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最新专利技术
  • 一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法
    一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法_滁州华瑞微电子科技有限公司_202512022074.6
    本发明涉及半导体领域，公开了一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法，包括：源极和漏极；源极靠近漏极的一侧设置有栅极，栅极的侧边设置有N型源区，N型源区靠近漏极的一侧设置有P型源区，P型源区靠近漏极的一侧设置有P型阱区，P型阱...
    2026-04-11
  • SGT器件及其制造方法
    SGT器件及其制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511894638.9
    本发明公开了一种SGT器件，器件单元结构的栅极沟槽的底部区域形成有源极场板，源极场板和栅极沟槽的内侧表面之间隔离有场板介质层。源极场板的顶部表面之上的栅极沟槽组成的顶部沟槽的底部表面形成有第一介质层，侧面形成有栅介质层以及呈侧墙结构的栅极导...
    2026-04-11
  • SGT器件及其制造方法
    SGT器件及其制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511894636.X
    本发明公开了一种SGT器件，包括：形成于第一外延层中的栅极沟槽，在栅极沟槽中形成有多层阶梯多晶硅场板；各层阶梯多晶硅场板和对应的栅极沟槽之间间隔有场板介质层，各场板介质层由多层介质子层叠加而成，相邻两层介质子层之间的材料不同并能实现选择性刻...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510128709.8
    能够抑制漏电流的产生的半导体装置，具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、栅极电极、第二绝缘层、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域以及第二电极。第三半导体区域设置在第二半导体区域之上。第三半导体区域包含与第二半导体区域...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510068892.7
    提供能够抑制漏电流的半导体装置。实施方式的半导体装置具有半导体部件、栅极电极和源极电极。半导体部件具有多个槽部、以及凹部。源极电极的至少一部分配置在凹部的内部。半导体部件具有漂移区域和台面区域。漂移区域具有第1导电型杂质。漂移区域位于比槽部...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510068889.5
    提供能够抑制阈值电压增大并且减小导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具有向半导体基板的厚度方向的一侧凹陷且收存第1电极的多个第1沟槽。具有向厚度方向的一侧凹陷且收存第2电极的第2沟槽。具有包围第1电极的基底层。具有与基底层接触且包围第...
    2026-04-11
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510014302.2
    实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第一电极；半导体部分，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述半导体部分的单元区域上；第三电极，配置在所述半导体部分的末端区域上；第四电极，在所述半导体部分内配置在所述第一电极与所述第三...
    2026-04-11
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411886724.0
    本实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第一电极；第二电极，沿着第一方向与所述第一电极对置；以及半导体层，设置在第一电极与第二电极之间。半导体层包含与第二电极电连接的第一导电型的第一半导体区域和设置在第一半导体区域之上的第二导...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411776977.2
    本发明的实施方式一般来说涉及半导体装置，包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的多个第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极、第二导电型的多个第五半导体区域、第二导电型的多个第六半导体区...
    2026-04-11
  • 一种结型场效应管及其制作方法
    一种结型场效应管及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610209966.9
    本发明提供一种结型场效应管及其制作方法，结型场效应管包括设置在衬底中的漂移区，漂移区中设置有高压阱区，衬底上设置有氧化层，氧化层具有第一开口、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口之间的氧化层上设有栅极，在第一开口和第三开口处均设有第一重掺...
    2026-04-11
  • 一种具有延伸超结槽栅的LDMOS器件
    一种具有延伸超结槽栅的LDMOS器件_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511984101.1
    本发明公开了一种具有延伸超结槽栅的LDMOS器件，包括P‑well区和漂移区，源极区域通过P‑well区和漂移区与漏极区域接通，且源极区域、P‑well区、漂移区和漏极区域依次排列形成导电区；埋氧层和衬底层，埋氧层设置在导电区的底部，衬底层...
    2026-04-11
  • 高压半导体装置
    高压半导体装置_联华电子股份有限公司_202411420029.5
    本发明公开一种高压半导体装置，包括半导体基底、栅极结构、第一漂移区、第二漂移区以及栅极接触结构。栅极结构设置在半导体基底上，第一漂移区与第二漂移区设置在半导体基底中，且第一漂移区的一部分与第二漂移区的一部分分别位于栅极结构在水平方向上的两相...
    2026-04-11
  • 横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法
    横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411395946.2
    本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法，其中横向扩散金属氧化物半导体包含一半导体基底，半导体基底包含一鳍状结构和一平面基底，鳍状结构由平面基底延伸出来，一栅极电极覆盖平面基底和鳍状结构，一第一栅极介电层覆盖平面基底的上表面，第一...
    2026-04-11
  • 高压半导体器件及其制造方法
    高压半导体器件及其制造方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411303668.3
    本公开涉及一种高压半导体器件及其制造方法，该高压半导体器件包括衬底、N型漂移区域、高压N阱区域、P型体区、源极以及栅极，N型漂移区域设置于衬底；高压N阱区域、P型体区以及源极设置于N型漂移区域内，且P型体区与源极相连；栅极设置于N型漂移区域...
    2026-04-11
  • 一种具有半超结SBD的SiC MOSFET及其制备方法
    一种具有半超结SBD的SiC MOSFET及其制备方法_北京昕感科技(集团)有限责任公司_202512051012.8
    本申请公开了一种具有半超结SBD的SiC MOSFET及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域，所述SiC MOSFET包括：自下而上层设置的漏极，n+SiC衬底，nSiC漂移区以及n+SiC漂移区；Pwell区，N+区和P+区；所述n+S...
    2026-04-11
  • 一种降低导通电阻的碳化硅MOSFET及其制备方法
    一种降低导通电阻的碳化硅MOSFET及其制备方法_北京昕感科技(集团)有限责任公司_202511837096.1
    本发明涉及一种降低导通电阻的碳化硅MOSFET，包括一碳化硅衬底，所述碳化硅衬底上具有一碳化硅漂移区，与所述碳化硅漂移区相对的一面具有一漏极；所述碳化硅漂移区上内嵌设置有两个台阶状的P型区域，所述P型区域的顶面内嵌有N+区；所述碳化硅漂移区...
    2026-04-11
  • 垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法
    垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511327079.3
    本公开涉及垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法。在实施例中，垂直晶体管装置(10)包括：半导体衬底(11)，包括第一主表面(12)和与第一主表面(12)相对的第二主表面(13)；和至少一个晶体管基元(14)，形成在半导体衬底(11)中。...
    2026-04-11
  • 垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法
    垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511095976.6
    本公开涉及垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法。在实施例中，垂直晶体管装置(10)包括：半导体衬底(11)，包括第一主表面(12)和与第一主表面(12)相对的第二主表面(13)；和至少一个晶体管基元(14)，形成在半导体衬底(11)中。...
    2026-04-11
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510200853.8
    本发明的实施方式提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置能够降低沟道层与下部电极的接触电阻。本发明的实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1绝缘层，设置于第1电极上；栅极电极，设置于第1绝缘层上；第2绝缘层，设置于栅极电极上...
    2026-04-11
  • 堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制备方法
    堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511967598.6
    本申请提供了一种堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该场效应管包括衬底一侧的元胞结构，元胞结构包括堆叠的多个纳米片栅极结构，沿周向环绕包围纳米片栅极结构的高k介质层、功函数层和氧化层，功函数层位于高k介质层的外侧，氧...
    2026-04-11
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