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最新专利技术
  • 存储器子系统及包括该存储器子系统的服务器系统
    存储器子系统及包括该存储器子系统的服务器系统_爱思开海力士有限公司_202511353910.2
    存储器子系统可以包括I/O裸片、主机设备和堆叠式存储器结构。I/O裸片可以包括第一表面和第二表面。主机设备可以堆叠在I/O裸片的第一表面上以至少部分地与之键合。堆叠式存储器结构可以堆叠在I/O裸片的第一表面上以至少部分地与之键合。I/O裸片...
    2026-04-08
  • 基板堆叠结构及其成型方法、电子设备
    基板堆叠结构及其成型方法、电子设备_华为技术有限公司_202411332552.2
    本申请涉及电子设备技术领域，公开了一种基板堆叠结构及其成型方法、电子设备。该基板堆叠结构包括层叠的多个基板和第一导通结构。其中，多个基板中的第一基板埋嵌有第一器件，多个基板中的第二基板埋嵌有第二器件。第一基板上设有与第一器件电连接的第一走线...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511334895.7
    本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体衬底，包括：p型衬底区域、p型衬底区域上的n型掩埋层以及n型掩埋层上的p型半导体层。DTI区域形成在穿透p型半导体层和n型掩埋层以到达p型衬底区域的沟槽中。多个扇形凹口形成在沟槽的侧表面...
    2026-04-08
  • 包括缓冲层的碳化硅半导体器件以及制造方法
    包括缓冲层的碳化硅半导体器件以及制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511198462.3
    包括缓冲层的碳化硅半导体器件以及制造方法。提出了碳化硅SiC半导体器件(100)。SiC半导体器件(100)包括第一导电类型的缓冲层(102)。SiC半导体器件(100)进一步包括沿着垂直方向(y)被布置在缓冲层(102)上的第一导电类型的...
    2026-04-08
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411878726.5
    本发明涉及的半导体装置具备：碳化硅层，包含第一导电型的第一碳化硅区域、沿第一方向延伸的第一碳化硅区域之上的第二导电型的第二碳化硅区域、沿第一方向延伸的第一碳化硅区域之上的第二导电型的第三碳化硅区域、第二碳化硅区域之上的第一导电型的第五碳化硅...
    2026-04-08
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411878687.9
    本发明的实施方式通常来说涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具有第一元件区域、第二元件区域和处于第一元件区域与第二元件区域之间的中间区域。中间区域的碳化硅层包含有：在第一方向上延伸，在与第一方向垂直的第二方向上以第一周期重复配置的碳化硅区域...
    2026-04-08
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411878678.X
    本发明的实施方式通常涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具有元件区域和将元件区域包围的末端区域。元件区域包含第一导电型的碳化硅区域、具有多个第二导电型的碳化硅区域的碳化硅层和栅极电极。末端区域包含碳化硅层，该碳化硅层具有第一导电型的碳化硅区...
    2026-04-08
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_汉磊科技股份有限公司_202411307665.7
    本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法。其中，半导体装置包括碳化硅磊晶层，其包括：p型阱区；接面场效区，其与该p型阱区相邻；重掺杂n型区，其在该p型阱区的表面上；以及重掺杂p型区，其在该重掺杂n型区之下且在该p型阱区内。该半导体装置...
    2026-04-08
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511994715.8
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上形成图案化的硬掩模层，硬掩模层中形成有露出第一外延层的表面的第一开口；以硬掩模层为掩膜，对第一外延层进行第一离子注入，以在第一外延层中形成沟道区，第...
    2026-04-08
  • JFET器件
    JFET器件_上海鼎阳通半导体科技有限公司_202511941266.0
    本发明公开了一种JFET器件，包括：在第一半导体材料组成的第一外延层中形成有栅极沟槽。JFET栅极区由形成于栅极沟槽内侧表面处的离子注入区组成。由JFET栅极区之间的第一外延层组成JFET沟道区。在JFET沟道区的表面区域中形成JFET源区...
