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最新专利技术
  • 玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺
    玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511662384.8
    本发明公开一种玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺，包括以下步骤：玻璃晶圆包括键合面及非键合面，对玻璃晶圆的键合面及玻璃基板进行表面清洗；在玻璃基板的表面沉积氧化铝薄膜层，氧化铝薄膜层的厚度为大于或等于1纳米且小于或等于5纳米；对玻璃晶圆的键合...
    2026-04-04
  • 半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆
    半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆_芯盟科技有限公司_202411289221.5
    本公开实施例提出了一种半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆，其中，所述半导体测试结构包括：至少一个电容器接触结构；位于所述至少一个电容器接触结构上的电容器阵列结构，包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个电容器；其中，所述电容器的数量...
    2026-04-04
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511814349.3
    公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；模塑层，覆盖半导体芯片；粘合层，在模塑层的上表面上；标记框架，在粘合层上，其中，标记框架暴露粘合层的一部分，粘合层的被暴露的部分形成标记图案；以及间隔件，在...
    2026-04-04
  • 一种微热管的硅基结构及加工工艺
    一种微热管的硅基结构及加工工艺_山东大学_202511947196.X
    本发明公开了一种微热管的硅基结构及加工工艺，解决了现有技术中硅基芯片散热的金属微热管增加了芯片的厚度，而且容易出现界面剥离、开裂的问题，具有实现微热管散热的同时有效控制硅基芯片厚度的有益效果，具体方案如下：一种微热管的硅基结构，包括硅基芯片...
    2026-04-04
  • 三维集成式主动散热结构
    三维集成式主动散热结构_中国科学院微电子研究所_202610223942.9
    本申请涉及封装散热技术领域，提供一种三维集成式主动散热结构，包括：上盖板层，上盖板层上设置有进气孔；风扇与泵层，风扇与泵层设置于上盖板层的下方；至少一个液冷流道层，至少一个液冷流道层设置于风扇与泵层的下方；高功率器件层，高功率器件层设置于至...
    2026-04-04
  • 一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法
    一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511950595.1
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法。包括：第一框架，包括依次连接的引脚区、折弯区和第一连接区；所述第一连接区设有向上凸起的第一芯片连接区；第一芯片，电性连接在所述第一芯片承载区上；第二芯片，位于所述...
    2026-04-04
  • 一种高导热石墨铝固态均温板及其制备方法、应用
    一种高导热石墨铝固态均温板及其制备方法、应用_有研工程技术研究院有限公司_202511707045.7
    本发明涉及高导热金属基复合材料技术领域，具体涉及一种高导热石墨铝固态均温板及其制备方法、应用，包括石墨板、碳化物层和铝合金层；所述石墨板上设有均匀分布的通孔，所述通孔的方向垂直于石墨板的Z向，所述石墨板表面设有所述碳化物层，所述碳化物层表面...
    2026-04-04
  • 一种DRAM双堆叠芯片封装结构及封装工艺
    一种DRAM双堆叠芯片封装结构及封装工艺_沛顿科技(深圳)有限公司_202511903724.1
    本发明公开了一种DRAM双堆叠芯片封装结构及封装工艺，涉及存储芯片封装技术领域，该封装结构包括基板、第一裸芯片、第二裸芯片、凸点结构及模封层；第一裸芯片贴装于基板并通过键合焊线连接，其表面设第一重布线层引出键合、互连及支撑pad；第二裸芯片...
    2026-04-04
  • 一种芯片封装结构及其制备方法
    一种芯片封装结构及其制备方法_广东长兴半导体科技有限公司_202610047959.3
    为克服现有芯片堆叠封装存在芯片之间热干扰的问题，本发明提供了一种芯片封装结构及其制备方法，芯片封装结构包括PCB主板、热沉散热块、封装芯片和横向导热片，所述封装芯片包括芯片基板、第一芯片、第二芯片和封装层，所述热沉散热块嵌入于所述PCB主板...
    2026-04-04
  • 一种大电流直插式功率器件封装结构
    一种大电流直插式功率器件封装结构_深圳市金誉半导体股份有限公司_202512011439.5
    本发明涉及功率器件封装结构技术领域，且公开了一种大电流直插式功率器件封装结构，包括下封装盒和上封装盒，所述上封装盒顶部的内壁安装有导热体，所述导热体的顶部固定连接有散热翅片，所述下封装盒的内壁设置有顶升机构，所述下封装盒的内壁设置有安装机构...
