的芯片基板多工位激光封边设备
    基于协同化上料结构的芯片基板多工位激光封边设备_苏州恩欧西智能科技有限公司_202511757670.2
    本发明芯片基板加工技术领域，尤其涉及基于协同化上料结构的芯片基板多工位激光封边设备，包括U型输送台，位于U型输送台两侧内壁的环形轨道，环形轨道之间设置有用于自检芯片基板放置面并吸附固定的送料工位，U型输送台上设置有协同送料工位对堆叠芯片基板...
    2026-04-13
  • 形成功率模块连接的方法
    形成功率模块连接的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511343097.0
    一种形成功率模块连接的方法，包括：从伸长导电体的第一区段和第二区段中的每一者去除电绝缘涂层；使伸长导电体在一个或多个维度上弯曲，以形成伸长导电体的弯曲段；从伸长导电体的块体切下伸长导电体的弯曲段，使得伸长导电体的第一区段和第二区段中的每一者...
    2026-04-13
  • 包括标记框架和由标记框架限定的标记图案的半导体封装件及其制造方法
    包括标记框架和由标记框架限定的标记图案的半导体封装件及其制造方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511935584.6
    提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；模制层，在基底上覆盖半导体芯片，模制层包括封装主体和位于封装主体上的标记图案；以及标记框架，在模制层的封装主体上，标记框架包括用于在去除时限定标记区域的可去...
    2026-04-13
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202510729007.5
    本文提供了一种半导体装置。半导体装置包括：晶圆，其在第一方向和第二方向上的平面中延伸；在晶圆的表面上方在第三方向上依次层叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；多个下游标图案，其设置在第一绝缘层和第二绝缘层中；以及多个虚设图案，其设置在第三...
    2026-04-13
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