    2026-04-08
  • 半导体装置及存储装置
    半导体装置及存储装置_株式会社半导体能源研究所_202511971242.X
    提供一种半导体装置及存储装置。该半导体装置包括配置于衬底上的第一导电体、以与第一导电体的顶面接触的方式配置的氧化物、配置于氧化物上的第二导电体、第三导电体及第四导电体、配置于第二导电体至第四导电体上且形成有第一开口及第二开口的第一绝缘体、配...
    2026-04-08
  • 一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_江苏慧易芯科技有限公司_202511973456.0
    本发明涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，所述器件包括外延层和形成于外延层内部上端的沟槽，所述沟槽的内部形成上下绝缘隔离的第三多晶硅和第二多晶硅，分别作为栅极和屏蔽栅；所述第二多晶硅包括上段和下段，上段与外延层之间设置第一绝缘层...
    2026-04-08
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511911611.6
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：衬底；外延层，设置于衬底上且具有第一掺杂类型；电流调节层，设置于外延层内，具有第一掺杂类型且掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度，电流调节层包括沿平行于衬底的方向间隔设置的...
    2026-04-08
  • 一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法_江苏应能微电子股份有限公司_202511876860.6
    本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法，包括：第一外延层、若干沟槽结构、第一掺杂区、第二外延层、第二掺杂区、介电层、金属层和至少两个第三掺杂区，其中，沟槽结构排列分布在第一外延层内；第一掺杂区位于相邻沟槽结构之间的第一外延层...
    2026-04-08
  • 一种高压抗辐射横向器件及其制造方法
    一种高压抗辐射横向器件及其制造方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610167523.8
    本发明提供一种高压抗辐射横向器件及其制造方法。包括第一介质层、第二介质层、第三介质层、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第三P型掺杂区、第四P型掺杂区、第五P型掺杂区、第六P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第三N型掺杂区、多晶硅栅电...
    2026-04-08
  • 一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及其制备方法
    一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及其制备方法_中国航天标准化研究所_202511711175.8
    本发明提出一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及制备方法，三维元胞结构上选取八边形元胞结构，将八边形元胞结构与传统的条状与方形元胞结构进行对比，选取栅覆盖面积用于对比不同元胞结构的开关速度，由于器件的栅漏电荷直接取决于器件的栅极与JF...
    2026-04-08
  • 沟槽型MOS器件及其制造方法
    沟槽型MOS器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202411334588.4
    本发明涉及一种沟槽型MOS器件及其制造方法，所述器件包括：若干沟槽栅结构，每个沟槽栅结构包括位于第一沟槽中的栅极，以及位于第一沟槽中且将栅极包覆的栅介电层；源极区，位于各第一沟槽的两侧；沟槽场板结构，包括位于第二沟槽内表面的场板介电层，以及...
    2026-04-08
  • 半导体装置
    半导体装置_世界先进积体电路股份有限公司_202411275245.5
    本申请提供一种半导体装置，包括具有第一导电类型的一基底、位于基底上且具有第一导电类型的一外延层、自外延层的顶表面延伸至外延层中的一沟槽结构和具有第二导电类型的一阱、具有第一导电类型的第一重掺杂部和具有第二导电类型的第二重掺杂部形成于阱中。沟...
    2026-04-08
  • 一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法
    一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法_成都航天博目电子科技有限公司_202610221767.X
    本发明公开了一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法，所述器件包括：在衬底上依次外延生长的GaN缓冲层、GaN沟道层和氮化物势垒层；形成在氮化物势垒层上方的源极、漏极、栅极和钝化层；以及形成在钝化层上方的梯度孔径超表面；所述梯度孔...
    2026-04-08
  • 一种高电子迁移率晶体管及制作方法
    一种高电子迁移率晶体管及制作方法_英诺赛科(珠海)科技有限公司_202511906526.0
    本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种高电子迁移率晶体管及制作方法，其中高电子迁移率晶体管包括：基底结构；源极以及漏极设置于基底结构上；P型氮化镓层，设置于基底结构上；N型氮化镓层，设置于P型氮化镓层上，N型氮化镓层设置有位于边缘部的第一开...
    2026-04-08
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