    2026-04-04
  • 一种散热集成半导体封装结构及其制造方法
    一种散热集成半导体封装结构及其制造方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202512017427.3
    本发明公开一种散热集成半导体封装结构及其制造方法，该封装结构包括：提供临时载板，在临时载板上布置电子元器件，其中包括至少一个作为主要热源的主器件，并在主器件上设置散热件，然后进行塑封，形成板级封装模块；将两个板级封装模块以临时载板朝外的方向...
    2026-04-04
  • 一种芯片扇出封装方法和封装结构
    一种芯片扇出封装方法和封装结构_厦门云天半导体科技有限公司_202511638592.4
    本发明提出一种芯片扇出封装方法和封装结构，将芯片通过贴装层倒装于基板上，用塑封材料包覆所述芯片和所述贴装层远离所述基板的表面，通过激光在所述芯片远离所述基板的一侧的塑封层进行开窗，制备多个散热过孔，在所述散热过孔内填充金属并制备连接各个所述...
    2026-04-04
  • 压电驱动结构的制备方法及三维集成式主动散热结构
    压电驱动结构的制备方法及三维集成式主动散热结构_中国科学院微电子研究所_202610223943.3
    本申请涉及封装散热技术领域，提供一种压电驱动结构的制备方法及三维集成式主动散热结构，制备方法包括以下步骤：S1、选取绝缘体上硅作为衬底，并对衬底进行清洗；S2、在清洗后的衬底上依次形成绝缘层、过渡层、下电极层、压电薄膜层和上电极层，构成压电...
    2026-04-04
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511883042.9
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供晶圆，晶圆具有沿晶圆的厚度方向相对的第一表面和第二表面；在晶圆内形成第一通孔，第一通孔由晶圆的第一表面向第二表面方向延伸但未贯穿晶圆的第二表面；形成覆盖第一通孔侧壁...
    2026-04-04
  • 浅沟槽隔离结构及沟槽的制造方法、半导体器件
    浅沟槽隔离结构及沟槽的制造方法、半导体器件_无锡华润上华科技有限公司_202411283348.6
    本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及沟槽的制造方法、半导体器件，所述方法包括：在基底上形成图案化的硬掩模；在所述硬掩模的侧壁形成聚合物；干法刻蚀所述基底，形成沟槽；所述聚合物在干法刻蚀的过程中被等离子体轰击并扩散，回粘在邻近的基底表面；去除所述聚...
    2026-04-04
  • 一种半导体结构的制备方法和半导体结构
    一种半导体结构的制备方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610230677.7
    本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、垫氧化层、垫氮化层和至少一个沟槽，垫氧化层形成于衬底的表面，垫氮化层形成于垫氧化层的表面，沟槽设置于衬底内，且上部...
    2026-04-04
  • 一种浅沟槽隔离结构的制作方法
    一种浅沟槽隔离结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411308767.0
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括以下步骤：基于光罩图形化垫氧化层‑氮化硅层叠层结构以得到第一掩膜开口；刻蚀衬底以得到隔离沟槽；进行回拉工艺；沉积牺牲层材料于隔离沟槽及第一掩膜开口中；形成遮挡层；基于前述光罩图形化遮挡层以得到第二...
    2026-04-04
  • SOI晶圆的制造方法
    SOI晶圆的制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511988078.3
    本发明提供一种SOI晶圆的制造方法，通过对器件衬底依次执行至少两次能量不同的离子注入工艺，以在器件衬底中形成离子注入区；然后，执行剥离工艺，以沿离子注入区剥离部分厚度的器件衬底，由于采用至少两次能量不同的离子注入工艺来形成离子注入区，故可以...
    2026-04-04
  • 用于SOI晶圆的离子注入方法、SOI晶圆及其制造方法
    用于SOI晶圆的离子注入方法、SOI晶圆及其制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511988021.3
    本发明提供一种用于SOI晶圆的离子注入方法、SOI晶圆及其制造方法，先执行第一离子注入工艺，在器件衬底的第一深度注入第一离子，形成初步的氢聚集点、缺陷和气泡种子层；再执行第二离子注入工艺，在器件衬底的第二深度注入第二离子，形成气泡核，第二深...
    2026-04-04
  • 绝缘体上硅及其制造方法
    绝缘体上硅及其制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511987983.7
    本发明提供一种绝缘体上硅及其制造方法，绝缘体上硅的制造方法包括：提供一器件衬底，器件衬底上形成有埋氧层；执行多次离子注入工艺，以在目标剥离深度形成脆化层；离子注入工艺为单氢离子注入工艺且多次离子注入工艺中的注入能量依次增加。多次离子注入工艺...
    2026-04-04
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